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  • 本发明涉及一种基板处理装置及方法,涉及一种进行控制来使按照时间间隔搬入工艺腔室的基板的滞留时间均匀地形成的基板处理装置及方法。根据本发明的实施例的一种基板处理装置,包括:工艺腔室,包括用于多个基板的单独的工艺的多个单元;基板支撑部,分别布置...
  • 本发明涉及一种基板处理装置及方法,包括:下部腔室部;上部腔室部,对下部腔室部的上侧进行开闭;位置调节部,调节上部腔室部的位置;下部支承部,安装于下部腔室部,支承下部基板;以及上部支承部,安装于上部腔室部,支承面向下部基板的上部基板,并且以均...
  • 陶瓷加热器具备:陶瓷板20,其上表面具有晶片载放面;多个区段Z1~Z6,它们设置于晶片载放面;区段加热器,其与多个区段Z1~Z6分别对应地植入于陶瓷板20;单一的测温部件通路30,其设置于陶瓷板20;以及单一的测温部件(Multi TC40...
  • 一种拾取器组件,包括:具有选择性可变间隔关系的多个拾取器;轴;与所述轴滑动接合的多个内部定位板,每个所述内部定位板放置在相邻的拾取器中间,与所述轴以滑动接合的方式连接的一对端部定位板,每个所述端部定位板放置在端部的拾取器的外侧;所述端部定位...
  • 一种具有第一背面金属层的半导体结构,该第一背面金属层具有多条第一类型线和至少一条第二类型线。第一类型线具有比底表面更宽的顶表面,并具有第一宽度。第一类型线的每条通过第一过孔连接到第二背面金属层。第一类型线中的每条和第二类型线中的每条通过第二...
  • 示例性处理方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可被容纳在所述处理区域中。所述基板可限定特征。所述方法可包括形成所述含硅前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括在所述基板上沉积含硅材料。所述方法可包括向所述处理区域提供含氧前...
  • 本发明是包含第一导热性硅脂、第二导热性硅脂和它们的接合部的导热性硅脂组合物(10),第一导热性硅脂(7a、7b)含有固化反应催化剂且不含交联剂,第二导热性硅脂(8a、8b)不含固化反应催化剂且含有交联剂,上述第一和第二导热性硅脂在相对置的至...
  • 用于电功率模块(10)的冷却体元件(1),所述冷却体元件包括:‑基体,所述基体具有第一端侧(S1)和与第一端侧(S1)相对置的第二端侧(S2),所述第一端侧在安装状态下朝向待冷却的面;和‑冷却通道(30、30’),所述冷却通道在第一端侧(S...
  • 本公开涉及一种具有铜柱结构的双面模制模块,所述双面模制模块使用两步骤电镀工艺形成。公开的双面模制模块包含所述铜柱结构和层压面板,所述层压面板具有带第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的层压体及在所述层压体的所述第二表面上的捕获垫。所述铜柱...
  • 半导体芯片(10)具备:电极焊盘(12),设于基材(11)所具有的主面上;钝化膜(13),设于基材(11)的主面上,设有用于使电极焊盘(12)部分地露出的第一开口部(13a);以及柱状电极(20),具有基座部(21)和柱部(22)。基座部(...
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