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最新专利技术
  • TBC电池P区结构、TBC电池及其制备方法和光伏组件
    TBC电池P区结构、TBC电池及其制备方法和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511912360.3
    本发明提供了一种TBC电池P区结构、TBC电池及其制备方法和光伏组件，涉及太阳能电池的技术领域，所述TBC电池P区结构包括：依次叠层设置于硅基体背面的第一隧穿氧化层、第一掺硼多晶硅层、第二隧穿氧化层和第二掺硼多晶硅层；其中，所述第二掺硼多晶...
    2026-02-20
  • 一种BC电池印刷图形结构及方法
    一种BC电池印刷图形结构及方法_青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司_202511741719.5
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种BC电池印刷图形结构及方法，包括种子层、铜浆层、防护绝缘层和低温银浆层，种子层包括预设位置印刷高温银浆的多个种子点和线段，种子点和线段形成竖向列对齐，多个种子点上覆盖有铜浆层，铜浆层上覆盖有防护绝缘层...
    2026-02-20
  • 一种电池片、电池组件和光伏系统
    一种电池片、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511952543.8
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种电池片、电池组件和光伏系统。电池片包括硅基底、若干第一极性细栅和第二极性细栅、若干第一极性主栅和第二极性主栅；第一极性主栅包括第一主体段和若干第一枝杈段，第一主体段与第一极性细栅相交，并与第二极性细...
    2026-02-20
  • 光伏电池、叠层电池及光伏组件
    光伏电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610026784.8
    本申请涉及光伏电池领域，提供一种光伏电池、叠层电池及光伏组件，光伏电池包括：电池片本体的至少一侧电池片表面包括在第一方向上相对设置的第二区以及设置在相对第二区之间的第一区；第一区具有在第二方向上相对的边缘区以及设置在相对边缘区之间的中间区；...
    2026-02-20
  • 一种基于水合调控的高性能p型透明导电材料及其制备方法
    一种基于水合调控的高性能p型透明导电材料及其制备方法_苏州大学_202511324703.4
    本发明公开了一种基于水合调控的高性能p型透明导电材料及其制备方法，光电材料技术领域。本发明将铯源、铋源或锑源、锌源或锑源、配体和溶剂混合均匀后在搅拌条件下真空干燥；随后升温，快速注入氯源或溴源，结束后立即浸入冰水浴冷却至室温，反应结束后，向...
    2026-02-20
  • 一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法
    一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法_无锡中微晶园电子有限公司_202511581305.0
    本发明属于功率半导体工艺技术领域，特别涉及一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法。包括N‑低掺杂体硅区；N+正面高浓度掺杂区，对称布设于所述N‑低掺杂体硅区的正面两侧；P型掺杂区，靠近每侧所述N+正面高浓度掺杂区的内侧布设；N+背面高...
    2026-02-20
  • 一种杂环芳烃桥接-螯合协同钝化的硫化铅量子点红外探测器及其制备方法
    一种杂环芳烃桥接-螯合协同钝化的硫化铅量子点红外探测器及其制备方法_西安工业大学_202511707995.X
    本发明公开了一种杂环芳烃桥接‑螯合协同钝化的硫化铅量子点红外探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。所述杂环芳烃桥接‑螯合协同钝化的硫化铅量子点红外探测器的结构包括依次堆叠的透明导电基底、NiO空穴传输层、PbS‑EDT过渡层、协同钝化P...
    2026-02-20
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_晶科能源股份有限公司_202511786066.2
    本申请实施例涉及太阳能电池领域，提供一种太阳能电池及其制备方法，至少可以解决分片电池的性能较差的问题。太阳能电池包括：分片电池，至少两个所述分片电池为对同一整片太阳能电池沿第一方向进行分割处理后形成的，所述分片电池包括第一面、第二面以及连接...
    2026-02-20
  • 被动降低光伏器件温度的光伏系统
    被动降低光伏器件温度的光伏系统_浙江大学_202511468327.6
    本发明涉及一种被动降低光伏器件温度的光伏系统，包括光伏组件，所述光伏组件的背板设有辐射制冷层，所述光伏组件的背光侧非接触式设有反射件，所述反射件用于反射所述光伏组件发出的热辐射；其中，辐射制冷层在0.3μm‑2.5μm波段的太阳光谱加权反射...
    2026-02-20
  • 一种去除MicroLED芯片背面残留镓的方法
    一种去除MicroLED芯片背面残留镓的方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511665347.2
    本申请涉及半导体加工技术领域，公开了一种去除MicroLED芯片背面残留镓的方法，该方法包括：将激光剥离后的MicroLED芯片进行预处理；通过与皮秒激光束同轴布置的层流喷嘴，在所述芯片的残留镓层表面施加惰性气体层流；在所述惰性气体层流的持...
    2026-02-20
  • 一种LED芯片封装机
    一种LED芯片封装机_江西易晖光电科技有限公司_202610024149.6
    本发明公开了一种LED芯片封装机，包括支撑台、吸风孔平台、膜材、第一多轴机器人和第二多轴机器人，吸风孔平台安装于支撑台上；膜材吸附固定于吸风孔平台上；第一多轴机器人设置于支撑台的一侧，第一多轴机器人底端设置有第一视觉机构和点胶机构，第一视觉...
    2026-02-20
  • 改善亮度的发光二极管及其制备方法和显示面板
    改善亮度的发光二极管及其制备方法和显示面板_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511297358.X
    本公开提供了一种改善亮度的发光二极管及其制备方法和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、第一外延层、第二外延层、第一平坦层、第一电极、第二电极和第三电极；第一电极和第一外延层依次层叠在衬底上，第一电极在衬底上的正投影位于...
    2026-02-20
  • 发光二极管芯片、背光装置、照明装置及直显装置
    发光二极管芯片、背光装置、照明装置及直显装置_纳微朗科技(深圳)有限公司_202511385078.4
    本申请提供一种发光二极管芯片、背光装置、照明装置及直显装置。该发光二极管芯片包括：N型半导体层；P型半导体层；第一发光区，设置在N型半导体层和P型半导体层之间，且发出至少一种波长的光线；第二发光区，设置在第一发光区靠近N型半导体层的一侧，且...
    2026-02-20
  • 具有双限制层的发光二极管芯片及其制备方法
    具有双限制层的发光二极管芯片及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511384410.5
    本公开提供了一种具有双限制层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括依次叠设的N型限制层、有源层和P型限制层；N型限制层为N型AlInP层；P型限制层为周期性交替层叠的P型AlGaInP层和P型AlInP层。本...
    2026-02-20
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
    发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管_佛山市国星半导体技术有限公司_202511576527.3
    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底，依次层叠于所述衬底上的第一缓冲层、恢复层、阻挡层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述恢复层包括交替层叠的第...
    2026-02-20
  • 改善电极可靠性的发光二极管及其制备方法
    改善电极可靠性的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511399048.9
    本公开提供了一种改善电极可靠性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和电极，所述电极位于所述外延层的表面上；所述电极的侧壁包括至少两段倾斜面，所述至少两段倾斜面沿远离所述外延层的方向依次相连，所述至少两段...
    2026-02-20
  • 改善漏电的发光二极管及其制备方法
    改善漏电的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511399309.7
    本公开提供了一种改善漏电的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、绝缘层、第一电极、第二电极和第一焊盘，所述第一电极和所述第二电极均位于所述外延层上，且分别与所述外延层的不同导电类型的半导体层相连，所述第二...
    2026-02-20
  • 发光二极管及其制作方法、发光单元
    发光二极管及其制作方法、发光单元_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202610007001.1
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法、发光单元，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构和焊盘结构；所述焊盘结构包括第一子结构和第二子结构，所述第一子结构的一端与所述外延结构，所述第一子结构的另一端与所述第二子结构连接；所述第一子结构...
    2026-02-20
  • 改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法
    改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511540726.9
    本公开提供了一种改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和隧穿结，所述外延层位于所述隧穿结的表面上；所述外延层包括依次层叠的第一p型层、多量子阱层和第一n型层，所述隧穿结包括依次层叠的第二...
    2026-02-20
  • 一种透明导电镀膜及其制备方法、外延片及LED芯片
    一种透明导电镀膜及其制备方法、外延片及LED芯片_江西兆驰集成科技有限公司_202610025191.X
    本发明提供一种透明导电镀膜及其制备方法、外延片及LED芯片，该透明导电镀膜包括依次层叠设置的内层、过渡层以及外层；其中，内层包括铟锡氧化物、稀土氧化物和石墨烯量子点，过渡层包括氧化硅和氧化钛，外层包括氧化锆和氧化铝。本发明解决了现有技术中的...
    2026-02-20
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