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最新专利技术
  • 一种基于激光干涉测量的高精度晶圆切割设备
    一种基于激光干涉测量的高精度晶圆切割设备_常州泓承电子有限公司_202511697687.3
    本发明提供一种基于激光干涉测量的高精度晶圆切割设备，涉及晶圆切割领域。该基于激光干涉测量的高精度晶圆切割设备，包括用于承载晶圆的承载台，以及用于测量承载台位移的激光干涉仪，承载台根据与晶圆的移动关系分为固定部和移动部，激光干涉仪测量固定部和...
    2026-04-21
  • 一种基于侧面各向异性腐蚀与应力剥离的超薄SOI结构制备方法
    一种基于侧面各向异性腐蚀与应力剥离的超薄SOI结构制备方法_苏州研材微纳科技有限公司_202512006049.9
    本发明属于半导体制造技术领域，特别的，属于一种基于侧面各向异性腐蚀与应力剥离的超薄SOI结构制备方法。制备步骤：通过热氧化和键合的方式，形成叠层结构的初始晶圆；其中，叠层结构包括硅衬底、埋氧层、顶层硅；在初始晶圆的侧面进行光刻，定义出用于腐...
    2026-04-21
  • 一种提高划片质量的划片控制方法及系统
    一种提高划片质量的划片控制方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202512015488.6
    本发明公开了一种提高划片质量的划片控制方法及系统，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：基于目标晶圆的实测属性信息和划片机设备属性信息从预构建的划片参数库中匹配获取第一、第二划片作业的第一、第二基准划片参数；进行第一划片作业模拟，得到预测浅切...
    2026-04-21
  • 一种改善光阻去除前后晶片表面电荷的方法
    一种改善光阻去除前后晶片表面电荷的方法_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202411368352.2
    本发明公开了一种改善光阻去除前后晶片表面电荷的方法，其包括用正电荷溶液清洗中和光阻上表面负电荷后，再进行光阻定义图案和刻蚀。本发明在上光阻前对晶片表面进行清洗去除表面电荷，可改善刻蚀后凹陷的问题，具体地，通过正电荷溶液清洗中和光阻上表面负电...
    2026-04-21
  • 半导体清洗设备和清洗方法
    半导体清洗设备和清洗方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411390809.X
    本发明公开一种半导体清洗设备和清洗方法，所公开的半导体清洗设备包括基座、第二喷淋装置和多个第一喷淋装置，所述基座用于承载晶圆；所述多个第一喷淋装置沿所述基座的升降方向间隔分布，所述第一喷淋装置用于在所述基座承载所述晶圆移动至相应的清洗位置时...
    2026-04-21
  • 一种半导体清洗方法
    一种半导体清洗方法_重庆芯联微电子有限公司_202511686705.8
    一种半导体清洗方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有去膜后残留的第一污染物；步骤S2：采用驻极体装置对半导体衬底进行预处理，去除第一污染物；步骤S3：通过RCA标准清洗法对半导体衬底进行湿法清洗；步骤S4：干燥半导体衬底。...
    2026-04-21
  • 一种摆动式的硅片槽式清洗机
    一种摆动式的硅片槽式清洗机_武汉工程大学_202511738284.9
    本发明涉及硅片生产技术领域，具体的公开了一种摆动式的硅片槽式清洗机，包括清洗机主体，所述清洗机主体包括清洗板。本发明中放置板在摆动过程中带动其上放置的晶舟同时发生摆动下降运动，从而对晶舟内盛放的硅片产生一定的摆动振动，可使得晶舟内盛放的硅片...
    2026-04-21
  • 一种干法刻蚀预处理方法
    一种干法刻蚀预处理方法_北京空间机电研究所_202511829714.8
    本发明公开了一种干法刻蚀预处理方法，包括：使用高纯氮气对材料样品表面进行物理点吹，以去除残余粉尘颗粒；使用等离子体清洗设备对材料样品表面进行清洗，去除有机物残余；将材料样品放入烘箱中烘烤干燥，去除材料表面的水汽；再次使用高纯氮气枪对材料表面...
    2026-04-21
  • 一种晶片清洗工艺
    一种晶片清洗工艺_江苏浩都频率科技有限公司_202610148489.X
    本发明涉及一种晶片清洗工艺，属于晶片清洗技术领域，通过晶片清洗系统操作，包括如下步骤；步骤1、来料输送；通过第一输送机将晶片输送至清洗机进料侧；步骤2、清洗机上料；通过第一机械手将第一输送机上的晶片输送至清洗机的上料位置，再通过清洗机自带的...
    2026-04-21
  • 步进式激光退火设备及步进式激光退火方法
    步进式激光退火设备及步进式激光退火方法_上海芯上微装科技股份有限公司_202411350367.6
    本发明提供步进式激光退火设备及步进式激光退火方法，激光单元用于提供对晶圆进行退火的激光光源；空间光调制器用于根据晶圆的退火区域调制激光光源的光斑形貌，以根据空间光调制器调制后的光斑形貌对晶圆进行退火。空间光调制器进行光斑形貌的调制输出，使得...
    2026-04-21
  • 一种半导体处理设备中的基片支撑座温度控制方法和系统
    一种半导体处理设备中的基片支撑座温度控制方法和系统_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411382903.0
    一种半导体处理设备中的基片支撑座温度控制方法和系统，电阻测量模块在线测量加热电阻的当前阻值，阻值核验模块根据加热电阻的当前阻值和初始阻值计算加热电阻的阻值变化率，变化率小于或等于阈值时，将当前阻值作为加热电阻的更新阻值保存至阻值更新模块，温...
    2026-04-21
  • 晶圆测试系统及晶圆测试方法
    晶圆测试系统及晶圆测试方法_上海光通信有限公司_202411386517.9
    本申请提供一种晶圆测试系统及晶圆测试方法，涉及晶圆测试技术领域，用于解决晶圆测试过程中存在晶圆被污染及破损的风险从而影响晶圆测试准确度的技术问题，该晶圆测试系统包括：入料仓，入料仓用于接收待测试晶圆；至少两个测试台，测试台用于对晶圆进行测试...
    2026-04-21
  • 刻蚀机台挡控片更换方法、挡控片更换的控制方法及设备
    刻蚀机台挡控片更换方法、挡控片更换的控制方法及设备_上海光通信有限公司_202411386533.8
    本申请提供一种刻蚀机台挡控片更换方法、挡控片更换的控制方法及设备，将机台内的挡控片划分为多组挡控片，记录机台内每组挡控片中各个挡控片的使用次数，至少一组控片组中存在使用次数达到最大上限的挡控片时，刻蚀机台接收对应数量的新的控片组，并利用新的...
    2026-04-21
  • 进气装置及热处理设备
    进气装置及热处理设备_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202411388200.9
    本公开提供一种进气装置及热处理设备。进气装置设置在热处理设备的反应腔的进气侧，进气装置包括进气端口和气体导引部分。进气端口连接气体源以将气体输送到反应腔中实施热处理。气体导引部分与进气端口连通，气体导引部分被定位在反应腔内，并且包括沿第一方...
    2026-04-21
  • 工艺腔室、半导体工艺设备及半导体器件的制备方法
    工艺腔室、半导体工艺设备及半导体器件的制备方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411391190.4
    本申请提供了一种工艺腔室、半导体工艺设备及半导体器件的制备方法，该工艺腔室包括第一工艺腔室、第二工艺腔室和多个顶针机构；第二工艺腔室的侧壁与第一工艺腔室的底壁的部分合围形成顶部具有传输口的筒状结构；第一工艺腔室和第二工艺腔室对晶片执行不同的...
    2026-04-21
  • 一种陪片管理方法及系统
    一种陪片管理方法及系统_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411391464.X
    本申请提供一种陪片管理方法及系统，包括：获取生产线内的陪片安存数量以及当前陪片数量；在当前陪片数量小于陪片安存数量时，生成陪片需求信息(包括陪片属性和待运输陪片数量)；基于陪片需求信息，生成陪片运输指令，以指示物料运输系统采用陪片属性对应的...
    2026-04-21
  • 一种半导体工艺设备和一种半导体工艺设备的控制方法
    一种半导体工艺设备和一种半导体工艺设备的控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411392285.8
    本发明实施例提供了一种半导体工艺设备和一种半导体工艺设备的控制方法，包括：工艺腔室，与工艺腔室连通的压力检测模块，和控制模块；压力检测模块，用于在工艺任务开始前检测大气压力；控制模块，用于获取工艺腔室中的工件进行工艺任务的预设工艺配方，包括...
    2026-04-21
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_芝浦机械电子株式会社_202511151315.0
    本发明提供一种抑制供给至基板的下表面的处理液的温度降低的基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(1)包括：旋转保持部(10)；下表面喷出喷嘴(32)；下表面供给管(33)；加热部(35)；流量调整部(38)；以及控制装置(40)，控制装置...
    2026-04-21
  • 处理液调整装置、基板处理装置及处理液调整方法
    处理液调整装置、基板处理装置及处理液调整方法_芝浦机械电子株式会社_202511213237.2
    本发明提供一种处理液调整装置、基板处理装置及处理液调整方法，其中，可在短时间内获得溶解有二氧化硅的所期望的温度的磷酸溶液。实施方式为一种处理液调整装置，其与基板的处理装置连接，所述处理液调整装置具有：新液供给控制部，使处理液供给部向调整箱内...
    2026-04-21
  • 基板处理装置
    基板处理装置_芝浦机械电子株式会社_202511338052.4
    本发明提供一种可抑制从对基板进行处理的处理室排出到基板处理装置外的气体中包含微粒的基板处理装置。实施方式的基板处理装置包括：处理室(50)，构成对基板(W)进行处理的空间；旋转保持部(10)，对基板(W)进行保持并使其旋转；处理液供给部(2...
    2026-04-21
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