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  • 本公开涉及一种存储器、数据读取方法及数据编程方法。该存储器包括存储单元串。存储单元串包括:沿垂直衬底方向依序串联的权重单元串和掩码单元串。其中,权重单元串用于存储权重向量。掩码单元串用于存储掩码向量,所述掩码向量为预编程的用于定义存储单元串...
  • 本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统、电子设备。该存储器包括:存储单元阵列、以及通过字线和位线耦接于存储单元阵列的外围电路,外围电路被配置为:向选中字线施加第一读取电压;对选中字线耦接的存储单元对应的感测节点充电;将选中字线...
  • 本公开实施例公开了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统,该存储器装置包括存储单元阵列以及与所述存储单元阵列耦接的外围电路;所述存储单元阵列包括至少一个第一存储块和多个第二存储块,所述多个第二存储块中的部分存储块作为采样存储块;所述外围电路...
  • 在某些方面中,一种存储器装置包括至少一块存储器单元以及耦接至存储器单元的所述块的外围电路。所述外围电路被配置为在擦除周期的第一集合中分别施加擦除脉冲的第一集合以擦除存储器单元的所述块。所述擦除脉冲的第一集合包括具有变化电压值的一个或多个第一...
  • 本申请涉及固态硬盘技术领域,特别涉及一种闪存存储介质的最优偏移电压确定方法及设备,方法包括:根据目标存储块的当前位错误率确定数据保留触发阈值,且根据当前读操作频率确定读干扰触发阈值;基于当前擦写次数、擦写次数触发阈值、当前数据保留时长、数据...
  • 本公开内容涉及管理存储器系统中的擦除操作。描述了用于在存储器系统中执行擦除操作的方法、系统和设备。示例系统包括存储器装置和存储器控制器。存储器装置包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元阵列的外围电路。在将擦除脉冲施加到耦合到存储器单元阵列的源...
  • 本公开涉及用于操作存储器装置的方法和装置。在一个示例中,存储器装置包括存储器阵列以及耦合到存储器阵列的外围电路,该存储器阵列包括存储器单元。外围电路包括微控制器单元(MCU)和由MCU控制的多个电路。MCU被配置为在耦合到多个电路中的第一电...
  • 本申请涉及用于选择门阈值电压调谐的沟道衬垫。各种应用可包含具有存储器单元串的存储器装置,其中存储器单元串耦合到漏极侧选择门SGD晶体管的堆叠。所述SGD晶体管的阈值电压可通过邻近于并接触所述堆叠的选定的一或多个SGD晶体管的高k介电衬垫调谐...
  • 本申请揭示了一种信息载体、配置方法和存储装置,配置方法包括:获得目标信息,基于还原信息和目标信息确定损失值,所述还原信息根据信息载体响应于目标入射光的调制输出经过算法模型处理而确定,所述目标入射光与所述目标信息对应,基于所述损失值,以信息载...
  • 本发明公开了一种用于读取非易失性两端存储器的方法及相关产品,非易失性两端存储器包括至少一个非易失性两端存储单元;用于读取非易失性两端存储器的电路包括参考模块、比较模块以及预充电模块;参考模块包括参考电阻;比较模块包括:由第一反相器和第二反相...
  • 本发明公开了一种磁阻随机存取存储器及磁阻随机存取存储系统,应用于信息存储领域,该存储器包括:多个磁性隧道结位元、写入驱动器、与磁性隧道结位元的一端连接的第一走线,以及与磁性隧道结位元的另一端连接的第二走线;写入驱动器的第一导电电极与第一走线...
  • 本发明提供一种3D存储器装置的预充电方法与编程方法。3D存储器装置包括上段字线群、中间虚拟字线群、下段字线群以及底部虚拟字线群。预充电方法包括:选择字线,以进行编程;判断选择的字线是在上段或下段字线群;当字线是上段字线群,对中间虚拟字线施加...
  • 本公开提供一种半导体装置、存储器系统及其操作方法。半导体装置包括:延迟锁相环(DLL),被配置为输出与时钟的单个周期相对应的第一校正值;以及占空比校正电路,包括分频器,分频器被配置为将时钟分频为一半以生成分频时钟,将分频时钟延迟与时钟的半个...
  • 公开了一种存储器装置。根据本公开的实施例的存储器装置可包括:存储器存储体,包括多个行;行解码器,包括与所述多个行相关联的多个行块,并且被配置为基于局部行组地址和多个局部MUX激活信号激活所述多个行块中的特定行块;接口电路,被配置为:接收全局...
  • 本申请涉及一种存储器、存内计算方法及电子设备。该存储器包括存储阵列;存储阵列包括沿第一方向间隔设置的多组存储单元串;每组存储单元串包括沿第二方向间隔排列的至少两个存储单元串,第二方向与第一方向平行于衬底并相交;其中,存储单元串包括:沿垂直衬...
  • 本公开涉及有摆动检测器的集成电路装置及包括集成电路装置的系统。一种系统,包括:第一集成电路装置;以及第二集成电路装置,其通过第一传输线和第二传输线耦接到第一集成电路装置,其中,第一集成电路装置包括:摆动检测器,配置为检测第一传输线与第二传输...
  • 本公开实施例公开了一种存储器控制器、存储器系统及其控制方法,所述存储器控制器被配置为:控制存储器装置利用与存储单元的第一数据态对应的第一读取电压,执行读取操作;获得阈值电压小于或等于所述第一读取电压的存储单元的第一数量,获得阈值电压大于所述...
  • 本申请实施例涉及存储器领域,提供一种感测放大器,至少可以包括:第一晶体管,电连接在第一电源节点和互补读出位线之间,控制端连接至第三晶体管的控制端;第二晶体管,电连接在第二电源节点和读出位线之间,控制端连接至第四晶体管的控制端;第三晶体管,电...
  • 本申请公开了一种读取数据的电压校准方法及电子设备,涉及数据处理技术领域,包括:接收数据读取指令,数据读取指令包括读取电压;基于目标存储位置确定目标存储位置对应目标块的目标属性数据;将目标属性数据输入至预先训练的预测模型,得到目标电压偏移量;...
  • 本申请案涉及存储器系统的偏移柱。一种存储器系统可包含由接口裸片及堆叠于其顶上的一或多个存储器裸片组成的存储器装置。所述接口裸片可包含与电力供应器耦合且经配置以将电力路由到所述堆叠裸片中的每一者的电源柱。所述接口裸片可大于所述堆叠裸片(例如在...
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