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最新专利技术
  • 具有含侧向突起的栅极电极结构的竖直半导体器件和用于制造半导体器件的方法
    具有含侧向突起的栅极电极结构的竖直半导体器件和用于制造半导体器件的方法_日立能源有限公司_202480042840.6
    公开了半导体器件和用于制造半导体器件的方法。根据实施例，半导体器件(100)包括半导体本体(1)，该半导体本体具有第一导电类型的至少一个接触区(11)、第二导电类型的基极区(12)、以及第一导电类型的漂移区(14)。半导体器件进一步包括主电...
    2026-02-05
  • 半导体基板以及电力转换装置
    半导体基板以及电力转换装置_安斯泰莫株式会社_202380100027.5
    第一导体层具有一对第一开关部连接部位，该一对第一开关部连接部位沿着绝缘基板的一侧的面在与基准轴线正交的方向即正交方向上配置为将第三导体层夹在彼此之间，第三导体层具有一对第二开关部连接部位和焊盘形成部位，所述一对第二开关部连接部位在正交方向上...
    2026-02-05
  • 嵌入具有双侧连接性的玻璃层中的管芯
    嵌入具有双侧连接性的玻璃层中的管芯_英特尔公司_202480042785.0
    一种IC管芯封装包括：在玻璃层的第一表面上的第一IC管芯和第二IC管芯、在玻璃层中的开口内的位于第一IC管芯和第二IC管芯下方的桥接、以及在玻璃层的与第一侧相对的第二表面上的第一封装导电特征和第二封装导电特征。包括焊料的第一互连将桥接与第一...
    2026-02-05
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043841.2
    半导体装置(21)具备基板(40)、配置在基板(40)的一面上的相互并联连接的多个半导体元件(30L)、以及N端子(612)。多个半导体元件(30L)的源极电极(32)与共通的N端子(612)电连接。N端子(612)与源极电极(32)之间的...
    2026-02-05
  • 半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法_安斯泰莫株式会社_202380099937.6
    一种半导体装置，具备：基体部件；半导体基板，其安装于所述基体部件的表面；框体，其以包围所述半导体基板的方式固定于所述基体部件的表面，所述基体部件具有：突部，其以沿着所述半导体基板的安装区域的方式设置，并且以从所述基体部件的表面突出的方式形成...
    2026-02-05
  • 半导体模块
    半导体模块_株式会社电装_202480043840.8
    半导体模块具备冷却器、配置在冷却器上的基板(40)、以及多个半导体元件。基板(40)具有绝缘基材(41)、配置在绝缘基材上且被图案化的导体(42)、以及配置在与导体(42)相反的面上的导体(43)。接合材料介于冷却器与背面导体之间。导体(4...
    2026-02-05
  • 半导体模块
    半导体模块_株式会社电装_202480043843.1
    在冷却器(23)的一面(23a)上配置有树脂制的壳体(22)。在包含冷却器和壳体而构成的收容空间中收容有基板，半导体元件安装于基板的导体。嵌入于壳体的主端子被与基板的导体接合。密封材料(25)介于冷却器的一面与壳体的下表面之间，在收容空间中...
    2026-02-05
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043848.4
    基板具有配置于绝缘基材的一面的P布线(421)和N布线(422)。在P布线连接有P端子(611)，在N布线连接有N端子(612)。半导体元件(30H)与P布线电连接。缓冲电路(70)包含电容器(71)，将P布线和N布线电桥接。基板配置在半导...
    2026-02-05
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043849.9
    半导体装置(21)具备具有布线的基板(40)、漏极电极(31)与共通的布线接合而相互并联连接的多个半导体元件(30)、以及金属板材(100)。金属板材(100)使并联连接的多个半导体元件(30)的源极电极(32)短路。由于通过金属板材(10...
    2026-02-05
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202480043852.0
    半导体装置具备半导体元件(30L)、作为金属板材的导电夹(50L)、以及焊料(81)。半导体元件(30L)具有源极电极(32)、作为信号线的栅极布线(36)、以及绝缘膜(35)。栅极布线(36)配置在与半导体基板(34)的一面上的元件区域重...
    2026-02-05
  • 具有用焊料互连实现的垂直堆叠管芯的封装架构
    具有用焊料互连实现的垂直堆叠管芯的封装架构_英特尔公司_202480041558.6
    微电子组件的实施例可以包括：第一集成电路(IC)管芯，具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及与第一表面和第二表面正交的第三表面，第一IC管芯包括平行于第一表面和第二表面的导电迹线，并且导电迹线在第三表面处暴露；以及第二IC管芯，包括第...
    2026-02-05
  • 穿过顶部小芯片的中介层拼接缝
    穿过顶部小芯片的中介层拼接缝_赛灵思公司_202480044008.X
    本文的实施方案描述了包括具有由重叠的曝光区域形成的拼接缝的中介层的设备，这可以使该中介层具有大于与该曝光区域相对应的最大掩模版场的总表面积。两个或更多个集成电路(例如，小芯片)可以设置在该中介层上。该集成电路中的至少一个集成电路设置在该拼接...
    2026-02-05
  • 太阳能电池、太阳能电池半成品和太阳能电池的制造方法
    太阳能电池、太阳能电池半成品和太阳能电池的制造方法_韩华QCELLS有限公司_202480043630.9
    本发明涉及一种太阳能电池、一种太阳能电池半成品，以及一种制造太阳能电池的方法。特别地，本发明涉及一种太阳能电池以及一种太阳能电池半成品，所述太阳能电池和太阳能电池半成品均包括分别具有一个衬底(1)、一个设置在衬底(1)上的隧穿氧化层(2)以...
    2026-02-05
  • 玻璃-钢结构的框架一体化光伏模块及使用该模块的BIPV系统，以及玻璃-钢结构的框架一体化光伏模块的制造方法
    玻璃-钢结构的框架一体化光伏模块及使用该模块的BIPV系统，以及玻璃-钢结构的框架一体化光伏模块的制造方法_埃普斯科尔株式会社_202480042888.7
    本发明涉及一种代替传统的玻璃‑玻璃结构或玻璃‑背板结构的光伏模块，不需要光伏模块和框架的结合工艺的玻璃‑钢结构的框架一体化光伏模块以及使用该模块的BIPV系统，并且涉及通过一次层压工艺能够制造光伏模块和框架一体化的玻璃‑钢结构的光伏模块的玻...
    2026-02-05
  • 光半导体元件及其制造方法
    光半导体元件及其制造方法_同和电子科技有限公司_202480044821.7
    改善光半导体元件的特性。本发明的光半导体元件具有：收发光波长为第1波长的第1活性层、第1活性层上的隧道结层、以及隧道结层上的收发光波长为第2波长的第2活性层，第1活性层和第2活性层包含Sb，隧道结层具有p型InAs层和n型InAs层。
    2026-02-05
  • 发光装置、制造发光装置的方法和图像显示设备
    发光装置、制造发光装置的方法和图像显示设备_索尼半导体解决方案公司_202480019261.X
    根据本公开的实施方式的发光装置包括：驱动基板；化合物半导体层，化合物半导体层具有用作发光面的第一表面和面向驱动基板并且与第一表面相对的第二表面，化合物半导体层具有从驱动基板侧以顺序层压在其中的第一导电类型层、有源层和第二导电类型层，并且化合...
    2026-02-05
  • 显示模块及其制造方法
    显示模块及其制造方法_三星电子株式会社_202480044675.8
    公开了一种显示模块及其制造方法。显示模块可以包括：基板，包括多个电极焊盘；第一非导电粘合构件，形成在基板的表面上并且具有第一固化温度；第二非导电粘合构件，形成在第一非导电粘合构件上并具有第二固化温度；以及多个发光元件，接合到多个电极焊盘。多...
    2026-02-05
  • 空穴传输体、光电转换元件以及组合物
    空穴传输体、光电转换元件以及组合物_松下知识产权经营株式会社_202480044384.9
    本公开的空穴传输体包含有机半导体、和对纯水的临界胶束浓度为0.001g/L以上且0.080g/L以下的非离子系表面活性剂。本公开的光电转换元件(100)具备第1电极(2)、光电转换层(4)、空穴传输层(5)以及第2电极(6)，空穴传输层(5...
    2026-02-05
  • 发光二极管显示器件和显示装置
    发光二极管显示器件和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000976.0
    一种本公开的实施例提供一种发光二极管显示器件和显示装置，该发光二极管显示器件包括：在第一方向上依次层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极，发光功能层包括在第一方向上依次层叠设置的第一有机层、第一发光层、第三有机层、电荷产生层、第四有机层、...
    2026-02-05
  • 电荷传输性墨组合物和表面处理金属氧化物纳米粒子溶胶
    电荷传输性墨组合物和表面处理金属氧化物纳米粒子溶胶_日产化学株式会社_202480044268.7
    作为金属氧化物纳米粒子的对于有机溶剂的分散性提高、形成具有电荷传输性、同时平坦性优异的膜的电荷传输性墨组合物，提供电荷传输性墨组合物，其包含表面处理金属氧化物纳米粒子、和有机溶剂，所述表面处理金属氧化物纳米粒子具有包含从选自Ti、Fe、Zr...
    2026-02-05
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