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最新专利技术
  • 一种具备人工凹槽的高温超导REBCO块材的制备方法
    一种具备人工凹槽的高温超导REBCO块材的制备方法_西南交通大学_202511619472.X
    本发明提供了一种具备人工凹槽的高温超导REBCO块材的制备方法，属于REBCO高温超导材料制备技术领域，包括：制作辅助制备结构；采用固相烧结法制备得到REBCO原料粉体并匀质混合得到前驱粉体组合；基于制作完成的辅助制备结构，使用前驱粉体组合...
    2026-04-12
  • 一种用于铸造法制备锗晶体的复合坩埚及制备方法和应用
    一种用于铸造法制备锗晶体的复合坩埚及制备方法和应用_浙大宁波理工学院_202511783289.3
    本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种用于铸造法制备锗晶体的复合坩埚及制备方法和应用。本发明利用高纯硅坩埚的高导热性、热稳定性和几何尺寸加工优势，在其内壁构筑原位过渡层与致密屏障层，有效避免了硅与熔融锗的互溶反应，降低了润湿性，减少了...
    2026-04-12
  • 一种用于液相法生长碳化硅单晶的装置及方法
    一种用于液相法生长碳化硅单晶的装置及方法_粤港澳大湾区(广东)量子科学中心_202511610940.7
    本发明公开一种用于液相法生长碳化硅单晶的装置及方法，涉及单晶生长技术领域，该装置包括：石墨桶；位于石墨桶内的敞口石墨坩埚；包覆在石墨桶外保温层，其包括石墨硬毡；位于石墨桶外同时位于保温层内的发热体；真空泵和硅蒸汽处理盒，硅蒸汽处理盒一端通过...
    2026-04-12
  • 一种磁场单晶炉电极升降隔磁机构
    一种磁场单晶炉电极升降隔磁机构_连科半导体有限公司_202511664691.X
    本发明属于晶体制造技术领域，具体的说是一种磁场单晶炉电极升降隔磁机构，包括坩埚，坩埚的底部固定安装有密封罩，密封罩的内部固定安装有炉底盘，炉底盘的内部对称固定安装有升降电机，升降电机的输出端对称设置有四个波纹管，四个波纹管的顶部均固定安装有...
    2026-04-12
  • 提高晶体生长厚度及质量均匀性的方法、修复方法及晶体
    提高晶体生长厚度及质量均匀性的方法、修复方法及晶体_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610091495.6
    本发明公开了一种提高晶体生长厚度及质量均匀性的方法、修复方法及晶体。该方法包括：提供助熔剂法液相外延生长III族氮化物晶体所需的生长体系，在熔融态生长原料的顶层部分和底层部分之间形成温度梯度，以在熔融态生长原料内形成熔融态生长原料以及氮源的...
    2026-04-12
  • 一种制备碳化硅晶体的装置、系统及方法
    一种制备碳化硅晶体的装置、系统及方法_北京北方华创真空技术有限公司_202511608522.4
    本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体涉及一种制备碳化硅晶体的装置、系统及方法。本发明采用“上感应、下电阻”的混合加热结构，即非均匀匝距感应线圈加热上部籽晶区，可独立控制的多区电阻加热组件加热下部原料区，解决了现有加热方式难以兼顾低能耗与原...
    2026-04-12
  • 一种制备大尺寸碳化硅单晶的装置及方法
    一种制备大尺寸碳化硅单晶的装置及方法_北京北方华创真空技术有限公司_202511627859.X
    本申请涉及晶体材料制备领域，尤其是涉及一种制备大尺寸碳化硅单晶的装置及方法。其包括一种制备大尺寸碳化硅单晶的装置，包括坩埚、籽晶托、加热机构、保温机构等，坩埚内有分隔片将其分为原料腔和生长腔等，还设置有增速导流环等结构；还包括使用该装置制备...
    2026-04-12
  • 恒温金属浴晶体生长装置及方法
    恒温金属浴晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511762658.0
    本发明提供了一种恒温金属浴晶体生长装置及方法，涉及碳化硅晶体生长领域，本装置采用金属浴的方式对坩埚进行加热，可以实现对坩埚轴向上和径向上各个部位的均匀加热，晶体的生长不再依赖温梯驱动，而是让碳化硅粉料升华后形成的长晶气相不定向流动以充满整个...
    2026-04-12
  • 一种分段式晶体生长装置及方法
    一种分段式晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511762669.9
    本发明实施例提供了一种分段式晶体生长装置及方法，涉及碳化硅长晶技术领域。分段式晶体生长方法应用于分段式晶体生长装置来生长碳化硅晶体，分段式晶体生长装置包括坩埚、多晶沉积组件、第一加热器及第二加热器。坩埚内的顶部设置有籽晶且坩埚内填充有长晶原...
    2026-04-12
  • 一种可持续生长超大厚度碳化硅晶体的方法
    一种可持续生长超大厚度碳化硅晶体的方法_嘉兴鬃晶科技有限公司_202511778326.1
    本发明涉及半导体材料的技术领域，具体为一种可持续生长超大厚度碳化硅晶体的方法，包括如下步骤，a.生长装置准备；采用带有分区加热模块的PVT电阻法生长炉制备碳化硅单晶；b.原料与籽晶预处理；将碳化硅粉末填充至坩埚内，并将籽晶固定在坩埚内的石墨...
    2026-04-12
  • 设有喷淋组件的半导体生长设备
    设有喷淋组件的半导体生长设备_申集半导体科技(徐州)有限公司_202610105952.2
    本发明提供了一种设有喷淋组件的半导体生长设备，包括工艺腔体、基座、旋转驱动组件、喷淋组件和压紧组件，基座设于工艺腔体内，且其承载面中部设有对接结构；旋转驱动组件与基座转动连接以驱动基座旋转，喷淋组件设于工艺腔体并延伸至工艺腔体内以与承载面相...
    2026-04-12
  • 单晶炉、单晶硅棒拉制方法以及硅片
    单晶炉、单晶硅棒拉制方法以及硅片_青海晶科能源有限公司_202511946541.8
    本申请涉及一种单晶炉、单晶硅棒拉制方法以及硅片，单晶炉包括：主炉体；坩埚，设于主炉体内；换热组件，包括换热屏以及第一气流通道，换热屏与主炉体的内壁围绕形成与坩埚连通的主拉晶通道，换热屏内形成有环绕主拉晶通道的液冷通道，液冷通道流通液冷介质；...
    2026-04-12
  • 一种高质量、大尺寸Cs2ZnCl4单晶及其水溶液生长方法与应用
    一种高质量、大尺寸Cs2ZnCl4单晶及其水溶液生长方法与应用_华北电力大学_202511777923.2
    本发明提供一种高质量、大尺寸Cs22ZnCl44单晶及其水溶液生长方法与应用。本发明在去离子水中通过调节溶液pH、生长温度、生长速度等参数，成功生长了高质量、大尺寸(>30×30×30 mm33)、具有自然晶面的Cs22ZnCl44单晶，其...
    2026-04-12
  • 一种锡掺杂氧化镓单晶材料的制备方法
    一种锡掺杂氧化镓单晶材料的制备方法_北京镓创科技有限公司_202511791404.1
    本发明申请属于半导体材料制备技术领域，特别涉及一种锡掺杂氧化镓单晶材料的制备方法。该方法包括烧结工序、装料工序、长晶工序和冷却工序，通过分段烧结的工艺以及优化掺杂成分的控制，最大程度解决了氧化锡的挥发以及包裹、粉料间团聚等问题，确保锡元素在...
    2026-04-12
  • 一种钛酸锶单晶颗粒及其制备方法与应用
    一种钛酸锶单晶颗粒及其制备方法与应用_中国科学院过程工程研究所_202511737582.6
    本发明提供了一种钛酸锶单晶颗粒及其制备方法与应用。所述钛酸锶单晶颗粒的暴露晶面包括(100)晶面和(111)晶面；且所述钛酸锶单晶颗粒呈锥形多面体结构。本发明提供的钛酸锶单晶颗粒呈锥形多面体结构，暴露晶面只有(100)晶面和(111)晶面，...
    2026-04-12
  • 一种金属催化剂辅助碳源裂解的高温气相化学长晶方法及设备
    一种金属催化剂辅助碳源裂解的高温气相化学长晶方法及设备_江苏超芯星半导体有限公司_202511656697.2
    本发明提供一种金属催化剂辅助碳源裂解的高温气相化学长晶方法及设备，长晶方法中制备高效的碳源催化裂解的金属催化剂，可以降低碳裂解温度，提高碳裂解效率，使得碳源与硅源气体同时裂解，降低能耗，提高晶体生长质量；同时在长晶设备设置独立的硅源进气通道...
    2026-04-12
  • 一种用于提升GaAs外延层均匀性的温度振荡生长方法
    一种用于提升GaAs外延层均匀性的温度振荡生长方法_山东华光光电子股份有限公司_202610113562.X
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种用于提升GaAs外延层均匀性的温度振荡生长方法，将GaAs衬底置于MOCVD反应室中进行氢气气氛热清洁；设定目标生长温度、气体流量及反应室压力等工艺参数；设定围绕目标生长温度进行周期性振荡的振幅与周...
    2026-04-12
  • 一种混合键合异硫氰酸盐非线性光学晶体及其制备方法
    一种混合键合异硫氰酸盐非线性光学晶体及其制备方法_安徽师范大学_202511796568.3
    本发明涉及非线性光学材料领域，公开了一种混合键合异硫氰酸盐非线性光学晶体及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将锌源溶解于去离子水中得到锌源溶液，将硫源溶解于去离子水中得到硫源溶液；将溶液混合并加热搅拌以形成[SZn44]共价核心前驱体悬浮液...
    2026-04-12
  • 非晶态的晶须材料及其制备方法
    非晶态的晶须材料及其制备方法_海南大学_202610084707.8
    本发明属于新型材料领域，公开了一种非晶态的晶须材料及其制备方法，所述的方法为Fe‑Cr‑B铸钢热浸镀Al‑Ga‑Si合金‑扩散热处理‑ZnCl22熔盐腐蚀。将Fe‑Cr‑B铸钢进行热浸镀Al‑Ga‑Si合金‑扩散热处理，进而在(Cr, Fe...
    2026-04-12
  • 一种半导体晶锭的激光改质方法及装置
    一种半导体晶锭的激光改质方法及装置_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511680951.2
    本申请提供了一种半导体晶锭的激光改质方法及装置，包括：确定半导体晶锭的小面区域；对半导体晶锭处于预设深度位置的材料层进行激光改质处理，包括：基于第一激光参数对小面区域内的材料层进行处理，基于第二激光参数对非小面区域内的材料层进行处理；第一激...
    2026-04-12
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