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最新专利技术
  • 太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和光伏发电系统
    太阳能电池、多结太阳能电池、太阳能电池模块和光伏发电系统_株式会社东芝_202480018118.9
    根据一实施方式的太阳能电池(100)包括：p电极(2)；n电极(5)；p型光吸收层(3)，其设置在所述p电极上并且主要由氧化亚铜化合物构成；n型层(4)，其设置于所述p型光吸收层(3)与所述n电极(5)之间；以及第一金属的化合物(6)，其设...
    2025-11-20
  • 固态成像元件、制造方法和电子设备
    固态成像元件、制造方法和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480019425.9
    本公开涉及可以进一步提高图像质量的固态成像元件、制造方法和电子设备。所述固态成像元件包括：滤色器，其隔着绝缘层针对每个像素设置在半导体基板的被光照射的背面侧；波导，其配置在相邻的所述滤色器之间，并且由折射率比所述滤色器低的低折射率材料形成；...
    2025-11-20
  • 3D堆叠式高速可见光雪崩光电二极管/单光子雪崩二极管
    3D堆叠式高速可见光雪崩光电二极管/单光子雪崩二极管_深圳市灵明光子科技有限公司_202580000520.9
    本发明公开了一种背照式(BSI)光电二极管器件，所述器件包括背面，背面耦合有多个微透镜，包括第一微透镜和第二微透镜。该装置包括位于背面第一厚度内的p型材料的第一掺杂区，以及具有第一深沟槽隔离(DTI)区的第一侧壁；正面包括与第一个微透镜对齐...
    2025-11-20
  • 传感器、用于制造传感器的方法、电子设备以及用于运行传感器的方法
    传感器、用于制造传感器的方法、电子设备以及用于运行传感器的方法_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480025269.7
    一种传感器(10)包括传感元件(1001，1002，……，100n)的装置。传感元件(1001，1002，……，100n)分别具有可单独读取的探测元件(1051，1052，……，105n)以及设置在探测元件上方的滤波元件(1091，1092...
    2025-11-20
  • 一种探测面板及平板探测器
    一种探测面板及平板探测器_京东方科技集团股份有限公司_202480003186.8
    一种探测面板及平板探测器，其中，探测面板包括：衬底(100)；薄膜晶体管(200)，位于衬底(100)上；薄膜晶体管(200)包括栅极层(01)、有源层(03)和源漏极层(110)；感光部(400)，位于薄膜晶体管(200)背离衬底(100...
    2025-11-20
  • 半导体受光元件以及半导体受光元件的制造方法
    半导体受光元件以及半导体受光元件的制造方法_三菱电机株式会社_202380096204.7
    本公开的半导体受光元件(100)具备：半导体基板(2)；数字合金型倍增层(4)，其形成于半导体基板(2)上，由将第一半导体层和第二半导体层交替层叠而成的数字合金构造构成，所述第一半导体层由超晶格层构成，该超晶格层由IV族原子构成，所述第二半...
    2025-11-20
  • 半导体光位置检测器及半导体光位置检测器阵列
    半导体光位置检测器及半导体光位置检测器阵列_浜松光子学株式会社_202480025818.0
    一种半导体光位置检测器，其具备：第一半导体层(10)，其由第一化合物半导体构成，具有第一导电型；第二半导体层(20)，其层叠于所述第一半导体层(10)上，具有比所述第一化合物半导体大的带隙能量；多个半导体区域(30)，它们以从所述第二半导体...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社索思未来_202380096939.X
    半导体装置包括形成在形成有通孔的基板下方的第一电源线至第四电源线、以及具有形成在基板上方的第一晶体管的电源开关电路。电源开关电路在平面图中与第二电源线重叠，且远离所述第四电源线。第一晶体管被配置在平面图中与第一电源线重叠的位置，且其源极连接...
    2025-11-20
  • 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置
    阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000361.8
    一种阵列基板(ARR)、液晶显示面板(PNL)及液晶显示装置，属于显示技术领域。阵列基板(ARR)包括层叠设置的第一衬底基板(SBTA)、源漏金属层(SD)和公共电极层(COML)，以及包括阵列设置的开关晶体管(SW)和像素电极(PIXP)...
    2025-11-20
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000392.3
    提供了一种显示面板和显示装置。显示面板包括：衬底(11)；有源层(C1)，位于衬底(11)的一侧，包括多个有源图案(C11)；第一绝缘层，位于有源层(C1)背离衬底(11)的一侧，具有多个第一过孔(K3)；第一金属层(M1)，位于第一绝缘层...
    2025-11-20
  • 半导体装置及光检测装置
    半导体装置及光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480019817.5
    根据本公开的一个实施方式的半导体装置包括：半导体层；以及电容元件，具有设置到半导体层的第一表面侧的第一电极、层叠在第一电极上的绝缘膜和层叠在绝缘膜上的第一电阻元件。
    2025-11-20
  • 基板装置、电子设备、电子装置、电子设备的制造方法和电子装置的制造方法
    基板装置、电子设备、电子装置、电子设备的制造方法和电子装置的制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480021399.3
    提供一种具有电连接多个裸片的配线层的基板装置，利用该基板装置，可以在抑制电特性劣化的同时实现生产率的提高。根据本技术的基板装置设置有配线基板和配线层，该配线层设置为从配线基板的表面突出并且电连接多个裸片。根据本技术的基板装置，可以提供具有电...
    2025-11-20
  • 具有源极/漏极沟槽接触衬里的纳米结构晶体管和相关联的方法
    具有源极/漏极沟槽接触衬里的纳米结构晶体管和相关联的方法_阿托梅拉公司_202480021058.6
    一种半导体装置可以包括衬底和衬底上的间隔开的栅极堆叠，其中相邻的栅极堆叠在其间限定相应的沟槽。每个栅极堆叠可以包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层，其中第二半导体材料的层限定纳米结构。该半导体装置还可以包括沟槽内的相应的源极/漏极区、...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202380097156.3
    提供一种能够抑制绝缘破坏的发生的半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、栅极电极、第二绝缘层、第三绝缘层、第一场板电极以及第四绝缘层。第一绝缘层在第一方向上位于第一电极与第二电极之间。栅极电极设置在第一...
    2025-11-20
  • 层叠型多沟道结构体及其制备方法、包括层叠型多沟道结构体的薄膜晶体管
    层叠型多沟道结构体及其制备方法、包括层叠型多沟道结构体的薄膜晶体管_汉阳大学校产学协力团_202480025828.4
    本发明提供一种薄膜晶体管。上述薄膜晶体管包括第一物质层及第二物质层层叠而成的沟道结构体，上述第一物质层包含氧化物半导体，上述第二物质层包含金属氧化物绝缘体，上述沟道结构体通过层叠多个堆栈来形成多沟道(multi channel)，上述堆栈通...
    2025-11-20
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480021229.5
    提供一种电特性良好的半导体装置。半导体装置包括：第一导电层；第一导电层上的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二导电层；第二导电层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三导电层；第一导电层上的第三绝缘层及半导体层；半导体层上的第四绝缘层；以及第四绝缘层上...
    2025-11-20
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480019053.X
    提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种包括第一至第四导电层、氧化物半导体层以及第一至第三绝缘层的半导体装置，第一绝缘层位于第一导电层上，第二导电层位于第一绝缘层上，第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的第一开口，氧化物半导体层在第一开口内...
    2025-11-20
  • 半导体装置以及电力转换装置
    半导体装置以及电力转换装置_三菱电机株式会社_202480021354.6
    目的在于提供一种能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具备：第一电极，其设置于第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其覆盖半导体基板的基准面、第一绝缘膜及第一电极；以及第二电极，其覆盖基准面及第二绝缘膜，第二绝缘膜的侧面包含与基准面所成的角度不同...
    2025-11-20
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_罗姆股份有限公司_202480018646.4
    提供一种半导体装置，包括：芯片，其具有主面；栅极电极，其形成在所述主面上；层间膜，其覆盖所述栅极电极；开口，其从所述栅极电极的电极侧部在沿着所述主面的横向上分离地形成在所述层间膜，使所述主面的一部分作为接触面而露出；以及表面电极，其形成在所...
    2025-11-20
  • 三维存储器件及其形成方法
    三维存储器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202480000758.7
    在某些方面，存储器件包括半导体层和在半导体层之上的堆叠结构。堆叠结构包括交替的第一层和第一电介质层。堆叠结构的第一区段中的第一层包括第二电介质层，并且堆叠结构的与第一区段相邻的第二区段中的第一层包括导电层。存储器件还包括在堆叠结构和接触结构...
    2025-11-20
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