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最新专利技术
  • 量子点复合物的制备方法及含其的量子点发光装置
    量子点复合物的制备方法及含其的量子点发光装置_纳晶科技股份有限公司_202511539576.X
    本申请提供了一种量子点复合物的制备方法及含其的量子点发光装置，该制备方法包括：S1，制备量子点的醇分散液；S2，于容器中准备醇与酸的混合液，混合液的pH为2‑5，于所述容器中加入量子点的醇分散液并混合均匀，滴加硅源、铝源中的至少一种，从而在...
    2026-03-13
  • 一种蓝光CsPbBr3超晶格及其制备方法和应用
    一种蓝光CsPbBr3超晶格及其制备方法和应用_西北师范大学_202511733114.1
    本发明公开了一种蓝光CsPbBr33超晶格及其制备方法和应用，属于钙钛矿材料制备技术领域。制备方法为：在酮类溶剂中，4‑羟基四苯乙烯、1, 3二溴丙烷和碳酸钾反应得到(2‑(4‑(3‑溴丙氧基)苯基)乙烯‑1, 1, 2‑三基)三苯；在醇类...
    2026-03-13
  • 一种小分子配体和有机染料共同配位的稀土掺杂无机纳米发光材料及其制备方法
    一种小分子配体和有机染料共同配位的稀土掺杂无机纳米发光材料及其制备方法_中国科学院福建物质结构研究所_202511766807.0
    本发明属于荧光纳米材料技术领域，具体涉及一种小分子配体和有机染料共同配位的稀土掺杂无机纳米发光材料；本发明通过利用小分子配体与有机染料共同竞争配位在稀土掺杂无机纳米颗粒表面，小分子配体作为物理隔离和单线态氧猝灭剂，能够进一步增强有机染料敏化...
    2026-03-13
  • 一种用于环氧负性光刻胶的发光材料的制备方法
    一种用于环氧负性光刻胶的发光材料的制备方法_合肥汉旸科技材料有限公司_202511772969.5
    本发明公开了一种用于环氧负性光刻胶的发光材料的制备方法，属于光刻胶技术领域。将Yb/Er/Tm掺杂的稀土氯化物与油酸、1‑十八烯、油胺混合脱水，形成均相络合物，注入NaOH和NH44F溶液后高温合成上转换纳米核分散液；将其加热加入HAuCl...
    2026-03-13
  • 一种量子点复合材料、其制备方法及应用
    一种量子点复合材料、其制备方法及应用_镭昱光电科技(苏州)有限公司_202511775607.1
    本发明公开了一种量子点复合材料、其制备方法及应用。所述量子点复合材料包括纳米介孔微球、量子点和壳层；纳米介孔微球的直径在500nm以下，具有介孔结构；量子点嵌入介孔结构中形成微球组合体；壳层的材质为透光材质，并包裹微球组合体。本发明所提供的...
    2026-03-13
  • 一种高灵敏度体外诊断用化学发光试剂的制备方法
    一种高灵敏度体外诊断用化学发光试剂的制备方法_广东普洛凯生物科技有限公司_202511755446.X
    本发明属于体外诊断技术领域，公开了一种高灵敏度体外诊断用化学发光试剂的制备方法，该方法在传统鲁米诺结构基础上引入电推电子基团(甲氧基)与位阻基团(叔丁基)，显著增强分子共轭体系的电子密度与稳定性，提高发光量子效率和底物抗氧化性能。同时采用C...
    2026-03-13
  • 一种光色可调的Al3+掺杂LiMgBO3 : Dy3+的LED用荧光粉及其制备方法
    一种光色可调的Al3+掺杂LiMgBO3 : Dy3+的LED用荧光粉及其制备方法_吉林化工大学_202511940844.9
    本发明公开一种光色可调的Al3+3+掺杂LiMgBO33 : Dy3+3+的LED用荧光粉及其制备方法。所述荧光粉化学式为LiMg(1‑x‑y)(1‑x‑y)BO33 : xDy3+3+, yAl3+3+，其中0≤x≤0.03, 0≤y≤0...
    2026-03-13
  • 一种发光材料及其制备方法
    一种发光材料及其制备方法_中国第一汽车股份有限公司_202511777205.5
    本申请提供一种发光材料及其制备方法，涉及材料领域。发光材料的化学通式为Sr1‑x‑1‑x‑yyAl22O44 : Eu2+2+xx, Ho3+3+yy, M++；其中，M++为电荷补偿剂离子，选自Li++、Na++、K++中的一种或多种。发...
    2026-03-13
  • 一种具有超窄半峰全宽的红到近红外的固态荧光碳点制备方法和应用
    一种具有超窄半峰全宽的红到近红外的固态荧光碳点制备方法和应用_广东药科大学_202511485070.5
    本发明属于固态荧光碳点的技术领域，具体涉及一种具有超窄半峰全宽的红到近红外的固态荧光碳点及其制备方法和应用，以邻苯二胺和NTCDA的酰亚胺化为基础反应，采用一步水热法合成具有超高单色性的红色(635nm)和近红外(663nm和670nm)固...
    2026-03-13
  • 一种以埃洛石纳米管为基材制备的具有室温磷光性能的纳米复合材料及其制备方法
    一种以埃洛石纳米管为基材制备的具有室温磷光性能的纳米复合材料及其制备方法_河北大学_202511737591.5
    本发明公开了一种以埃洛石纳米管为基材制备的具有室温磷光性能的纳米复合材料及其制备方法，属于荧光材料技术领域。本发明的具有室温磷光性能的纳米复合材料的原料中包括聚丙烯酰胺接枝埃洛石纳米管和2, 4, 6‑三‑(4‑溴苯基)‑[1, 3, 5]...
    2026-03-13
  • 一种用于管道气体泄漏检测的碳量子点检漏剂及其制备方法与应用
    一种用于管道气体泄漏检测的碳量子点检漏剂及其制备方法与应用_西南石油大学_202511866452.2
    本发明属于油气安全管道完整性管理技术领域，具体涉及一种用于管道气体泄漏检测的碳量子点检漏剂及其制备方法与应用。本发明通过引入C1212H2525长链烷基和采用针对性的纯化工艺以解决现有量子点检漏剂因传统碳量子点亲水性强在非极性泄漏介质中易因...
    2026-03-13
  • 一种Tb3+掺杂石榴石结构的多模式发光材料及其制备方法和应用
    一种Tb3+掺杂石榴石结构的多模式发光材料及其制备方法和应用_大连海事大学_202511664221.3
    本发明公开了一种Tb3+3+掺杂石榴石结构的多模式发光材料及其制备方法和应用，所述Tb3+3+掺杂石榴石结构的多模式发光材料的化学通式为：Ca22Gd1‑x1‑xGa33Ge22O1212 : xTb3+3+，其中0.0≤x≤0.5。该材料...
    2026-03-13
  • 一种宽带可调谐、高性能的近红外发光材料及其制备方法
    一种宽带可调谐、高性能的近红外发光材料及其制备方法_山东大学深圳研究院_202511674300.2
    本发明属于发光材料领域，提供了一种宽带可调谐、高性能的近红外发光材料及其制备方法，化学式为Y22SrGa44SiO1212 : xCr3+3+，其中0.005≤x≤0.09。本发明选取Y22SrGa44SiO1212作为基质，Cr3+3+作...
    2026-03-13
  • 一种Bi3+敏化的Y3Ga3MgSiO12 : Eu3+深红荧光粉及其制备方法
    一种Bi3+敏化的Y3Ga3MgSiO12 : Eu3+深红荧光粉及其制备方法_吉林化工大学_202511938359.8
    本发明属于无机发光材料技术领域，具体公开了一种Bi3+3+敏化的Y33Ga33MgSiO1212 : Eu3+3+深红荧光粉及其制备方法和应用。所述荧光粉采用高温固相法制备，在保持石榴石型立方结构(空间群Ia3̅d)稳定的前提下，通过引入E...
    2026-03-13
  • 一种Sb3+离子掺杂的固溶体X射线光存储材料及其制备方法和应用
    一种Sb3+离子掺杂的固溶体X射线光存储材料及其制备方法和应用_华侨大学_202511593573.4
    本发明公开了一种Sb3+3+离子掺杂的Cs22NaScLuCl66固溶体及其制备方法和其作为X射线光存储材料的应用。该固溶体的化学通式为Cs22NaSc1‑x1‑xLuxxCl66 : ySb3+3+，其中0＜x＜1, 0＜y＜0.06。本...
    2026-03-13
  • 高选择比SiN蚀刻液及其制备方式
    高选择比SiN蚀刻液及其制备方式_联仕新材料(苏州)股份有限公司_202511772179.7
    本发明公开了一种高选择比SiN蚀刻液及其制备方式，按质量份计算，包括以下组分：0.01‑10份的化合物A、78‑90份的磷酸和9.5‑20份的水。本发明可提高氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比，选择性去除SiN薄膜，而留下SiO22薄膜，提升蚀刻液...
    2026-03-13
  • 一种用于半导体蚀刻液的添加剂及其应用
    一种用于半导体蚀刻液的添加剂及其应用_昆山晶科微电子材料有限公司_202511449241.9
    本申请涉及蚀刻液添加剂技术领域，具体公开了一种用于半导体蚀刻液的添加剂及其应用。一种用于半导体蚀刻液的添加剂及其应用包括以下重量份的原料：20‑30份50wt%氢氟酸，20‑30份70wt%硝酸，10‑12份絮凝剂，絮凝剂为钠基蒙脱土复合海...
    2026-03-13
  • 用于在低-K材料、铜和/或钴的层的存在下选择性蚀刻包含铝化合物的层的组合物及方法
    用于在低-K材料、铜和/或钴的层的存在下选择性蚀刻包含铝化合物的层的组合物及方法_巴斯夫欧洲公司_202511548306.5
    本发明描述一种用于在低‑k材料层和/或包含铜和/或钴的层存在下选择性蚀刻包含铝化合物的层的组合物及该组合物的对应用途。进一步描述一种用于制造半导体装置的方法，其包括在低‑k材料层和/或包含铜和/或钴的层存在下通过使至少一个包含铝化合物的层与...
    2026-03-13
  • 吉氏库特菌B7在盐碱地土壤改良及耐盐环境中促进植物生长中的应用
    吉氏库特菌B7在盐碱地土壤改良及耐盐环境中促进植物生长中的应用_兰州交通大学_202610027535.0
    本发明属于为生物技术领域，特别涉及吉氏库特菌B7在盐碱地土壤改良及耐盐环境中促进植物生长中的应用，所述的吉氏库特菌B7于2024年10月23日保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心，保藏编号为CGMCC No.32305；所述的吉...
    2026-03-13
  • 一种促进土壤中砷矿化的修复剂及其制备方法和应用
    一种促进土壤中砷矿化的修复剂及其制备方法和应用_淮南矿业(集团)有限责任公司_202511529568.7
    本发明公开了一种促进土壤中砷矿化的修复剂及其制备方法和应用，包括将农业秸秆粉碎后与畜禽粪便交替层层堆叠堆肥，获得有机肥；将有机肥与超纯水混合，置于球磨机中球磨，将球磨后的混合液离心、过滤得到溶解性有机质(DOM)提取液；与硫酸盐共同组成修复...
    2026-03-13
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