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最新专利技术
  • 一种柔性高熵萤石型氧化物陶瓷气凝胶的制备方法
    一种柔性高熵萤石型氧化物陶瓷气凝胶的制备方法_中国科学院兰州化学物理研究所_202511938338.6
    本发明公开了一种柔性高熵萤石型氧化物陶瓷气凝胶的制备方法，属于先进陶瓷材料技术领域。所述方法首先选取包含Zr、Hf、Ce及至少两种其他稀土元素在内的至少五种金属元素，以其氯氧化物或氯化物为起始原料，通过乙酰丙酮和三乙胺反应合成金属有机聚合物...
    2026-04-20
  • 多元共掺石榴石固态电解质及其制备方法和应用
    多元共掺石榴石固态电解质及其制备方法和应用_武汉天石科丰新能源科技有限公司_202610068038.5
    本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了一种多元共掺石榴石固态电解质及其制备方法和应用，所述固态电解质具有如下化学式结构的化合物：(Li1+αA1m+t)(La3+3‑uD2+u)(Zr4+xHf4+yY3+zTa5+vMr+w)(O2‑12‑...
    2026-04-20
  • 一种钇铝石榴石前驱体光固化浆料及利用其制备多孔钇铝石榴石陶瓷的方法
    一种钇铝石榴石前驱体光固化浆料及利用其制备多孔钇铝石榴石陶瓷的方法_安徽工程大学_202511918829.4
    本发明公开了一种钇铝石榴石前驱体光固化浆料及利用其制备多孔钇铝石榴石陶瓷的方法，所述钇铝石榴石前驱体光固化浆料包括以下原料：由氧化铝和氧化钇组成的混合陶瓷粉体、光敏树脂和分散剂；其中混合陶瓷粉体中，氧化铝的质量百分比为42.9%，氧化钇的质...
    2026-04-20
  • 一种高损伤容限层状陶瓷及其制备方法
    一种高损伤容限层状陶瓷及其制备方法_松山湖材料实验室_202411343965.0
    本发明涉及层状陶瓷技术领域，尤其涉及一种高损伤容限层状陶瓷及其制备方法。所述高损伤容限层状陶瓷的组成元素包括M、O、B和C，所述高损伤容限层状陶瓷的晶体结构由包括M‑O层和B‑C层交替堆垛构成，所述高损伤容限层状陶瓷为半导体；其中，M为稀土...
    2026-04-20
  • 一种多元固溶的p型SnTe基热电材料及制备方法
    一种多元固溶的p型SnTe基热电材料及制备方法_西华大学_202511928478.5
    本发明涉及一种多元固溶的p型SnTe基热电材料及制备方法，所述SnTe基热电材料的化学通式为Sn1‑x‑yTe1‑xCdy(CuSbS2)x，其中0.05≤x≤0.2, 0≤y≤0.09。本发明的制备方法采用熔炼结合放电等离子烧结制备；本发...
    2026-04-20
  • 一种薄膜太阳能电池用靶材及其制备方法、应用
    一种薄膜太阳能电池用靶材及其制备方法、应用_有研资源环境技术研究院(北京)有限公司_202511993866.1
    本申请公开了一种薄膜太阳能电池用靶材及其制备方法、应用，以二元铜硒化合物为原料，按照Cu2+aSe3+b(‑1≤a≤0.5，‑2≤b≤0.5)的化学计量值称取原料；进行预处理，获得预处理粉体；将预处理粉体在惰性气氛下进行热压烧结处理，热压烧...
    2026-04-20
  • 一种取向纳米MAX相陶瓷的料浆真空吸注制备方法
    一种取向纳米MAX相陶瓷的料浆真空吸注制备方法_中国科学院金属研究所_202511722671.3
    本发明涉及陶瓷材料领域，具体为一种取向纳米MAX相陶瓷的料浆真空吸注制备方法。原料采用MAX相陶瓷的纳米片层粉体，粉体中MAX相陶瓷的纳米片层颗粒物片层长度满足在0.02～5微米之间，片层厚度满足5～500纳米之间，氧含量在0.01%～20...
    2026-04-20
  • 一种纳米硅反应烧结碳化硅承烧板及其制备方法
    一种纳米硅反应烧结碳化硅承烧板及其制备方法_郑州大学洛阳产业技术研究院_202610236463.0
    本发明属于耐火材料制备技术领域，具体是一种纳米硅反应烧结碳化硅承烧板及其制备方法，将0.5‑30 μm碳化硅粉体、1‑45 μm生物质炭和20‑200 nm纳米硅粉按一定质量配比进行球磨混合，随后干燥、研磨、过筛，得到细粉，将细粉压制成坯体...
    2026-04-20
  • 一种稀土氧化物改性陶瓷防热材料及其制备方法
    一种稀土氧化物改性陶瓷防热材料及其制备方法_厦门大学_202511656762.1
    本发明涉及一种稀土氧化物改性陶瓷防热材料及其制备方法，所述稀土氧化物改性陶瓷防热材料按质量百分比计包括以下组分：ZrB2为58%~78%，稀土氧化物12%~30%，碳化硅为10%~30%；本发明通过稀土氧化物改性二硼化锆，降低了陶瓷复合材料...
    2026-04-20
  • 一种静电卡盘陶瓷吸附层及其制备方法和静电卡盘
    一种静电卡盘陶瓷吸附层及其制备方法和静电卡盘_有研亿金新材料有限公司_202511884790.9
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种静电卡盘陶瓷吸附层及其制备方法和静电卡盘。本发明提供的静电卡盘陶瓷吸附层的制备方法包括：制备陶瓷浆料；将陶瓷浆料流延形成流延片；在流延片上印刷电极浆料；干燥，使电极浆料形成生电极；在生电极之间的间隙处填...
    2026-04-20
  • 全陶瓷质氮化铝静电卡盘及其制备方法
    全陶瓷质氮化铝静电卡盘及其制备方法_无锡海古德新技术有限公司_202512034171.7
    本发明属于半导体制造装备技术领域，具体是涉及全陶瓷质氮化铝静电卡盘及其制备方法。本发明通过采用氮化铝/金属陶瓷复合材料作为加热元件，与氮化铝基体进行结合，替代传统的金属加热元件；通过精确控制振荡压力与温度曲线，促进陶瓷颗粒重排与致密化，实现...
    2026-04-20
  • 一种高热导率六方氮化硼基复合薄膜及其制备方法
    一种高热导率六方氮化硼基复合薄膜及其制备方法_天津大学_202610243166.9
    本发明属于高性能热管理材料技术领域，公开了一种高热导率六方氮化硼基复合薄膜及其制备方法，复合薄膜由六方氮化硼(h‑BN)纳米片层和多羟基芳香族化合物经热处理后形成的石墨化碳质层组成，所述石墨化碳质层桥连于所述六方氮化硼纳米片层之间。制备方法...
    2026-04-20
  • 一种低含量烧结助剂氮化硅陶瓷及其制备方法
    一种低含量烧结助剂氮化硅陶瓷及其制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511976121.4
    本发明涉及一种低含量烧结助剂氮化硅陶瓷及其制备方法。所述氮化硅陶瓷是由包括Si3N4和烧结助剂作为起始原料经烧结制备得到；在起始原料中，所述Si3N4的质量百分比为97～99.6 wt%，所述烧结助剂的质量百分比为0.4～3 wt%；所述烧...
    2026-04-20
  • 电子陶瓷用高强度低残碳氮化硅陶瓷生坯制作方法
    电子陶瓷用高强度低残碳氮化硅陶瓷生坯制作方法_广东国研新材料有限公司_202512027285.9
    本发明公开一种电子陶瓷用高强度低残碳氮化硅陶瓷生坯制作方法，通过增加流延浆料内的PVB含量或者增大PVB的分子量来达到增加强度的目的，因为更大的PVB添加量和更高分子量的PVB能够增强生坯内PVB组成的三维网络结构，更大分子量的PVB和更多...
    2026-04-20
  • 一种高导热Si3N4陶瓷基板的制备方法
    一种高导热Si3N4陶瓷基板的制备方法_安徽工程大学_202511544406.0
    本发明公开了一种高导热Si3N4陶瓷基板的制备方法，涉及陶瓷材料成型领域。本发明先将硅粉、分散剂、粘结剂、增塑剂、复合烧结助剂在溶剂中混合均匀，经球磨制得浆料，将制得的浆料进行脱泡、流延、叠层后进行温等静压处理，氮化后烧结制得高导热Si3N...
    2026-04-20
  • 碳陶器皿及其制备方法
    碳陶器皿及其制备方法_浙江苏泊尔家电制造有限公司_202411364747.5
    本申请提出一种碳陶器皿及其制备方法，其中碳陶器皿的制备方法包括：将陶瓷胚体进行第一次抛光处理，得到抛光后的陶瓷胚体；将所述抛光后的陶瓷胚体进行烧结成型，得到烧结后的陶瓷胚体；将所述烧结后的陶瓷胚体进行液体渗碳和气体渗碳，得到至少部分孔隙内含...
    2026-04-20
  • 高精度石英坩埚及其制备与修补工艺
    高精度石英坩埚及其制备与修补工艺_无锡市尚领石英科技有限公司_202511797465.9
    本发明公开了高精度石英坩埚及其制备与修补工艺，涉及坩埚制备技术领域，制备步骤为：S1、准备材料，包括：耐火黏土100‑700份、石英砂20‑500份、二氧化锰10‑300份、氮化硅涂料20‑450份、碳纳米管10‑100份、粘结剂10‑30...
    2026-04-20
  • 一种节能低耗池底大砖及其制备方法
    一种节能低耗池底大砖及其制备方法_河南省恒力耐火材料有限公司_202511928002.1
    本发明提出了一种节能低耗池底大砖，由以下重量分数的原料制备：粒径5‑8mm的焦宝石8‑15份，粒径3‑5mm的焦宝石15‑30份，粒径1‑3mm的焦宝石10‑20份，粒径1mm以下的焦宝石10‑25份，煅烧ɑ‑氧化铝2‑6份，硬质矾土细粉2...
    2026-04-20
  • 低渗透性高抗渣侵性能的连铸用中包干式料及其制备方法与应用
    低渗透性高抗渣侵性能的连铸用中包干式料及其制备方法与应用_攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司_202511944600.8
    本发明属于耐火材料技术领域，尤其涉及一种低渗透性高抗渣侵性能的连铸用中包干式料及其制备方法与应用。与现有技术相比，本发明提供的连铸用中包干式料具有较低的孔隙度，降低覆盖剂熔渣渗透深度，减缓覆盖剂熔渣中的Al2O3与干式料中的SiO2和CaO...
    2026-04-20
  • 一种莫来石硅碳复合砖及其制备方法
    一种莫来石硅碳复合砖及其制备方法_郑州四季火耐火材料有限公司_202511988936.4
    本发明公开了一种莫来石硅碳复合砖及其制备方法，包括莫来石30份‑55份，烧结刚玉10份‑30份，SiC 5份‑20份，红柱石族矿物10份—35份，α‑Al2O3 3份‑10份，优质结合粘土3份‑7份，复合抗氧剂1份—5份。本发明的有益效果是...
    2026-04-20
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