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最新专利技术
  • 一种降低N型单晶硅棒轴向电阻率衰减的方法
    一种降低N型单晶硅棒轴向电阻率衰减的方法_宁夏中晶半导体材料有限公司_202511479185.3
    本申请涉及单晶硅棒的拉晶方法技术领域，尤其涉及一种降低N型单晶硅棒轴向电阻率衰减的方法，包括准备工作、稳定、引晶、放肩、转肩、等径和收尾阶段；吸附工装放置在导流筒内壁上，离熔硅液面近，且表面设计小孔，增加其表面积，提高环境中磷原子吸附率；通...
    2026-04-23
  • 自清洁单晶炉观察窗结构
    自清洁单晶炉观察窗结构_葫芦岛迪源新材料有限公司_202511781686.7
    本发明公开一种自清洁单晶炉观察窗结构，属于单晶炉技术领域；包括由上、下壳体组成的壳体，壳体内设带多组可视石英片的旋转可视片，可视片下方设有弹性抵接的清洁组件，上壳体配备控制可视片旋转的控制组件，壳体对应开设有观察孔，上壳体观察孔处装有可视组...
    2026-04-23
  • 一种培育钻石用隔离槽及其制备方法
    一种培育钻石用隔离槽及其制备方法_开封贝斯科超硬材料有限公司_202511536572.6
    本发明公开了一种培育钻石用隔离槽及其制备方法，涉及HTHP温差法人工培育钻石技术领域，具体为一种培育钻石用隔离槽及其制备方法，包括所述隔离槽板的上表面开设有放置凹槽，所述特制模具包括外模框与滑动连接在外模框内的上压头，所述外模框内周面的底端...
    2026-04-23
  • 多圈籽晶差动升降装置及使多圈籽晶差动升降的方法
    多圈籽晶差动升降装置及使多圈籽晶差动升降的方法_洛阳长缨新能源科技有限公司_202311232889.1
    本发明提供一种多圈籽晶差动升降装置及使多圈籽晶差动升降的方法。该装置包括：籽晶夹持机构，具有夹持籽晶的多圈夹头；至少一个升降机构，与籽晶夹持机构的至少一圈夹头连接，以带动至少一圈夹头进行升降运动；以及控制装置，基于通过籽晶夹持机构所夹持的各...
    2026-04-23
  • 一种直拉硅单晶坩埚及拉晶方法
    一种直拉硅单晶坩埚及拉晶方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202411030912.3
    本发明公开了一种直拉硅单晶坩埚及拉晶方法，涉及单晶硅制造技术领域，包括坩埚本体，所述坩埚本体的材质为钨。所述直拉硅单晶坩埚的拉晶方法，包括：将坩埚放置在单晶炉热场埚托上，并将物料投入至坩埚内；将埚转设置为7~9转，炉压设置为11~13托，进...
    2026-04-23
  • 一种基于动态参数联动的单晶硅棒拉制方法及系统
    一种基于动态参数联动的单晶硅棒拉制方法及系统_四川高景太阳能科技有限公司_202511753316.2
    本发明提供一种基于动态参数联动的单晶硅棒拉制方法及系统，该方法包括：根据单晶硅棒拉制的不同阶段，实施温度梯度动态控制策略；采用旋转速率与提拉速度的联动策略，籽晶旋转速率在拉制初期保持高转速以稳定熔体界面；同时，提拉速度采用阶梯式动态调节策略...
    2026-04-23
  • 一种用于锂离子电池的三元单晶材料及其制备方法
    一种用于锂离子电池的三元单晶材料及其制备方法_厦门厦钨新能源材料股份有限公司_202511754790.7
    本发明公开了一种用于锂离子电池的三元单晶材料及其制备方法，涉及锂离子电池电极材料技术领域。包括以下步骤：将镍钴锰化合物与锂化合物按照比例混合进行第一次烧结得到第一材料；将第一材料与锂化合物按照比例混合并加入氮化物，进行混合以及机械造粒，并进...
    2026-04-23
  • 从反应器部件蚀刻碳化硅膜
    从反应器部件蚀刻碳化硅膜_LPE公司_202511083185.1
    本发明涉及一种用于从用于在衬底上沉积碳化硅层的反应室的一个或多个工件蚀刻碳化硅堆积物的方法。该方法包括以下步骤：(I)在用于沉积碳化硅的反应器的反应室的一个或多个工件上提供碳化硅堆积物；(II)执行蚀刻过程的至少一个循环。本发明还涉及适于执...
    2026-04-23
  • 一种高纯多晶碳化硅衬底的制备方法
    一种高纯多晶碳化硅衬底的制备方法_广东精瓷新材料有限公司_202511637267.6
    本发明涉及一种高纯多晶碳化硅衬底的制备方法，包括保护气球磨、流化床造粒、等静压、排胶、SPS烧结、机加工步骤，其中通过脱气水以及粉料的保护气球磨，可以有效避免粉料与氧气接触产生的氧化；在流化床造粒过程中，通过流动氮气不断吹过纳米粉表面，可以...
    2026-04-23
  • 一种基于导流增强的氨热法氮化镓晶体生长炉
    一种基于导流增强的氨热法氮化镓晶体生长炉_山东省科学院能源研究所_202511744141.9
    本发明涉及一种基于导流增强的氨热法氮化镓晶体生长炉，包括高压釜壳体、加热系统、设置在高压釜壳体上部的晶体生长区和下部的原料溶解区，所述晶体生长区内设置有籽晶，所述原料溶解区内设置有氮化镓原料，所述晶体生长区与原料溶解区之间通过一个顶部为圆滑...
    2026-04-23
  • 一种大尺寸超薄单晶Bi2O2Se薄膜的制备方法及其应用
    一种大尺寸超薄单晶Bi2O2Se薄膜的制备方法及其应用_电子科技大学_202511854027.1
    本发明提供一种大尺寸超薄单晶Bi22O22Se薄膜的制备方法及其应用，属于Bi22O22Se薄膜制备技术领域。该方法先采用氧等离子体对衬底进行亲水处理，让衬底对氧的亲和性更强，然后利用射频溅射在衬底表面生长Bi22O33薄膜时，更倾向于在衬...
    2026-04-23
  • 一种液相生长设备水平传动装置
    一种液相生长设备水平传动装置_北京智创芯源科技有限公司_202511652994.X
    本发明公开了一种液相生长设备水平传动装置，涉及碲镉汞材料生长设备技术领域，包括第一隔离件、第二隔离件，第二隔离件的隔离侧壁设有连通孔；金属罩朝向第二隔离件的一侧与隔离侧壁密闭连接，金属罩内腔通过连通孔与第一隔离件内腔连通；外磁铁结构包括多个...
    2026-04-23
  • 一种有机无机化合物晶体(H11C4N2)CdI3、其制备方法及应用
    一种有机无机化合物晶体(H11C4N2)CdI3、其制备方法及应用_福建师范大学_202310577105.2
    本发明公开一种有机无机化合物晶体(H1111C44N22)CdI33、其制备方法及应用。所述有机无机化合物晶体为杂化晶体，化学式为(H1111C44N22)CdI33，属于单斜晶系，空间群为CcCc，晶胞参数为aa=14.36~14.38 ...
    2026-04-23
  • 一种手性有机-无机杂化压电晶体材料及其制备方法
    一种手性有机-无机杂化压电晶体材料及其制备方法_青岛大学_202511644121.4
    本发明属于功能杂化材料技术领域，涉及一种手性有机‑无机杂化压电晶体及其制备方法，将R‑2‑甲基哌嗪或S‑2‑甲基哌嗪与三碘化锑、氢碘酸、次磷酸和去离子水加入高压反应釜中混合均匀，然后放入145–170℃烘箱中反应20–30 h，冷却至室温，...
    2026-04-23
  • 一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法
    一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法_中国科学技术大学苏州高等研究院_202610018580.X
    本发明提供了一种有机半导体纵向异质结单晶阵列及其制备方法，所述的制备方法包括：提供第一硅柱模版、第二硅柱模版与基底；所述第一硅柱模版与所述第二硅柱模版上分别设置有第一硅柱阵列与第二硅柱阵列，所述第一硅柱模版、第二硅柱模版与基底还分别设置有第...
    2026-04-23
  • 一种复合改性无水硫酸钙晶须及其制备方法和应用
    一种复合改性无水硫酸钙晶须及其制备方法和应用_武汉工程大学_202511898565.0
    本发明提供了一种复合改性无水硫酸钙晶须及其制备方法和应用，复合改性无水硫酸钙晶须的制备方法，包括以下步骤：将无水硫酸钙晶须与含第一改性剂的溶液混合进行第一反应，过滤，洗涤后得到第一改性晶须；第一改性剂包括海藻酸和/或海藻酸盐；将第一改性晶须...
    2026-04-23
  • 一种双拉条粗丝硼扩散炉
    一种双拉条粗丝硼扩散炉_阿尔美(苏州)科技有限公司_202511993152.0
    一种双拉条粗丝硼扩散炉，包括炉体，还包括沿着炉体的长度方向螺旋延伸的炉丝、具有多个绝缘件的绝缘组件、包覆于炉丝表面的保温棉，每个绝缘件分别夹设于相邻炉丝之间，设置于绝缘组件和保温棉之间的双拉条固定组件，双拉条固定组件包括穿过多个绝缘组件的横...
    2026-04-23
  • 一种大尺寸单晶GaN晶圆与单晶金刚石的键合结构及方法
    一种大尺寸单晶GaN晶圆与单晶金刚石的键合结构及方法_广州南沙地大滨海研究院_202511443801.X
    本发明提供了一种大尺寸单晶GaN晶圆与单晶金刚石的键合结构及方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：对多块单晶金刚石和单晶GaN晶圆进行清洗处理以去除表面污染物；在单晶GaN晶圆表面刻蚀出多个呈阵列排布的微孔槽，每个微孔槽与一块单晶金刚石的...
    2026-04-23
  • 一种去除氧化镓熔体内气泡的方法
    一种去除氧化镓熔体内气泡的方法_北京镓创科技有限公司_202511800910.2
    本发明申请属于半导体材料制备技术领域，特别涉及一种去除氧化镓熔体内气泡的方法。该方法包括原料预处理步骤、分段烧结步骤和坩埚动态旋转控制等工艺环节的调控，通过对成形压力、烧结条件和温度、熔体动态搅拌、保温时间等关键参数的精准控制，可将氧化镓熔...
    2026-04-23
  • 一种晶体生长的温度控制方法及相关装置
    一种晶体生长的温度控制方法及相关装置_保定景欣智能科技有限公司_202512036135.4
    本申请公开了一种晶体生长的温度控制方法及相关装置，首先获取晶体生长过程中的图像数据，然后从图像数据中提取得到光圈图像，之后在光圈图像中，按照固定角度获取多个位置下分别对应的多个光圈厚度，然后基于光圈厚度超过预设阈值的数量与多个光圈厚度对应的...
    2026-04-23
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