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最新专利技术
  • 光电阴极组件制备方法及光电阴极组件
    光电阴极组件制备方法及光电阴极组件_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511645354.6
    本发明公开了一种光电阴极组件制备方法及光电阴极组件，其中的光电阴极组件制备方法包括先在衬底上依次交替沉积多层Al22O33膜和TiO22膜以得到交替层，并在交替层上沉积出一层硬掩膜层以及将硬掩膜层刻蚀为多个呈阵列排布的硬掩膜，接着，刻蚀交替...
    2026-03-21
  • 以模具灌注法为基础的微通道板制作方法及一种微通道板
    以模具灌注法为基础的微通道板制作方法及一种微通道板_长春理工大学_202511667562.6
    本公开涉及以模具灌注法为基础的微通道板制作方法及一种微通道板。所述方法包括：将硅微通道阵列基底置于金属模具材料上，且硅微通道阵列基底的孔朝向下方；基于坩埚和真空热熔填充装置实现金属模具材料液化并填充到硅微通道阵列基底中；降温实现金属固化后得...
    2026-03-21
  • 一种具有自动分拣功能的氖灯生产用枯化机
    一种具有自动分拣功能的氖灯生产用枯化机_盐城市华达照明电器有限公司_202511390978.8
    本发明涉及枯化机设备技术领域，且公开了一种具有自动分拣功能的氖灯生产用枯化机，包括固定连接在两个夹持连接杆外壁处的两个固定板，两个固定板的外壁处开设有两个槽口；在装置未运行时，根据氖灯珠的两侧引脚距离来调整槽口内的两个夹持杆的位置，当两侧的...
    2026-03-21
  • 一种多注线性束高功率微波器件二极管阴极对中结构及对中方法
    一种多注线性束高功率微波器件二极管阴极对中结构及对中方法_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202610036341.7
    本发明涉及高功率微波技术领域，具体涉及一种多注线性束高功率微波器件二极管阴极对中结构及对中方法；阴极结构和阳极结构由内向外同轴设置；阴极结构包括沿预设方向依次设置的屏蔽碗、阴极座以及多个发射体；阳极结构包括沿预设方向依次设置的二极管外筒、二...
    2026-03-21
  • 一种抑制磁控管微波泄漏的陷波装置
    一种抑制磁控管微波泄漏的陷波装置_东南大学_202511546649.8
    本发明公开了一种抑制磁控管微波泄漏的陷波装置，该装置通过在同轴波导外导体表面刻槽形成等效电容，结合信号传输过程中在内外导体间形成的电感效应，及引入衰减瓷环形成的等效电阻，构建非理想并联谐振电路。当传输信号频率与谐振频率相匹配时，形成陷波效应...
    2026-03-21
  • 一种抑制大功率回旋管寄生振荡的腔前电子注通道结构
    一种抑制大功率回旋管寄生振荡的腔前电子注通道结构_安徽华东光电技术研究所有限公司_202511591541.0
    本发明公开了一种抑制大功率回旋管寄生振荡的腔前电子注通道结构，结构包括：相连通的阴极端电子注通道筒体和谐振腔端电子注通道筒体；阴极端电子注通道筒体包括：套设且固定在一起的阴极端外筒和阴极端内筒，阴极端外筒的内部形成呈圆锥筒状的第一通道；谐振...
    2026-03-21
  • 一种电场-磁场-灯丝协同控制的磁控管微波源
    一种电场-磁场-灯丝协同控制的磁控管微波源_湖南大学_202610047241.4
    本申请涉及磁控管微波发射技术领域，公开了一种电场‑磁场‑灯丝协同控制的磁控管微波源，提供了一种具体的磁控管功率范围内最高效率工作点的测试方法以及电场‑磁场‑灯丝协同控制的微波源，提高磁控管效率、寿命与稳定性；通过检测磁控管运行时的输出微波功...
    2026-03-21
  • 一种电子束选区熔化增材制造电子枪装置及使用方法
    一种电子束选区熔化增材制造电子枪装置及使用方法_星航高能科技(南京)有限公司_202310857533.0
    本发明公开了一种电子束选区熔化增材制造电子枪装置及使用方法，属于电子枪设备技术领域，本发明采用射频激励电离气体，正离子收集筒吸附正电荷，控制栅极引出电子，再经过电子枪阴‑阳极的静电汇聚、束流通道聚焦线圈的电磁汇聚形成能量密度高度集中的电子束...
    2026-03-21
  • 双铟封式像管及其制造方法
    双铟封式像管及其制造方法_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511616873.X
    本发明公开了一种双铟封式像管，包括管壳、与所述管壳之第一端装配的光电阴极及与所述管壳相对之第二端装配的荧光屏组件。所述管壳的第一端与所述光电阴极之间设有将该第一端和所述光电阴极固定在一起的第一铟封层，所述管壳的第二端与所述荧光屏组件之间设有...
    2026-03-21
  • 离子束加工的离子束束径调整装置
    离子束加工的离子束束径调整装置_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202610020466.0
    本发明涉及离子束超精密加工技术领域，尤其涉及一种离子束加工的离子束束径调整装置，包括调整主体、石墨底座、石墨盘、盖板和散热结构，调整主体上具有第一中心通孔；石墨底座设置于调整主体的另一端，一个石墨盘安装于石墨底座上，石墨盘上开设有用于离子束...
    2026-03-21
  • 复合式电子检测器、电子检测设备及检测方法
    复合式电子检测器、电子检测设备及检测方法_深圳清华大学研究院_202511696503.1
    本发明提供一种复合式电子检测器、电子检测设备及检测方法，属于电子显微成像技术领域，本发明的复合式电子检测器，通过设置钇铝石榴石晶体来对分割式硅二极管检测器进行部分覆盖的结构，无需任何检测体的物理更换，即可通过电子学方式选择读取不同区域的信号...
    2026-03-21
  • 一种等离子体处理装置及其工作方法
    一种等离子体处理装置及其工作方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411075802.9
    本发明公开了一种等离子体处理装置及其工作方法，该等离子体处理装置包含：真空反应腔，其内具有下电极组件；直流电源和第一偏置射频电源，两者均与下电极组件电连接；控制器，其用于控制直流电源向下电极组件提供第一脉冲电压，以及控制第一偏置射频电源向下...
    2026-03-21
  • 一种导流环和等离子体处理装置
    一种导流环和等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411082658.1
    本发明公开了一种导流环和等离子体处理装置，导流环设置在等离子体处理装置的反应腔内，反应腔内设有用于承载晶圆的基座，导流环包括气流引导部、排气部和连接部；气流引导部围绕基座设置；排气部位于气流引导部的下方，排气部上开设有第一气道；连接部连接气...
    2026-03-21
  • 工艺腔室的温度校验方法
    工艺腔室的温度校验方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411096045.3
    本申请公开一种工艺腔室的温度校验方法，属于半导体加工技术领域，温度校验方法包括：基于工艺腔室的工艺温度的设定值，获取设定值所在的温度区间所对应的校温菜单；控制工艺腔室根据校温菜单进行工艺，以在透明衬底的表面形成外延层；若外延层具有透明区域和...
    2026-03-21
  • 气体供应装置、气体供应控制方法以及基板处理装置
    气体供应装置、气体供应控制方法以及基板处理装置_细美事有限公司_202510594242.6
    本发明提供一种可以在互锁情况下进行切断以使得气体不向工艺腔体流动的气体供应装置、气体供应控制方法以及基板处理装置。在根据本发明的基板处理装置中，向工艺腔体供应气体的气体供应装置包括：第一供应线，连接于气体供应源；排气线，在所述第一供应线的分...
    2026-03-21
  • 衬底处理设备和衬底处理方法
    衬底处理设备和衬底处理方法_细美事有限公司_202510689801.1
    提出了一种能够有效地去除在可以被升高的聚焦环的下表面上形成的异物的衬底处理设备和衬底处理方法。使用等离子体执行处理过程的该衬底处理设备包括：处理室，该处理室被配置为形成用于衬底的处理空间；卡盘板，该卡盘板被配置为支撑该衬底；聚焦环，该聚焦环...
    2026-03-21
  • 等离子体处理装置和等离子体状态检测方法
    等离子体处理装置和等离子体状态检测方法_东京毅力科创株式会社_202511040606.2
    本发明提供检测等离子体的状态的等离子体处理装置和等离子体状态检测方法。等离子体处理装置包括：具有内部空间的处理容器；设置在上述处理容器的上述内部空间内的基片支承部；对上述处理容器的上述内部空间内供给处理气体的气体供给部；在上述处理容器的上述...
    2026-03-21
  • 为衬底处理设备指定射频匹配裕度的系统和方法
    为衬底处理设备指定射频匹配裕度的系统和方法_ASMIP私人控股有限公司_202511095796.8
    公开了一种具有等离子体控制能力的衬底处理设备。该设备包括射频(RF)源、等离子体室和等离子体控制系统，该等离子体控制系统包括：阻抗匹配网络，其包括第一可变阻抗匹配装置和第二可变阻抗匹配装置；以及控制电路，其配置成：确定第一可变阻抗匹配装置的...
    2026-03-21
  • 预期半导体制造处理步骤的匹配网络调整
    预期半导体制造处理步骤的匹配网络调整_ASMIP私人控股有限公司_202511107237.4
    在一个实施例中，公开了一种用于控制半导体制造系统的匹配网络的系统。匹配网络包括电子可变电抗元件(EVRE)，其使用不同的匹配配置来改变其总电抗。等离子体室对衬底执行过程，该过程包括处理步骤，处理步骤至少包括第一处理步骤和第二处理步骤。对于每...
    2026-03-21
  • 基片支承器和等离子体处理装置
    基片支承器和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202511520274.8
    本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。
    2026-03-21
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