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最新专利技术
  • 包括辅助晶体管的存储器件及其操作方法
    包括辅助晶体管的存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202511075669.1
    一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括连接到第一位线或第一源极线的多个磁存储单元；多个辅助晶体管，连接到第一位线或第一源极线，并且彼此并联连接；以及控制逻辑电路，连接到多个辅助晶体管中的每一个的栅电极。控制逻辑电路可以响应于针对连接到第一字...
    2026-02-27
  • 具有数字线转换速率控制的存储器装置
    具有数字线转换速率控制的存储器装置_美光科技公司_202511040725.8
    本申请涉及具有数字线转换速率控制的存储器装置。本公开描述一种电子装置，其可包含多个存储器单元、多个数字线以及多个感测放大器，所述多个感测放大器各自通过目标数字线耦合到存储器单元且包含输出级。所述输出级可被配置成产生驱动所述目标数字线的输出信...
    2026-02-27
  • 一种提升双器件存储单元密度的位单元逻辑结构和阵列
    一种提升双器件存储单元密度的位单元逻辑结构和阵列_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511541510.4
    本发明公开一种提升双器件存储单元密度的位单元逻辑结构和阵列，属于半导体器件领域。本发明编程管、存储单元和选择管；基于传统1T1M双器件存储单元的位单元逻辑，增加一个外部编程晶体管，原晶体管仅作选择管使用，使得编程晶体管和选择晶体管分离。编程...
    2026-02-27
  • 存储器系统的温度传感器读出
    存储器系统的温度传感器读出_美光科技公司_202511031101.X
    本公开涉及存储器系统的温度传感器读出。本文中描述将温度传感器数据提供到存储器控制器。一种实例系统包含存储器设备，其包括：存储器装置；控制器，其耦合到所述存储器装置且经配置以：从耦合到所述存储器装置的第一寄存器接收所述存储器装置的温度状态；确...
    2026-02-27
  • 一种内存颗粒的刷新周期自适应方法
    一种内存颗粒的刷新周期自适应方法_深圳市晶存科技股份有限公司_202610010068.0
    本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种内存颗粒的刷新周期自适应方法，该方法包括：当发现内存颗粒出现损坏时，调试内存颗粒的刷新周期时间；以预设第一时间作为初始刷新周期时间，使内存颗粒以初始刷新周期时间进行数据读取；若读取到的数据为正确数据，则...
    2026-02-27
  • 基于命令中的编码位设置终端阻抗
    基于命令中的编码位设置终端阻抗_美光科技公司_202511048363.7
    本申请公开了用于基于命令中的编码位设置终端阻抗的设备、系统和方法。存储器接收包含一或多个编码位的存取命令，所述存取命令可经由一或多个CA引脚接收。基于所述一或多个编码位和模式寄存器中的设置，所述存储器确定其是否是所述存取命令的目标，并且所述...
    2026-02-27
  • 基于存储器阵列的上下文对存储器单元进行编程
    基于存储器阵列的上下文对存储器单元进行编程_美光科技公司_202511059523.8
    用于基于存储器阵列的上下文对存储器单元进行编程的系统、方法及设备。在一个方法中，存储器装置具有布置成三维竖直存储器阵列的存储器单元。所述存储器单元使用形成为上覆于所述阵列的位线来存取。控制器确定所述存储器单元的上下文。基于所述上下文，每一存...
    2026-02-27
  • 存储器阵列和参考电流电路
    存储器阵列和参考电流电路_德州仪器公司_202510978758.0
    本申请涉及存储器阵列和参考电流电路。一种电路(100)包含存储器阵列(110)，所述存储器阵列包含按行和列布置的存储器位单元。行包含差分参考位单元(114)和单端位单元(112)，且所述参考位单元(114)包含经配置以存储第一二进制值的第一...
    2026-02-27
  • 用于准确和安全读取的存储器电路布置
    用于准确和安全读取的存储器电路布置_意法半导体国际有限公司_202511569302.5
    本公开的实施方式涉及用于准确和安全读取的存储器电路布置。本公开涉及将用户数据存储器单元和测试存储器单元布置在可配置的存储器阵列中，可配置的存储器阵列可以分别在存储器启动和正常存储器使用期间执行差分和单端读取操作。用户数据存储器单元和测试存储...
    2026-02-27
  • 一种存储器装置、操作方法及存储器系统
    一种存储器装置、操作方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411055598.4
    本申请实施例提供一种存储器装置、操作方法及存储器系统。其中，该存储器装置包括：存储单元阵列；所述存储单元阵列包括：至少一个存储块；外围电路，与所述存储块耦接，且包括存储结构；其中，所述外围电路，被配置为：接收操作命令，并对所述操作命令进行解...
    2026-02-27
  • 执行编程操作的存储器装置及操作该存储器装置的方法
    执行编程操作的存储器装置及操作该存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510487344.8
    一种存储器装置可以包括：存储块，包括多个存储器单元串，多个存储器单元串各自包括源极选择晶体管、多个存储器单元和漏极选择晶体管；外围电路，被配置为执行对存储器单元串进行预充电并将编程电压施加到多条字线之中的选择的字线的编程操作；以及控制逻辑，...
    2026-02-27
  • 竖直硫族化物存储器装置及方法
    竖直硫族化物存储器装置及方法_美光科技公司_202511067881.3
    本申请涉及竖直硫族化物存储器装置及方法。本发明公开设备及方法，其包含硫族化物存储器胞元、半导体装置和系统。实例半导体装置及方法包含彼此电隔离的多个硫族化物材料插塞。所述多个硫族化物材料插塞电耦合于导电字线层与多个竖直数据线之间。
    2026-02-27
  • 存储器操作方法、存储器及存储系统
    存储器操作方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411046408.2
    本公开提供一种存储器操作方法、存储器及存储系统，涉及存储器技术领域。该存储器包括外围电路，外围电路包括第一微控制电路、第二微控制电路和第三微控制电路，该方法包括：响应于执行第一操作指令，第一微控制电路向第二微控制电路发送第一信号；响应于第一...
    2026-02-27
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510161564.1
    提供一种能够提高写入动作的速度的半导体存储装置。半导体存储装置具备：具有第一区块和第二区块的存储单元阵列、以及控制部。控制部在经由位线对第一区块的第一存储单元晶体管的沟道区域施加第一电压后，在使第一存储单元晶体管的沟道区域成为浮置状态的状态...
    2026-02-27
  • EEPROM单元及其使用方法、集成电路和嵌入式系统
    EEPROM单元及其使用方法、集成电路和嵌入式系统_上海谛希半导体科技有限公司_202511588185.7
    EEPROM单元及其使用方法、集成电路和嵌入式系统被公开。该单元包括互补的第一子单元和第二子单元，第一子单元和第二子单元均包括衬底，第一漏极、源极和第二漏极相互间隔且形成于衬底上；第一漏极和源极之间具有第一沟道，第一沟道的上方设置有第一浮栅...
    2026-02-27
  • 经配置以从存储器单元块的串联连接的存储器单元串子集擦除存储器单元的存储器
    经配置以从存储器单元块的串联连接的存储器单元串子集擦除存储器单元的存储器_美光科技公司_202511057561.X
    本公开涉及经配置以从存储器单元块的串联连接的存储器单元串子集擦除存储器单元的存储器。存储器可包含控制器，控制器经配置以使存储器：将第一电压电平施加到多条数据线中的每条数据线；产生从选定数据线到相应串联连接的存储器单元串的沟道结构的栅致漏极泄...
    2026-02-27
  • 快速查表电路、存储器、存储模组、芯片和快速查表方法
    快速查表电路、存储器、存储模组、芯片和快速查表方法_北京超弦存储器研究院_202411053323.7
    一种快速查表电路、存储器、存储模组、芯片和快速查表方法，涉及数据处理领域，快速查表电路包括存储阵列、行地址解码电路、读出电路及比较电路，存储阵列被配置为存储多个数据项，数据项均包括索引数据和第二数据；第一数据包括地址数据和索引比对数据，地址...
    2026-02-27
  • 基于人工智能的动态自适应NAND Flash读取方法、系统、介质及设备
    基于人工智能的动态自适应NAND Flash读取方法、系统、介质及设备_芯盛智能科技(湖南)有限公司_202511532256.1
    本发明公开了一种基于人工智能的动态自适应NAND Flash读取方法、系统、介质及设备，涉及固态存储技术领域，所述方法包括：S1、发起读取请求，使用默认电压读取页数据，通过LDPC算法对其进行解码，构建特征向量并进行预处理，之后将其输入到预...
    2026-02-27
  • 一次性可编程存储器单元
    一次性可编程存储器单元_半导体元件工业有限责任公司_202510804365.8
    本公开涉及一次性可编程存储器单元。公开了一种存储器单元。存储器单元包括晶体管。该晶体管包括：栅极；漏极区，该漏极区通过一个或多个漏极触点耦接到漏极端子；以及源极区，该源极区通过源极触点耦接到源极端子。该晶体管的该一个或多个漏极触点的累积漏极...
    2026-02-27
  • 一种存储器及数据读写方法
    一种存储器及数据读写方法_无锡亿思半导体有限公司_202311870708.8
    本发明公开了一种存储器及数据读写方法，涉及数据存储领域，写入数据时，冗余替换逻辑模块根据控制指令将失效位元对应的数据通过冗余读写电路写入，读取数据时采用冗余读写电路读出，并在输出数据时从失效位元读出的数据替换为从冗余读写电路读出的数据，从而...
    2026-02-27
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