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最新专利技术
  • 车辆电子模块
    车辆电子模块_康诺特电子有限公司_202480054481.6
    本发明涉及一种车辆电子模块(1)，包括：‑ 壳体(2)；‑ 第一电子单元(3)和第二电子单元(4)；‑ 冷却单元(5)，其布置在壳体(2)中并且布置在第一电子单元(3)和第二电子单元(4)之间；和‑ 移动装置(7)；其中，‑ 通过移动装置(...
    2026-04-02
  • 用于工业处理组件优选是等离子体处理组件或加热组件的电力转换器
    用于工业处理组件优选是等离子体处理组件或加热组件的电力转换器_通快霍廷格两合公司_202480054939.8
    提出了用于工业处理组件(1)、优选是等离子体处理组件或加热组件的电力转换器(4)，该电力转换器包括：‑ 散热器(5, 85)；以及‑ 待冷却单元(10)，该待冷却单元特别是电气单元、优选是半导体组件，优选地包括功率半导体部件，其中，待冷却单...
    2026-04-02
  • 用于可释放地固定至冷却单元的散热器以及具有可释放地可固定的散热器的冷却单元
    用于可释放地固定至冷却单元的散热器以及具有可释放地可固定的散热器的冷却单元_通快霍廷格两合公司_202480055226.3
    本发明涉及散热器，该散热器用于冷却待冷却单元、特别是电子单元、优选是半导体组件。散热器具有冷却通道和第一冷却壁，该第一冷却壁布置在面向待冷却单元的冷却通道面上。散热器附加地包括冷却剂供给部和冷却剂排出部，冷却剂供给部和冷却剂排出部两者与冷却...
    2026-04-02
  • 散热机构及其制造方法
    散热机构及其制造方法_株式会社KMW_202480055289.9
    本发明涉及一种散热机构及其制造方法，根据本发明的散热机构包括：导热板主体，在内部形成有预定厚度的制冷剂流动空间，以通过一表面和另一表面释放热量，其中，所述导热板主体包括：真空化部，设置为相对于所述一表面和所述另一表面中的一个与所述制冷剂流动...
    2026-04-02
  • 电子控制装置和电子控制装置的制造方法
    电子控制装置和电子控制装置的制造方法_安斯泰莫株式会社_202380101901.7
    本发明的电子控制装置包括：能够搭载电子部件的、形成有接地图案的电路板；收纳电路板的导电性的壳体；和电磁波屏蔽材，其配置在电路板的接地图案与壳体之间，将接地图案与壳体电连接。电路板或壳体具有能够被电磁波屏蔽材按压的导体基准面、以及与导体基准面...
    2026-04-02
  • 电磁波吸收片
    电磁波吸收片_麦克赛尔株式会社_202480052866.9
    实现在从数百GHz到太赫兹频带的高频带中具有多个电磁波吸收频带且各自的电磁波吸收频带的带宽大的电磁波吸收片。电磁波吸收片是从电磁波入射面侧起依次层叠有第一电介质层、电阻层、第二电介质层和反射层的电磁波吸收片，在将所述第一电介质层的介电常数设...
    2026-04-02
  • 元件安装管理系统、元件安装机及方法
    元件安装管理系统、元件安装机及方法_株式会社富士_202380101782.5
    元件安装管理系统具备元件安装机和管理元件安装机的管理装置。元件安装机具备：元件安装部，能够执行将元件安装于基板的安装处理；存储部，存储与用于执行安装处理的该元件安装机的性能相关的信息；及发送部，将存储于存储部的信息向管理装置发送。管理装置具...
    2026-04-02
  • 用于减少卡阻的承载带系统及链轮
    用于减少卡阻的承载带系统及链轮_通用仪器公司_202480056090.8
    一种拣取和放置系统，包括：承载带径向进料器和被配置来在所述组件切割和/或放置位置处拣取所述承载带的所述多个组件中的一个组件的拣取头。所述承载带径向进料器包括：驱动链轮，其具有多个链轮齿；组件切割和/或放置位置，其包含模具基准面；以及下拉机构...
    2026-04-02
  • 3D单元和阵列结构
    3D单元和阵列结构_NEO半导体公司_202480051111.7
    公开了各种3D单元、阵列结构和工艺。在实施例中，提供了一种存储单元阵列结构，该存储单元阵列结构包括被组织成多行和多列的存储单元、输入线(其中每个输入线连接到选定行中的存储单元，并且这些输入线形成输入线组)和输出线(其中每个输出线连接到选定列...
    2026-04-02
  • 管理半导体装置中的连接结构
    管理半导体装置中的连接结构_长江存储科技有限责任公司_202480003303.0
    本公开内容涉及用于管理半导体装置中的连接结构的方法、装置、系统和技术。示例半导体装置包括沿着第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体和沿着第一方向彼此交替的电介质层和隔离层的第二堆叠体。半导体装置还包括沿着垂直于第一方向的第二方向在第一...
    2026-04-02
  • 包括具有纳米晶体的耗尽层的非易失性存储器和相关方法
    包括具有纳米晶体的耗尽层的非易失性存储器和相关方法_阿托梅拉公司_202480055180.5
    一种存储器装置可以包括位于半导体基板上的存储器单元的阵列。每个存储器单元可以包括：第一阱，位于半导体基板中，具有第一导电类型；第二阱，与第一阱相邻并具有第二导电类型，并且与第一阱限定耗尽层；以及纳米晶体，位于耗尽区中，每个纳米晶体包括半导体...
    2026-04-02
  • 三维半导体装置及其制造方法
    三维半导体装置及其制造方法_长江存储控股股份有限公司_202580001273.4
    提供了半导体装置的系统、装置和制造方法。在一个方面，半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括存储器阵列。存储器阵列包括沿第一方向堆叠的第一存储器子阵列和第二存储器子阵列。第一存储器子阵列的第一行存储器单元和第二存储器...
    2026-04-02
  • 具有双向双基极双极结型晶体管的混合开关电路
    具有双向双基极双极结型晶体管的混合开关电路_理想能量有限公司_202480050587.9
    公开了一种用于将两个电路端子耦合在一起的混合开关电路。所述混合开关电路包含耦合在第一电路端子与第二电路端子之间的一组双向开关装置。所述混合开关电路还包含也耦合在所述第一电路端子与所述第二电路端子之间的一组单向开关装置。在一些情况下，所述一组...
    2026-04-02
  • 垂直场效应装置及其制造方法
    垂直场效应装置及其制造方法_埃德迪私人有限责任公司_202480041353.8
    本发明关于一种垂直场效应晶体管(FET)。根据本发明的垂直FET包括基板及配置为晶体管的源极或漏极的第一电极。所述装置包括配置为晶体管的源极及漏极中的另一个的第二电极，第二电极至少部分地在重叠区域与所述第一电极重叠。此外，所述装置包括夹在第...
    2026-04-02
  • 半导体装置的制造方法以及半导体装置
    半导体装置的制造方法以及半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480054614.X
    本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够实现终端区域的宽度的缩小和终端区域中的电场的缓和。该半导体装置在有源区域的周边且在具有第一导电型的第一半导体区域的表面具有终端区域，该终端区域形成有作为降低表面电场区域发挥功能的具有第二导电型的多个...
    2026-04-02
  • 电力转换装置
    电力转换装置_株式会社日立制作所_202480052161.7
    电力转换装置具备：半导体封装件，其具有半导体元件，分别构成上下臂电路；以及布线基板，其具有布线层，将所述布线层和所述半导体封装件的一个表面电连接，所述半导体封装件具有第一导体和第二导体，所述第一导体与形成在所述半导体元件的一个表面上的主电极...
    2026-04-02
  • 邻接电源域以减小芯片区域的域合并单元
    邻接电源域以减小芯片区域的域合并单元_高通股份有限公司_202480052127.X
    一种芯片包括合并单元，该合并单元包括：第一p型扩散长度(LOD)区，该第一p型扩散长度(LOD)区在第一方向上延伸；第一n阱，该第一n阱位于第一p型LOD区下方；第一供电轨，该第一供电轨被配置为接收第一供电电压；和第一n抽头，该第一n抽头将...
    2026-04-02
  • 垂直微腔(VMC)及其用于发电的方法
    垂直微腔(VMC)及其用于发电的方法_亚当系统技术有限公司_202480052996.2
    一种光电电源，包括一个或更多个光子捕获和存储结构，该一个或更多个光子捕获和存储结构被配置用于在基本上与重力场的方向重合的方向上来回反弹被捕获在其真空腔内的光子；以及至少部分地包裹该一个或更多个光子捕获和存储结构的光换能器材料/层，用于从光子...
    2026-04-02
  • 具有层压在嵌装玻璃内部的电气装置的层压式嵌装玻璃
    具有层压在嵌装玻璃内部的电气装置的层压式嵌装玻璃_旭硝子欧洲玻璃公司_202480054800.3
    本发明涉及一种层压式嵌装玻璃(1)，该层压式嵌装玻璃包括第一片材(11)和第二片材(12)以及作为粘合层的至少一个夹层(13)；电气装置(14)，该电气装置具有在该嵌装玻璃(1)内部层压在两个夹层(13)之间的多于一个端部连接器(141)。
    2026-04-02
  • 光检测装置和固态成像装置
    光检测装置和固态成像装置_索尼半导体解决方案公司_202480055987.9
    根据本公开实施例的光检测装置包括第一半导体层、浮动扩散层、第一晶体管和第一配线。第一半导体层具有彼此相对的第一表面和第二表面，且包括埋入在每个像素中的光电转换器。浮动扩散层埋入在第一半导体层的第一表面中，具有与第一表面齐平或突出于第一表面的...
    2026-04-02
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