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最新专利技术
  • 一种碳化硅MOSFET器件及其工艺
    一种碳化硅MOSFET器件及其工艺_陕西电子芯业时代科技有限公司_202510865689.2
    本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其工艺。所述碳化硅MOSFET器件包括：N+衬底和N‑外延层；所述N‑外延层的顶部设置有硬掩模， 所述N‑外延层上设置有PWELL区、JFET区以及沟道区， 所述沟道区与JFET区交界处的PWELL区侧...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411164810.0
    提供栅极绝缘层的可靠性得以提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、以及第一电极与第二第二电极之间的具有第一面和第二面的半导体层。半导体层包括多个第一沟槽和与位于最端部的第一沟槽相邻的第二沟槽。半导体装置具备：位于第一沟...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411112324.4
    提供能够提高耐量的半导体装置。根据一个实施方式， 半导体装置具有第1电极、第1～第3半导体区域、导电体及第2电极。导电体包含第1及第2栅极电极部、第1布线部、第1及第2连接部。第1栅极电极部位于第1部分之上。第2半导体区域位于第1栅极电极部...
    2025-11-21
  • 一种具有阶梯LTO的LDMOS器件及其制造方法
    一种具有阶梯LTO的LDMOS器件及其制造方法_浙江大学_202510924039.0
    本发明公开了一种具有阶梯LTO的LDMOS器件及其制造方法。本发明在原有的LDMOS器件结构基础上增加了阶梯场板结构， 相比于原本的LDMOS器件结构， 在相同的漂移区掺杂浓度下， 阶梯场板LDMOS结构的漂移区可以更好的耗尽， 从而使等势...
    2025-11-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410397139.8
    一种半导体结构及其形成方法， 阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构， 对漂移区上的栅极结构进行掺杂， 形成相邻接的第一掺杂区和第二掺杂区， 第一掺杂区掺杂有第一型离子， 第二掺杂区掺杂有第二型离子， 第二型离子和第一型离子的导电类型不同，...
    2025-11-21
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411164813.4
    提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第1电极；第1导电型的第1半导体层， 设置在第1电极之上；第2半导体层， 设置在第1半导体层之上， 第1导电型杂质浓度比第1半导体层低；第2导电型的第3半导体层， 设置在第2半导体层之上...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411164808.3
    提供提高雪崩耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层， 具有第一面和第二面；第一面侧的第一栅极电极， 沿与第一面平行的第一方向延伸；第二栅极电极， 沿第一方向延伸， 相对于第一栅极电极设置于与第一面平行且与第一方向垂直的第二方向...
    2025-11-21
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411163654.6
    提供能够抑制钝化膜中的裂纹的产生的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体部件、层间膜、金属层和钝化膜。层间膜设置于半导体部件的上表面侧。金属层以覆盖层间膜的上表面侧的至少一部分区域的方式设置。钝化膜成膜于层间膜的未设置金属...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411163652.7
    提供能够提高末端区域中的雪崩耐量的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第二电极、控制电极以及第三电极。半导体部包含第一导电型的第一半导体层以及第二导电型的第二半导体层。第一区域中的半导体部还包含设于第二半导体层与第二电...
    2025-11-21
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_株式会社东芝_202411157094.3
    提供能够降低导通电阻的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极；半导体层， 设置在所述第一电极之上；第二电极， 设置在所述半导体层之上；控制电极， 隔着绝缘区域设置在所述半导体层内；第一导电部， 沿着与从所述第...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411141790.5
    提供能够兼顾截止状态时的漏电流降低和导通状态时的电阻的降低的半导体装置。半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层， 配置在所述第一电极上；第二半导体层， 配置在所述第一半导体层上， 是第二导电型， 具有第一部分和与所述第一电极的距...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411120255.1
    提供能够提高耐压的半导体装置。第1末端沟槽部的第1方向上的宽度大于栅极沟槽部的第1方向上的宽度。第1末端沟槽部的下端位于比栅极沟槽部的下端靠下方的位置。
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411120251.3
    实施方式提供能够提高耐量的半导体装置。根据一个实施方式， 半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第1导电部、第2导电型的第5半导体区域、第2导...
    2025-11-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202410807777.2
    实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层， 设置在第1电极上， 具有在第1方向上位于相互分离的位置且在第2方向上延伸的多个台部；第2电极， 位于在台部的上部设置的凹部， 且在第2方向上延伸；栅极电极， 在第1方向上与...
    2025-11-21
  • 一种具有ESD泄放路径的分裂栅场效应晶体管及其低成本制备方法
    一种具有ESD泄放路径的分裂栅场效应晶体管及其低成本制备方法_中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)_202511070395.7
    本发明公开了一种具有ESD泄放路径的分裂栅场效应晶体管及其低成本制备方法， 包括低阻N+衬底， 低阻N+衬底的两端分别设有漏极金属和外延层， 所述外延层顶部加工有若干沟槽， 沟槽的侧壁覆盖有第一介质层， 沟槽的内设有分裂栅和控制栅; 控制栅...
    2025-11-21
  • 含氢终端的MOSFET外延结构、制备方法、功率器件
    含氢终端的MOSFET外延结构、制备方法、功率器件_晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司_202510930711.7
    本发明涉及一种含氢终端的MOSFET外延结构、制备方法、功率器件， 具体涉及半导体领域， 所述含氢终端的MOSFET外延结构包括：依次设置于衬底上的缓冲层、外延层、氢终端层、P‑N层、栅氧层和多晶栅层；所述氢终端层的厚度为0.5‑1nm。本...
    2025-11-21
  • 一种氧化镓横向增强型场效应晶体管及其制备方法
    一种氧化镓横向增强型场效应晶体管及其制备方法_重庆理工大学_202510929047.4
    本发明公开了一种氧化镓横向增强型场效应晶体管及其制备方法， 旨在解决现有氧化镓横向增强型场效应晶体管器件在输出功耗大和功率输出性能低方面的不足。该结构包括：Ga2O3半绝缘衬底、n型Ga2O3缓冲层、n型Ga2O3沟道层、β‑(Al0.33...
    2025-11-21
  • 一种复合栅介质的金刚石MOS器件及其制备方法
    一种复合栅介质的金刚石MOS器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202510877490.1
    本发明提供了一种复合栅介质的金刚石MOS器件及其制备方法， 属于半导体器件技术领域， 自下至上依次包括金刚石衬底、金刚石外延层和氢终端沟道层；源电极和漏电极分别与氢终端沟道层形成欧姆接触；氧终端沟道层形成于氢终端沟道层内；复合栅介质层形成于...
    2025-11-21
  • 屏蔽栅沟槽型器件结构及其制作方法
    屏蔽栅沟槽型器件结构及其制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779504.6
    本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型(SGT)器件结构及其制作方法。该SGT器件结构包括：衬底；设置在衬底或其上外延层内的沟槽；设置在沟槽底部的场介质层；设置在场介质层之上的源极多晶硅电极；以及关键的浮置电极， 该浮置电极位于源极多晶硅电极上方， ...
    2025-11-21
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411163655.0
    提供能够降低源极接触电阻的半导体装置及其制造方法。一个实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极， 与所述第一电极在第一方向上分离而配置；控制电极， 在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第二电极对置而配置；第一绝缘部， 设置于所述第二电...
    2025-11-21
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