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最新专利技术
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411163655.0
    提供能够降低源极接触电阻的半导体装置及其制造方法。一个实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极， 与所述第一电极在第一方向上分离而配置；控制电极， 在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第二电极对置而配置；第一绝缘部， 设置于所述第二电...
    2025-11-21
  • 沟槽式半导体结构及其制造方法
    沟槽式半导体结构及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202410396793.7
    本发明提供了沟槽式半导体结构及其制造方法。沟槽式半导体结构包括：半导体材料层， 其具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面， 其中所述半导体材料层具有第一导电型；第一沟槽结构， 从所述第一表面往所述第二表面延伸， 其中所述第一沟槽结构包...
    2025-11-21
  • 场效应晶体管及其制备方法
    场效应晶体管及其制备方法_湖南虹安微电子有限责任公司_202410396295.2
    本发明实施例提供场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括：外延层， 外延层的一侧具有栅氧下区域；氧化层， 设置在栅氧下区域上；多晶硅层， 设置在氧化层背离外延层的一侧；第一源区和第二源区， 沿第一方向分别设置在栅氧下区域的两侧；阱区， 设...
    2025-11-21
  • 场效应管及其制造方法
    场效应管及其制造方法_湖南虹安微电子有限责任公司_202410396284.4
    本发明提供了一种场效应管和一种场效应管的制造方法。场效应管包括：第一电性外延层， 一端具有栅极区；两个第二电性掺杂层沿宽度方向分别设于栅极区两侧；第一电性掺杂层嵌设于第二电性掺杂层， 第二电性掺杂层阻隔第一电性掺杂层和第一电性外延层， 第一...
    2025-11-21
  • 氮化镓器件、其制备方法及功率设备
    氮化镓器件、其制备方法及功率设备_深圳平湖实验室_202511303402.3
    本公开提供的氮化镓器件、其制备方法及功率设备， 包括沟道层；势垒层， 位于沟道层一侧；p型帽层， 位于势垒层远离沟道层的一侧；栅极金属层， 位于p型帽层远离势垒层的一侧；导通增强层， 位于栅极金属层与p型帽层之间。通过增加导通增强层， 可以...
    2025-11-21
  • 一种L型P-GaN HEMT器件结构及其制备方法
    一种L型P-GaN HEMT器件结构及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511298484.7
    本发明公开了一种L型p‑GaN HEMT器件结构及其制备方法， 其包括半导体层、L型p‑GaN层、源极、漏极、栅极、七层钝化层、通孔金属、互联金属结构及场板结构。L型p‑GaN层分为两子层， 优化电场分布；多层钝化层和场板结构有效抑制界面缺...
    2025-11-21
  • 一种GaN射频器件及其测试方法
    一种GaN射频器件及其测试方法_重庆联晶通半导体科技有限公司_202511284948.9
    本申请公开了一种GaN射频器件及其测试方法。该GaN射频器件结构包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓主体层、势垒层及绝缘层。顶部绝缘层表面设有两类开口形状不同的通孔， 通过在不同目标区域填充导电材料形成欧姆接触， 以测试不同电极配置下的器件性能。...
    2025-11-21
  • 双栅控制的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
    双栅控制的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511014237.X
    本申请公开了一种双栅控制的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法， 涉及半导体器件领域， 氮化镓高电子迁移率晶体管包括：衬底；依次形成在衬底同一侧的半绝缘高阻层、n型掺杂层、背势垒层以及沟道层；电极结构， 电极结构位于沟道层背离衬底的一侧；电...
    2025-11-21
  • 具有鳍型栅的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
    具有鳍型栅的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511013088.5
    本申请公开了一种具有鳍型栅的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法， 涉及半导体器件领域， 氮化镓高电子迁移率晶体管包括：衬底；依次形成在衬底同一侧的半绝缘高阻层、n型掺杂层、背势垒层以及沟道层；沟道层背离背势垒层一侧的表面包括沿第一方向依次...
    2025-11-21
  • 一种单栅双向开关器件及制备方法
    一种单栅双向开关器件及制备方法_湖北九峰山实验室_202510912958.6
    本申请提供一种单栅双向开关器件及制备方法， 该器件包括沿堆叠方向依次层叠的衬底、第一氧化镓层、第二氧化镓层和半导体材料层， 还包括第一电极、第二电极和栅极， 半导体材料层覆盖部分第二氧化镓层， 第一电极和第二电极位于第二氧化镓层远离第一氧化...
    2025-11-21
  • 基于P型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法
    基于P型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法_武汉大学_202510901821.0
    本公开实施例提供了一种基于P型金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法， 属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管包括：金刚石衬底；P型金刚石层， 设置于金刚石衬底上， 用于形成二维空穴气通道；势垒层， 设置于P型金刚石层上， 用于促进二维空...
    2025-11-21
  • 一种具有空穴吸收层的异质结器件及制备工艺
    一种具有空穴吸收层的异质结器件及制备工艺_西南交通大学_202510853730.4
    本发明公开了一种具有空穴吸收层的异质结器件及制备工艺， 包括衬底层、缓冲层、异质结结构、调控层、栅接触层、空穴吸收层以及金属电极， 缓冲层设置于衬底层上， 异质结结构包括第一半导体层和第二半导体层， 第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结...
    2025-11-21
  • 一种基于沟道深电极的氮化镓双向器件及其制备方法
    一种基于沟道深电极的氮化镓双向器件及其制备方法_西安电子科技大学_202510844606.1
    本发明提供了一种新型的基于沟道深电极的氮化镓双向器件及其制备方法， 在制备过程中在源极和漏极旁边加入了沟道深电极， 沟道深电极接触到二维电子气沟道以及缓冲层， 沟道深电极的电位与源极电位相同并且衬底电位可以与源极电位不相同， 不仅优化了双栅...
    2025-11-21
  • 具有高金属填充覆盖率的半导体芯片及其制备方法
    具有高金属填充覆盖率的半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510631263.0
    本公开公开了一种具有高金属填充覆盖率的半导体芯片及其制备方法， 属于半导体技术领域。该半导体芯片包括衬底和半导体层；所述半导体层位于所述衬底的一面， 所述半导体层背向所述衬底的一面具有孔槽， 所述孔槽包括槽体部和槽口部， 所述槽体部的内侧壁...
    2025-11-21
  • 一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法
    一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511279527.7
    本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法、一种半导体器件的制备方法、一种用于屏蔽栅沟槽型功率器件的半导体结构及半导体器件， 其中， 该方法包括：提供半导体衬底， 所述半导体衬底中形成有沟槽；在所述沟槽表面形成第一氧化层；在所述沟槽中的...
    2025-11-21
  • 垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构
    垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构_复旦大学_202510993421.7
    本发明提供了一种垂直沟道晶体管的制备方法及垂直沟道晶体管结构， 该垂直沟道晶体管的制备方法包括：在衬底上形成从下至上依次堆叠的底层源漏层、第一扩展层、沟道层、第二扩展层、顶层源漏层， 底层源漏层、沟道层和顶层源漏层的材料为硅， 第一扩展层和...
    2025-11-21
  • MOSFET器件及其制备方法
    MOSFET器件及其制备方法_武汉大学_202510901838.6
    本申请提供了一种MOSFET器件及其制备方法， 属于半导体领域。包括：制备P型衬底；对P型衬底进行刻蚀， 形成源极凹槽和漏极凹槽；采用MPCVD工艺在源极凹槽和漏极凹槽中制作硼氮共掺杂N型金刚石层；在P型衬底表面形成栅氧化层；分别在源极凹槽...
    2025-11-21
  • 一种提高铁电存储器极化保持性的方法
    一种提高铁电存储器极化保持性的方法_绍芯实验室_202510816025.7
    本申请涉及一种提高铁电存储器极化保持性的方法， 该方法包括在斜切衬底上外延生长BiFeO₃薄膜， 通过改变薄膜厚度调控应力， 并结合反向电场脉冲实现电荷注入， 从而有效提升极化保持时间。斜切衬底具体为沿[100方向]、斜切角度为2°‑5°的...
    2025-11-21
  • 一种短沟道二维半导体器件制备方法
    一种短沟道二维半导体器件制备方法_绍芯实验室_202510815421.8
    本申请涉及一种短沟道二维半导体器件的制备方法， 该方法包括：在第一衬底上制备石墨烯层， 在石墨烯上方通过激光直写制备金属电极， 通过源表施加电压使石墨烯中部断裂形成间隙；随后旋涂聚甲基丙烯酸甲酯并进行加热固化， 通过机械方式将该结构整体转移...
    2025-11-21
  • SGT器件的制造方法
    SGT器件的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510811926.7
    本申请公开了一种SGT器件的制造方法， 涉及半导体器件技术领域， 包括：提供一衬底， 衬底中形成有沟槽；沉积形成第一氧化层；在沟槽内填充多晶硅；刻蚀去除沟槽外的第一多晶硅层；刻蚀减薄第一氧化层和第一多晶硅层；刻蚀第一区域沟槽内的第一多晶硅层...
    2025-11-21
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