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最新专利技术
  • 局放信号识别方法、装置、设备、介质和程序产品
    局放信号识别方法、装置、设备、介质和程序产品_深圳供电局有限公司_202610309805.7
    本申请涉及一种局放信号识别方法、装置、设备、介质和程序产品。所述方法包括：获取待检测设备的原始局放脉冲数据；将所述原始局放脉冲数据输入至预先训练的局放信号增强模型，得到增强后的局放脉冲数据；将所述增强后的局放脉冲数据与标准脉冲信号进行匹配，...
    2026-05-13
  • 一种局部放电信号增强系统和方法
    一种局部放电信号增强系统和方法_广东电网有限责任公司电力科学研究院_202610383368.3
    本发明公开了一种局部放电信号增强系统和方法，属于高压电缆局放信号增强技术领域，该方法包括信号采集增强模块和信号跨接模块，其中：信号跨接模块用于形成将第一电缆铝护套和第二电缆铝护套电连接的局放信号跨接通道，以通过局放信号跨接通道传输电缆跨接信...
    2026-05-13
  • 一种电缆放电采集方法、装置、终端设备及存储介质
    一种电缆放电采集方法、装置、终端设备及存储介质_广东电网有限责任公司电力科学研究院_202610383373.4
    本发明公开了一种电缆放电采集方法、装置、终端设备及存储介质，方法为：基于高频电流采集通道、电容采集通道获取高频电流采集数据和电容采集数据；基于预设高频电流本振频率、高频电流本振幅值及高频电流采集数据，重复执行高频电流混频数据获取步骤，直至高...
    2026-05-13
  • 融合声电的高压变压器油纸绝缘缺陷发展评估方法及系统
    融合声电的高压变压器油纸绝缘缺陷发展评估方法及系统_国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院_202610444313.9
    本发明属于高电压与绝缘技术领域，为解决现有技术无法提前准确评估油纸缺陷放电发展过程的问题，提供融合声电的高压变压器油纸绝缘缺陷发展评估方法及系统。融合声电的高压变压器油纸绝缘缺陷发展评估方法包括获取第I类局部放电和第II类局部放电所对应的特...
    2026-05-13
  • 一种电线电缆导体绝缘性能检验方法
    一种电线电缆导体绝缘性能检验方法_天津市产品质量监督检测技术研究院_202610447198.0
    本发明属于电线电缆检测技术领域，具体公开了一种电线电缆导体绝缘性能检验方法，旨在解决传统电测法难以早期识别绝缘微观劣化的问题。该方法包括：对导体施加纳秒级电压脉冲激励以激发绝缘介质中的机械振动波；利用环绕电缆的声学传感器阵列采集剪切波时域信...
    2026-05-13
  • 电容器耐高压检测响应保护电路和方法
    电容器耐高压检测响应保护电路和方法_珠海禅光科技有限公司_202610451790.8
    本发明公开了一种电容器耐高压检测响应保护电路和方法，涉及电容检测技术领域。该电路包括：主控模块；电压发生模块，与主控模块连接；第一限流模块，与电压发生模块连接；第二限流模块，输入端与第一限流模块的输出端连接，输出端与待测电容的一端连接，待测...
    2026-05-13
  • 基于电压波头识别的特高压GIS击穿点定位方法及系统
    基于电压波头识别的特高压GIS击穿点定位方法及系统_国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院_202610458915.X
    本公开提供了基于电压波头识别的特高压GIS击穿点定位方法及系统，涉及GIS击穿点定位技术领域，包括：获取GIS击穿时产生的瞬态电压行波，并构造出双端原始电压行波时间序列数据；将行波时间序列数据输入至波头识别模型，通过波头识别模型的前端多尺度...
    2026-05-13
  • 基于体二极管的SiC MOSFET器件的陷阱表征方法及装置
    基于体二极管的SiC MOSFET器件的陷阱表征方法及装置_中国科学院微电子研究所_202511969146.1
    本说明书实施例提供了一种基于体二极管的SiC MOSFET器件的陷阱表征方法及装置，其中，方法包括：步骤1，通过测试设备连接置于恒温环境中的SiC MOSFET器件；步骤2，通过测试设备对所述SiC MOSFET器件施加栅极填充电压和漏极电...
    2026-05-13
  • 多路复用Cascode二极管实现IGBT续流与通态压降提取的电路结构
    多路复用Cascode二极管实现IGBT续流与通态压降提取的电路结构_重庆大学_202610060703.6
    本发明公开了一种多路复用Cascode二极管实现IGBT续流与通态压降提取的电路结构，属于功率半导体器件技术领域，电路结构包括并联于待测IGBT集电极与发射极之间的共栅共源二极管结构，以及并联于该结构中低压硅肖特基势垒二极管两端的低电压钳位...
    2026-05-13
  • 源测量电路和电子芯片
    源测量电路和电子芯片_杭州飞仕得科技股份有限公司_202610075813.X
    本公开的实施例提供的源测量电路和电子芯片，主控模块根据待测器件的工作电压或工作电流，生成第一电压信号，并根据电流量程生成第一控制信号至第一开关模块，根据电压量程生成第一增益调节信号至电压生成模块，以及根据第三电压信号和第四电压信号对输出的第...
    2026-05-13
  • 一种金属氧化物半导体场效应晶体管栅极抗静电冲击能力测试方法
    一种金属氧化物半导体场效应晶体管栅极抗静电冲击能力测试方法_济南大学_202610097903.9
    本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管栅极抗静电冲击能力测试方法，首先，利用传输线脉冲测试仪测试器件栅极与其他电极之间在瞬态脉冲下所能承受的最大电压值，然后，将器件栅极所能承受最大电压值和器件栅极电容代入相应公式，分别计算出器件在人体...
    2026-05-13
  • 碳化硅多层外延掺杂浓度纵向分布的CV数据处理方法
    碳化硅多层外延掺杂浓度纵向分布的CV数据处理方法_常山森思功率半导体有限公司_202610155575.3
    本发明涉及半导体技术领域，提供碳化硅多层外延掺杂浓度纵向分布的CV数据处理方法，包括以下步骤：步骤一、对碳化硅多层外延片进行电容‑电压测试，获取原始的电容‑电压数据；步骤二、基于肖特基接触模型，通过计算或拟合确定测试系统与外延片接触时的内建...
    2026-05-13
  • 一种场效应晶体管的栅极氧化层状态监测方法及电路
    一种场效应晶体管的栅极氧化层状态监测方法及电路_华北电力大学_202610202667.2
    本申请涉及一种场效应晶体管的栅极氧化层状态监测方法及电路，属于电力电子技术领域，该方法包括：获取待监测场效应晶体管在开通瞬态过程中的漏极电流信号；基于所述漏极电流信号，确定场效应晶体管的电流上升时间；其中，所述电流上升时间为漏极电流从开始流...
    2026-05-13
  • 一种IGBT模块的结温检测方法及装置
    一种IGBT模块的结温检测方法及装置_深圳市国王科技有限公司_202610411891.2
    本发明涉及IGBT模块技术领域，公开了一种IGBT模块的结温检测方法及装置。该方法：S1：通过单片机向IGBT晶圆的栅极输出PWM驱动信号使所述IGBT晶圆导通工作；S2：对NTC晶圆进行热传导感知，通过NTC晶圆连接至T极引脚并与下拉电阻...
    2026-05-13
  • 一种器件有效沟道长度确定方法
    一种器件有效沟道长度确定方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202610418680.1
    本申请提供一种器件有效沟道长度确定方法，基于多个栅极长度()分别对应的电容电压对应关系，通过积分得到多个栅极长度分别对应的反型层电荷浓度()。通过对反型层电荷浓度和栅极沟道电容的比值()，以及反型层电荷浓度()进行线性拟合(vs)，基于拟合...
    2026-05-13
  • 探针过驱量的确定方法及半导体设备
    探针过驱量的确定方法及半导体设备_上海伟测半导体科技股份有限公司_202610443296.7
    本公开提供探针过驱量的确定方法及半导体设备，涉及半导体测试领域，其中方法包括：获取待测晶圆表面的芯片布局信息、以及探针组件相对晶圆的测试位置信息，据以确定所述探针组件于当前测试位置在所述晶圆上的接触区域，以得到所述接触区域所覆盖的一组芯片的...
    2026-05-13
  • SiC MOSFET结温的机械应力波监测方法及系统
    SiC MOSFET结温的机械应力波监测方法及系统_湖南大学_202610451746.7
    本发明公开了一种SiC MOSFET结温的机械应力波监测方法及系统，涉及半导体器件检测技术领域。所述方法包括通过加热装置使器件达到多个预设结温，并在每一预设结温下通过调节电路获得多个关断电流值；采集每次开关瞬态激发的机械应力波信号并同步采集...
    2026-05-13
  • 芯片及其测试方法、计算机设备及存储介质
    芯片及其测试方法、计算机设备及存储介质_珠海妙存科技有限公司_202511801682.0
    本申请实施例提出了一种芯片及其测试方法、计算机设备及存储介质，所述芯片包括模式切换模块、输入解压缩模块和输出压缩模块，包括：所述输出压缩模块配置有三倍频时钟，用于在最终扫描链测试模式下，将所述芯片内部的扫描链输出的响应信号通过时分复用方式，...
    2026-05-13
  • 时间间隔测量方法、装置、半导体测试设备及存储介质
    时间间隔测量方法、装置、半导体测试设备及存储介质_深圳市辰卓科技股份有限公司_202512016942.X
    本申请适用于半导体芯片测试技术领域，提供了一种时间间隔测量方法、装置、半导体测试设备及存储介质，该方法包括：获取被测量的起始信号和停止信号；通过系统时钟对起始信号与停止信号之间跨越的时钟周期数进行计数，得到整数时间；控制起始信号经由进位延时...
    2026-05-13
  • 真空高低温半自动探针台
    真空高低温半自动探针台_芯铂微半导体设备(上海)有限公司_202610111996.6
    本发明提供真空高低温半自动探针台，包括：真空系统，包括真空腔体和与所述真空腔体连接的真空泵组，以在所述真空腔体内建立并维持真空环境，所述真空腔体的顶部设有操作口，操作口处安装有透明密封板封闭；制冷系统，包括至少两个安装于真空腔体底部的制冷机...
    2026-05-13
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