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  • 本发明涉及陶瓷基板技术领域,提出了氧化铝多层陶瓷基板用流延浆料及制备方法和应用。氧化铝多层陶瓷基板用流延浆料,包括以下重量份组分:氧化铝95~100份、烧结助剂2~4份、复合增韧剂4~6份、溶剂50~70份、粘结剂4~8份、增塑剂6~9份、...
  • 本发明提供一种复合莫来石隔热材料及其制备方法。该材料包括以下质量份数的原料:高纯莫来石粉 25‑35份,莫来石骨料 15‑25份,漂珠 10‑20份,膨胀珍珠岩 8‑15份,蓝晶石 5‑10份,广西白泥 5‑8份,复合增强助剂 4‑8份,外...
  • 本发明公开了一种氟金云母/硅酸盐玻璃/氧化锆可加工陶瓷的热压制备方法,属于陶瓷制备技术领域。按质量百分比,准备云母粉60%~70%,玻璃粉25%~35%,ZrO23%~7%。球磨得到混合浆料,放入烘箱干燥、再研磨过筛。将所得粉体装模放入热压...
  • 本发明属于软磁铁氧体陶瓷材料技术领域,具体涉及一种用于高频率的高磁导率高阻抗锰锌铁氧体材料及其制备方法。所述用于高频率的高磁导率高阻抗锰锌铁氧体材料,包括主成分和微量添加剂:所述主成分以氧化物计,由Fe2O3 48.0‑52.0mol%、M...
  • 本发明涉及一种多孔荧光陶瓷材料的制备方法。以LuAG : Ce3+粉体为发光基质、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)球形颗粒为造孔剂,通过硅烷偶联剂改性PMMA、LuAG : Ce3+粉体预处理及原位静电吸附复合,经干压‑冷等静压成型、两步烧结制...
  • 本发明属于电子功能材料与器件技术领域,具体涉及一种具有宽温区负电卡效应的PZT基复合薄膜,其依次由TiO2组分层、Hf0.5Zr0.5O2组分层、PbO组分层与PbZrxTi1‑xO3组分层交替叠加得到,所述x表示摩尔分数,0.20 ≤ x...
  • 本发明公开了一种纳米级钛酸钡的固相制备方法,属于高性能陶瓷粉体制备技术领域,包括:按照摩尔比1 : 1称量BaCO3和纳米TiO2作为原料,将原料投入球磨罐中,加入球磨介质,并加入去离子水,将原料球磨分散,得到浆料;将浆料干燥后研磨成粉末制...
  • 本发明公开了一种钛酸铋钠基高熵储能陶瓷材料及其制备方法和在电容器中的应用,属于电介质储能材料技术领域。钛酸铋钠基高熵储能陶瓷材料的化学表达式为:(Bi2/9Na2/9Sr2/9Sm2/9)(Ti1‑xNbx)O3,其中,x为0.1~0.4。...
  • 本发明公开了一种凝胶注模成型氧化锆的方法及氧化锆陶瓷,属于陶瓷成型技术领域。氧化锆陶瓷由固含量为70wt%‑80wt%,粘度为30‑100mPa•s的预混液注塑成型得到;预混液包括氧化锆粉体和固化剂,固化剂包括壳聚糖与海藻酸钠。本发明应用于...
  • 本发明提供一种氧化锆陶瓷牙周夹板的制备方法,包括以下步骤:制备具有氧化锆粉与醚类有机溶剂的陶瓷浆料;根据患者口内扫描数据,设计贴合患者牙齿舌侧形态的牙周夹板三维数字模型;将陶瓷浆料置入喷墨3D打印设备,将陶瓷浆料与支撑材料同步喷射,逐层打印...
  • 本发明属于陶瓷材料制备技术领域,具体为一种掺杂改性的铌酸铋钙基陶瓷材料及其制备方法和应用,其化学通式为:Ca1‑X(MaCebNdc)XBi2Nb1.96W0.04O9,其中,0.005≤x≤0.04,M代表碱金属元素,0
  • 本发明公开了一种Ca2V2O7基微波介质陶瓷及其制备方法,属于电子陶瓷技术领域,本发明以Ni2+对Ca2V2O7基的A位进行掺杂改性,从晶体结构与物相组成层面同步优化其烧结特性与介电损耗,通过精准的离子取代实现陶瓷烧结温度的有效降低与品质因...
  • 本发明涉及一种GeTe基热电材料的致密化方法。所述致密化方法包括:先将GeTe基热电材料的粉体进行冷压成型,然后在氩气气氛下进行常压烧结,制备得到致密的GeTe基热电材料。本发明提供的致密化方法具有操作简易、效率高的优势,简化了GeTe基热...
  • 本申请公开了一种GeTe基热电材料及其制备方法、热电臂、热电制冷器件,属于热电材料领域,其中,所述GeTe基热电材料的化学通式为Ge1‑x‑y‑zAgxSbyBizTe;其中,0 < x ≤ 0.25, 0 < y ≤ 0.25, 0 < ...
  • 本发明公开了一种高热电性能的Bi2Te3基材料及其制备方法。所述方法先采用水热法合成Bi2Te3基纳米晶粉末,再将具有高离子导性电性和纳米多孔结构的X型沸石分子筛均匀的引入到Bi2Te3基粉末中,利用放电等离子烧结技术使粉末快速烧结致密从而...
  • 本发明公开了一种碳化硅包壳及其制备方法和应用,涉及碳化硅包壳技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:在芯模表面进行纤维预制体织造和纤维肋编织,得到带肋预制体;所述带肋预制体经过界面层制备、碳化硅填充和碳化硅沉积后,得到所述碳化硅包壳。本发明...
  • 本发明公开了一种碳化硅包壳及其制备方法和应用,涉及碳化硅包壳制备技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:在无肋碳化硅包壳外侧织造纤维肋;对所述纤维肋进行固定、成型,在无肋碳化硅包壳的端塞部位进行致密化处理、碳化硅沉积,得到所述碳化硅包壳;所...
  • 本发明公开一种L型碳化硅横梁制造方法,涉及碳化硅陶瓷技术领域。该方法包括浆料制备与脱气、坯体成型与干燥、支撑托架制备、反应烧结、精密加工步骤。通过粗细配比碳化硅粉搭配反应烧结工艺,结合真空‑超声协同脱气、精准控温干燥及与坯体热膨胀匹配的支撑...
  • 本公开提出一种基于聚碳硅烷改性的高钙灰光固化增韧SiC陶瓷及其制备方法。制备方法包括:将低碱度高钙灰与PCS球磨复合处理,同时加入催化剂,使PCS均匀包裹低碱度高钙灰颗粒,得到PCS封装改性的高钙灰复合粉体;将高钙灰复合粉体和SiC粉末混合...
  • 本发明公开了一种无结合剂多晶立方氮化硼烧结体的制备方法,其通过PEG/PVA对微米cBN表面改性,促使hBN均匀包覆其上,形成核壳结构前驱体;经真空脱除有机物后,在7–10 GPa、1600–2000℃下烧结,hBN原位转化为纳米cBN并与...
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