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  • 提供能够使侧面电极的高度最大化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一框、第二框、第一半导体元件、线、以及封装部件。第二框在第一方向上与第一框对置地配置,并在上表面的第一框侧的端部具有台阶部。第一半导体元件配置于台...
  • 本公开内容提供了晶体管芯片封装。半导体封装包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的晶体管芯片,其中,晶体管芯片包括在第一侧上的第一负载电极和第二负载电极。该半导体封装包括面向晶体管芯片的第二侧的载体、横向布置在晶体管芯片旁边的第一端子柱和在相...
  • 本发明涉及半导体器件,更具体涉及芯片封装技术领域,且公开了一种超大功率扁平无引脚功率器件封装装置,包括焊盘基底,所述焊盘基底上设置有连接部,所述连接部上设置有抗震部,所述抗震部上设置有半导体部,所述半导体部上设置有散热部,所述散热部上安装有...
  • 本申请实施例提供一种半导体封装结构及半导体封装结构的制备方法,涉及半导体封装技术领域。在半导体封装结构中,芯片被设置在玻璃基板的玻璃基板通孔内,在玻璃基板的第一侧,位于不同芯片经由混合键合层通过硅桥相互连接。如此设计,一方面,芯片和硅桥通过...
  • 本发明的实施方式提供能够使性能提高的半导体装置。一个实施方式的半导体装置具有:第1导电部件;第2导电部件;半导体芯片,设置于所述第1导电部件与所述第2导电部件之间;第1连接部件,设置于所述半导体芯片与所述第2导电部件之间;以及薄膜,设置于所...
  • 抑制金属凸块的裂纹。实施方式的半导体装置具备:安装基板;封装基板,其在与安装基板的主面相交的第一方向侧与主面相对设置;金属凸块,其设置在安装基板的主面与封装基板之间;第一底部填料,从金属凸块看,该第一底部填料设置在沿着主面的第二方向侧;以及...
  • 本申请涉及半导体技术领域,公开了一种玻璃基板结构及其制备、封装方法和电子元件与集成电路,该玻璃基板结构包括:玻璃芯板;贯穿玻璃芯板的导电互连通道;位于玻璃芯板第一面的平行板电容和第一重布线结构;其中,平行板电容为铝基电容;位于玻璃芯板第二面...
  • 本申请实施例提供一种载板结构、载板结构的制备方法及移动终端。所述载板结构包括:基板,包括沿所述载板结构的厚度方向相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面中的至少一者设有第一凹槽,所述基板还包括至少一个贯穿所述第一表面和所述第...
  • 本发明提供一种芯片封装结构及其制作方法。芯片封装结构包括芯片接垫、多个输入/输出接垫、芯片、多个第一打线、封装胶体、防焊层、多个第一焊球以及多个第二焊球。输入/输出接垫配置于芯片接垫的周围。芯片配置于芯片接垫上。第一打线电性连接芯片与输入/...
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件包括:底部半导体层;掩埋介质层,位于所述底部半导体层上;晶体管结构,位于所述掩埋介质层上;绝缘隔离结构,位于所述晶体管结构的侧面,所述绝缘隔离结构向下延伸至所述掩埋介质层;导电结构,侧面被...
  • 提供能够抑制由引线的干涉引起的短路的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备:布线基板;第一半导体模块,其配置在所述布线基板的主面上,层叠有1个以上的第一半导体芯片;引线,其将所述1个以上的第一半导体芯片中的1个第一半导体...
  • 本发明公开了一种芯片扇出封装结构及其制作方法,包括:基板、钝化层、芯片、基板焊盘、芯片焊盘和塑封层,所述钝化层设置于所述基板的表面并预留有所述芯片贴装的区域,所述芯片贴装于所述基板的表面,所述芯片远离所述基板的一面设置有所述芯片焊盘,所述基...
  • 本发明公开了一种系统级扇出封装结构,包括:基板、基板焊盘、底层封装层和至少一层叠层封装层,所述底层封装层设置于所述基板与所述叠层封装层之间;所述底层封装层包括第一有机层、多个底层芯片和第一金属互连层;所述叠层封装层包括第二有机层、多个叠层芯...
  • 本发明公开了一种半导体芯片加工用贴片机构,涉及芯片加工技术领域,包括皮带、圆环、弹性伸缩板、圆柱和圆角块,所述皮带转动安装在底板的表面,所述圆环固定安装在滚柱的内部,所述弹性伸缩板固定安装在圆环的圆周面上,所述弹性伸缩板的内部开设有空槽,所...
  • 本发明提供一种能够提高性能的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备:第一导电部件;第二导电部件;半导体芯片,设置在所述第一导电部件与所述第二导电部件之间;以及第一连接部件,设置在所述半导体芯片与所述第二导电部件之间。所述第二导电部件具有连续...
  • 实施方式提供一种可靠性提高的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括:第1步骤,对半导体元件施加第1载荷以将半导体元件的凸块压抵于配线衬底,并且不对凸块施加超声波振动或者对凸块施加第1强度的超声波振动以使凸块变形;及第2步骤...
  • 本发明提出了一种功率半导体模块,该功率半导体模块具有基板,该基板具有法线方向并且具有呈半桥拓扑结构的电路布置结构,该功率半导体模块具有壳体,该壳体具有覆盖表面,并且该功率半导体模块具有第一直流电压负载端子、第二直流电压负载端子和交流电压负载...
  • 本发明涉及一种耐高温金钯合金凸块封装方法,步骤包括:S1、凸点制作:采用电镀的方式在芯片的表面制造金属凸块,金属凸块的材料为金钯合金,然后退火得到带凸点芯片,电镀液包括主盐、传导盐、膜硬度调节剂、结晶调节剂和pH调节剂,主盐包括氰化金钾和四...
  • 本发明的实施例提供一种半导体装置及其形成方法。在一些实施例中,半导体装置包括在第一半导体衬底上的第一互连结构,其中第一互连结构包括第一导电金属材料和环状结构。环状结构可延伸至第一导电金属材料上方或围绕第一导电金属材料。在一些实施例中,半导体...
  • 本发明公开了涉及芯片封装技术领域,具体为一种具有校准功能的芯片封装结构和封装工艺,包括芯片主体和贴合压紧组件,所述芯片主体的四侧均水平设有引脚连接条,引脚连接条内下端设有若干连接触点,在芯片引脚进行可拆卸组装式,通过排列条将芯片引脚进行逐个...
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