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最新专利技术
  • 一种具有低磁性金属化合物渗层的薄硅钢片及其制备方法与应用
    一种具有低磁性金属化合物渗层的薄硅钢片及其制备方法与应用_昆山博翊汇新材料有限公司_202511730758.5
    本发明公开了一种具有低磁性金属化合物渗层的薄硅钢片及其制备方法与应用，该具有低磁性金属化合物渗层的薄硅钢片以含硅量3.2‑3.4 wt%的冷轧无取向硅钢为基体，在其表面形成分布均匀、且厚度为10‑30微米的金属化合物渗层；薄硅钢片厚度为0....
    2026-03-10
  • 一种基于布朗气体的宽温域磁控溅射物理气相沉积设备及方法
    一种基于布朗气体的宽温域磁控溅射物理气相沉积设备及方法_珠海二四九五设备有限公司_202511887854.0
    本发明公开了一种基于布朗气体的宽温域磁控溅射物理气相沉积设备及方法，包括：布朗气体发生输送系统、火焰加热系统、真空系统、安全防控系统以及总控制系统；布朗气体发生输送系统包括电解制气单元、纯化模块与双输送回路；火焰加热系统包括靶材侧环形喷嘴、...
    2026-03-10
  • 钨第一壁的表面原位处理方法、钨第一壁和聚变装置
    钨第一壁的表面原位处理方法、钨第一壁和聚变装置_中国科学院合肥物质科学研究院_202610080074.3
    本申请公开了一种聚变装置的钨第一壁的表面原位处理方法，包括：将钨第一壁加热至预设温度区间，预设温度区间为[700℃，1300℃]。基于预设辐照模式，对预先注入的氦气进行处理，生成氦等离子体并控制氦等离子体到达钨第一壁的入射离子能量处于预设能...
    2026-03-10
  • 双驱动可变位真空镀膜机转架
    双驱动可变位真空镀膜机转架_北京中科科美科技股份有限公司_202610092431.8
    本发明涉及镀膜机转架技术领域，公开了双驱动可变位真空镀膜机转架，该转架包括传动轴、固定于其上的公转盘、套装于传动轴且具有上下层齿圈的复合齿轮、与下层齿圈啮合的驱动齿轮、转动连接于公转盘的行星传动组件、下端连接有传动齿轮的若干转动杆以及变位机...
    2026-03-10
  • 工艺环境的检测装置、薄膜沉积设备、方法及存储介质
    工艺环境的检测装置、薄膜沉积设备、方法及存储介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511966980.5
    本发明提供了一种工艺环境的检测装置、一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积方法及一种计算机可读存储介质。所述工艺环境的检测装置包括载盘及控制器。所述载盘包括多个复合检测模块。所述多个复合检测模块分布于所述载盘的多个位置，用于在所述载盘位于工艺腔室的...
    2026-03-10
  • 一种真空过渡室换样装置
    一种真空过渡室换样装置_南京艾德利智能装备有限公司_202511645155.5
    本发明涉及一种真空过渡室换样装置，包括，过渡室主体、磁流体密封机构、旋转机构、升降机构和转接法兰，所述过渡室主体上设置有连接窗口，所述转接法兰与连接窗口连接，所述过渡室主体内部设置有样品承载机构，所述样品承载机构包括旋转轴、轴承座和样品承载...
    2026-03-10
  • 碳纳米管-炭黑杂化结构的制备方法及其应用
    碳纳米管-炭黑杂化结构的制备方法及其应用_东莞瑞泰新材料科技有限公司_202511712990.6
    一种碳纳米管‑炭黑杂化结构的制备方法及其应用，碳纳米管‑炭黑杂化结构的制备方法包括如下步骤：(1)炭黑预处理：采用酸溶液对导电炭黑进行预处理；(2)催化剂负载：加入金属催化剂前驱体，使催化剂金属离子均匀吸附沉积在炭黑表面；(3)原位化学气相...
    2026-03-10
  • 一种基于PECVD的基底预清洁方法
    一种基于PECVD的基底预清洁方法_嘉际环控(西安)科技有限公司_202610093209.X
    本申请公开了一种基于PECVD的基底预清洁方法，属于半导体薄膜沉积技术领域。该方法主要包括：将待沉积基底放置于沉积腔体内的加热器上，并将闭合的沉积腔体内的真空度调整至第一预定值；以预定大小的流量向沉积腔体内通入氩气，并将沉积腔体内的真空度调...
    2026-03-10
  • 一种在细长管内激发均匀等离子体的镀膜设备
    一种在细长管内激发均匀等离子体的镀膜设备_北京市天润中电高压电子有限公司_202610091710.2
    本发明涉及镀膜技术领域，具体涉及一种在细长管内激发均匀等离子体的镀膜设备，包括机架、石英舟、推送装置、输气装置；机架上固定有连接筒；连接筒下端设有输送管；输气装置包括稀释组件和混合组件；稀释组件用于使载气分别将前驱体气体和反应气体单独稀释，...
    2026-03-10
  • 一种结构耦合碳-碳复合材料的制备装置
    一种结构耦合碳-碳复合材料的制备装置_东华大学_202610090278.5
    本发明公开一种结构耦合碳‑碳复合材料的制备装置，涉及复合材料制备装置技术领域，包括第一雾化喷洒系统、第一进液单元、第二雾化沉积系统和第二进液单元；第一进液单元向第一雾化喷洒系统提供催化剂溶液；第一雾化喷洒系统将催化剂溶液进行雾化并能够在喷洒...
    2026-03-10
  • 一种石墨烯包覆金属材料的制备装置及其制备方法
    一种石墨烯包覆金属材料的制备装置及其制备方法_福建翔丰华新能源材料有限公司_202610091500.3
    本发明公开了一种石墨烯包覆金属材料的制备装置及其制备方法，涉及金属材料制备技术领域，本发明包括：罐体，所述罐体外壁底部设置有三个支撑板，所述罐体顶面中间贯穿且固定有粉管，所述粉管底面固定安装有电动喷粉头，出料管，所述出料管贯穿且固定在罐体底...
    2026-03-10
  • 一种手术刀及用于手术刀的金刚石薄膜的制备方法
    一种手术刀及用于手术刀的金刚石薄膜的制备方法_江西省科学院材料与智能制造研究所_202511710212.3
    本发明涉及一种用于手术刀的金刚石薄膜的制备方法，步骤为：对手术刀基材进行选择并预处理；采用含偏压电源的热丝化学气相沉积与等离子体增强化学气相沉积结合形成的一体化设备，对手术刀刀刃进行等离子体减薄与锐化处理；将手术刀刀片浸入含纳米金刚石粉末的...
    2026-03-10
  • 2H-SiC薄膜及其制备方法
    2H-SiC薄膜及其制备方法_甬江实验室_202511657551.X
    本申请涉及一种2H‑SiC薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：通入甲基三氯硅烷与氩气、氢气的混合气体，对石墨基底进行化学气相沉积，在所述石墨基底表面形成2H‑SiC薄膜；在所述混合气体中，所述氢气与所述甲基三氯硅烷的输送流量之比大于15 :...
    2026-03-10
  • 一体式加热器及其制备方法
    一体式加热器及其制备方法_北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司_202512002651.5
    本申请提供了一种一体式加热器及其制备方法，制备方法包括：分别制备基体和电极柱，所述基体具有相对的第一面和第二面，所述基体上开设有电极孔；将电极柱与所述电极孔过盈配合，所述电极柱位于所述基体的第一面一侧，所述电极柱的一端穿过所述电极孔暴露于所...
    2026-03-10
  • 氧化膜的沉积方法、装置及化学气相沉积设备
    氧化膜的沉积方法、装置及化学气相沉积设备_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512049127.3
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种氧化膜的沉积方法、装置及化学气相沉积设备，方法包括：在空闲阶段结束且当前批次晶圆未载入腔室时，对腔室进行升温处理；在腔室的温度从第一温度升至目标温度后，将当前批次晶圆载入腔室，并在当前批次晶圆表面沉积形成...
    2026-03-10
  • 吸附片的清洗方法及其清洗装置
    吸附片的清洗方法及其清洗装置_上海光通信有限公司_202411103780.2
    本申请涉及一种吸附片的清洗方法及其清洗装置。该清洗方法包括：判断吸附片是否需要清洗；若是，则对吸附片执行干法清洗工艺；判断干法清洗工艺的执行次数是否达到第一预设次数；若是，则于吸附片形成有吸附图案的表面形成修复层；所述吸附图案用于吸附沉积工...
    2026-03-10
  • 一种用于石墨制品表面形成碳化硅涂层的设备
    一种用于石墨制品表面形成碳化硅涂层的设备_江苏协鑫特种材料科技有限公司_202511741019.6
    本申请涉及化学气相沉积技术领域，且公开了一种用于石墨制品表面形成碳化硅涂层的设备，包括送气组件，且送气组件包括外壳体，所述外壳体的内部同轴套接有内壳体，所述外壳体上设置有两个保护组件，且两个保护组件的一端均与外壳体和内壳体之间的空间连通，所...
    2026-03-10
  • 一种银包覆石墨烯铜复合材料及其制备方法
    一种银包覆石墨烯铜复合材料及其制备方法_常州第六元素半导体有限公司_202511771885.X
    本申请涉及复合金属材料技术领域，尤其涉及一种银包覆石墨烯铜复合材料及其制备方法，旨在解决传统银包铜粉银用量高、银层易破损致铜氧化、导电性不足的问题。该方法包括：在铜粉基底上通过化学气相沉积原位形成石墨烯包覆层，得到石墨烯铜粉；对石墨烯铜粉进...
    2026-03-10
  • 一种高纯液态前驱体输送装置
    一种高纯液态前驱体输送装置_江苏容导半导体科技有限公司_202511864249.1
    本发明属于集成电路的技术领域，更具体地说，它涉及一种高纯液态前驱体输送装置，其技术方案要点是：包括瓶体、分隔层、雾化组件、进料管和出料管；其中瓶体作为装置的主体结构，内部通过分隔层被划分为两个独立的腔室：第一腔室和第二腔室。第一腔室主要用于...
    2026-03-10
  • 供气系统、半导体器件的工艺设备和工艺方法
    供气系统、半导体器件的工艺设备和工艺方法_拓荆科技(上海)有限公司_202511746455.2
    本发明公开了一种供气系统、半导体器件的工艺设备和半导体器件的工艺方法。供气系统包括：储气罐，用于储存气态反应源，其中，所述储气罐的下方设有阀门；以及烘烤箱，坐落于喷淋板上方，其内部存放所述储气罐，所述烘烤箱的内壁布设镜面结构，用于将热辐射到...
    2026-03-10
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