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最新专利技术
  • 基板处理装置及利用此的基板处理方法
    基板处理装置及利用此的基板处理方法_圆益IPS股份有限公司_202411877055.0
    本发明提出一种基板处理装置，包括：承载台部，往返移动于接收区域与处理区域之间，支撑基板；下部支撑部，在运送臂部及承载台部之间交换基板时利用接触并支撑基板处理面的支撑位置的支撑销将基板紧贴于承载台部；支撑位置包括外廓支撑位置与内侧支撑位置；下...
    2026-04-16
  • 一种芯片中转装置及生产设备
    一种芯片中转装置及生产设备_苏州博众半导体有限公司_202511981131.7
    本发明属于生产设备技术领域，公开了一种芯片中转装置及生产设备。芯片中转装置包括架体、中转台、旋转机构、翻转台以及翻转机构。本发明提供的芯片中转装置通过将芯片翻转功能分配至翻转台与翻转机构，角度校正功能分配至中转台与旋转机构，使拾取头仅需完成...
    2026-04-16
  • 一种可变角度并可自公转的晶圆基座装置
    一种可变角度并可自公转的晶圆基座装置_无锡吴越半导体有限公司_202511984771.3
    本发明公开了一种可变角度并可自公转的晶圆基座装置，属于晶圆基座技术领域，包括公转座，所述公转座顶部中心处固定连接有齿轮架，所述齿轮架上方设置有基座。本发明中，外部供液装置将冷却水通过冷却水进水管输送至连接座内部，使连接座内部的斜形叶片带动驱...
    2026-04-16
  • 一种ESOP器件裸露焊盘的保护方法
    一种ESOP器件裸露焊盘的保护方法_郑州兴航科技有限公司_202511991478.X
    本发明公开了一种ESOP器件裸露焊盘的保护方法。本发明提供的方法是提供与ESOP器件的引线框架匹配的夹具板，在夹具板上设有与ESOP器件的焊盘位置匹配的阵列式凹槽；在夹具板的边框上设置若干个胶块；ESOP器件正面向上，将ESOP器件的引线框...
    2026-04-16
  • 一种顶针构件及等离子体处理设备
    一种顶针构件及等离子体处理设备_上海谙邦半导体设备有限公司_202610226477.4
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种顶针构件及等离子体处理设备，包括固定基座、支撑杆、顶针本体、支撑部和卡接凸起部，固定基座设于工艺腔体的内壁上，固定基座从顶端面向底端面并沿其轴向凹陷有安装槽；支撑杆同轴活动设于安装槽内；支撑部活动...
    2026-04-16
  • 一种高度可调式顶针构件及晶圆处理设备
    一种高度可调式顶针构件及晶圆处理设备_上海谙邦半导体设备有限公司_202610226482.5
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种高度可调式顶针构件及晶圆处理设备，包括固定支架、螺纹杆、顶针本体、顶针套体和调节件；顶针套体设有自顶部向底部的方向凹陷的安装槽；调节件转动设置于安装槽的开口端；顶针本体沿轴向活动设于安装槽内，顶针...
    2026-04-16
  • 基板承载治具及其使用方法、传送装置
    基板承载治具及其使用方法、传送装置_广州国显科技有限公司_202511866839.8
    本公开提供一种基板承载治具及基板承载治具的使用方法、传送装置，该基板承载治具包括承载部、设置在承载部一侧的吸附部和驱动部，吸附部包括气囊以及与气囊连通的吸盘，气囊具有第一形态、第二形态和第三形态，气囊在第一形态时的体积大于气囊在第二形态时的...
    2026-04-16
  • 一种用于测量电阻段有效宽度的电学测试结构及计算方法
    一种用于测量电阻段有效宽度的电学测试结构及计算方法_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202411336559.1
    本发明涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种用于测量电阻段有效宽度的电学测试结构，其中，电阻段包括第一宽度段和第二宽度段，第一宽度段在远离第二宽度段的一端设置有第一端极、第二端极，第一宽度段和第二宽度段连接处设置有第三端极，第二宽度段在远离...
    2026-04-16
  • 信号线修复方法、装置以及封装结构
    信号线修复方法、装置以及封装结构_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511922978.8
    本公开涉及一种信号线修复方法、装置以及封装结构。该方法包括：对封装结构中的信号线进行检测，封装结构中设置有一个或多个凸块区域，每个凸块区域包括多个凸块阵列，每个凸块阵列包括多个凸块且同一凸块区域中各凸块阵列中凸块的数量相同，每个凸块区域中的...
    2026-04-16
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610243328.9
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：多个并列设置的半导体器件，每个所述半导体器件包括设置在衬底内的至少一个第一阱区和设置在所述衬底上的金属互连结构，所述金属互连结构设置在介质层内；第二阱区，设置在相邻所述半导体器件的所述第...
    2026-04-16
  • 膜层厚度量测方法及其装置、计算机设备和存储介质
    膜层厚度量测方法及其装置、计算机设备和存储介质_上海光通信有限公司_202411283267.6
    本公开涉及一种膜层厚度量测方法及其装置、计算机设备和存储介质。该膜层厚度量测方法，包括：获取栅氧层的厚度变化曲线，所述厚度变化曲线用于表征栅氧层随等待时间变化的厚度变化；依序沉积栅氧层和待测栅极层；获取栅氧层和待测栅极层的总厚度；基于所述总...
    2026-04-16
  • 半导体结构制备方法与半导体设备
    半导体结构制备方法与半导体设备_上海光通信有限公司_202411357041.6
    本申请提供一种半导体结构制备方法与半导体设备，方法包括在当前晶圆上形成图案结构，获取当前晶圆各个预设分区内图案结构的关键尺寸，根据位于当前晶圆各个所述预设分区的图案结构的关键尺寸，对当前晶圆每一所述预设分区上形成所述图案结构的工艺分别进行调...
    2026-04-16
  • 一种半导体结构的测试方法
    一种半导体结构的测试方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511665404.7
    本申请提供一种半导体结构的测试方法, 测试方法包括：提供形成有预定厚度的介质层的衬底；对衬底执行至少一次第一处理，以去除部分介质层，第一处理包括：向化学气相分解机台以第一流速通入刻蚀气体，并通入吹扫气体；以第二流速继续向腔室通入刻蚀气体，对...
    2026-04-16
  • 硅中深能级复合中心的测量方法
    硅中深能级复合中心的测量方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511894082.3
    本发明提供一种硅中深能级复合中心的测量方法，提供一衬底，衬底中包括掺杂离子和深能级复合中心；形成外延层，外延层位于衬底上，外延层和衬底的掺杂类型相同且外延层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度，以及衬底中的深能级复合中心完全扩散至外延层中；制备肖特...
    2026-04-16
  • 运动台的误差补偿方法及装置
    运动台的误差补偿方法及装置_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511920004.6
    本申请涉及一种运动台的误差补偿方法及装置，方法包括在控制运动台移动以对第一待测工件进行检测的过程中，基于第一补偿表调整运动台移动到各第一位置的位移量，第一补偿表包括运动台移动至各第一位置所需调整的第一位移补偿量；基于检测过程中第一待测工件上...
    2026-04-16
  • 形成图案化结构的方法
    形成图案化结构的方法_南亚科技股份有限公司_202411581936.8
    本发明提供形成图案化结构的方法，包括以下操作。图案化在目标层上的光阻剂层以形成第一开口在图案化光阻剂层中。形成定向自组装层在图案化光阻剂层上及在第一开口中，其中定向自组装层中的定向自组装材料通过被图案化光阻剂层的极性度吸引而分离成在图案化光...
    2026-04-16
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610227349.1
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有氧化层；于氧化层上形成叠层的牺牲层及图案化的光刻胶层，并对牺牲层进行图形化处理，以暴露部分氧化层；进行第一次离子注入工艺，于所暴露的所述氧化层下方的所述衬底内注入离子；去除所...
    2026-04-16
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_成都高真科技有限公司_202511481923.8
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，半导体器件的制备方法包括：提供第一待刻蚀膜层；在第一待刻蚀膜层的一侧形成图案化的掩膜结构，掩膜结构开设有开口部，开口部暴露第一待刻蚀膜层，掩膜结构包括位于背离第一待刻蚀膜层的一侧的顶面；在掩...
    2026-04-16
  • 一种N面刻蚀工艺快速改善大尺寸氮化镓衬底弯曲和翘曲度的方法
    一种N面刻蚀工艺快速改善大尺寸氮化镓衬底弯曲和翘曲度的方法_山东大学_202511602297.3
    本发明属于半导体晶体加工技术领域，涉及一种通过N面刻蚀工艺快速改善大尺寸氮化镓衬底弯曲和翘曲度的方法。所述方法包括以下步骤：使用大粒径金刚石研磨液对GaN晶体进行粗磨找平减薄；使用小粒径金刚石研磨液对GaN衬底进行Ga面和N面研磨，降低表面...
    2026-04-16
  • 一种针对选择性原子层的修复工艺
    一种针对选择性原子层的修复工艺_上海晶准电子科技有限公司_202511757270.1
    本发明提供一种针对选择性原子层的修复工艺。所述修复工艺为：将半导体结构置于ALD反应腔体中，首先通入第一前驱体在金属互连线表面进行选择性吸附，再通入第二种前驱体与吸附于金属互连线表面的第一前驱体反应，重复选择性吸附和反应步骤，得到金属原子层...
    2026-04-16
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