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最新专利技术
  • 具有Janus结构的吸波薄膜的制备方法及具有Janus结构的吸波薄膜
    具有Janus结构的吸波薄膜的制备方法及具有Janus结构的吸波薄膜_深圳市信维通信股份有限公司_202511474657.6
    本申请实施例涉及吸波薄膜技术领域，尤其是涉及一种具有Janus结构的吸波薄膜的制备方法及具有Janus结构的吸波薄膜。在本申请的实施例中，第一薄膜层为负载有中空Fe33O44纳米粒子的芳纶纤维层；第二薄膜层为负载有Ti33C22Txx的芳纶...
    2026-02-08
  • 一种磁性碳基复合材料及其制备方法
    一种磁性碳基复合材料及其制备方法_北京环境特性研究所_202511532880.1
    本发明提供了一种磁性碳基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将金属原料和二水合柠檬酸三钠在水中混合，加入配体，静置收集沉淀，然后干燥得到MOF前驱体；(2)将步骤(1)的MOF前驱体与N, N‑二甲基甲酰胺混合，加入聚丙烯...
    2026-02-08
  • 一种半导体芯片封装贴片机
    一种半导体芯片封装贴片机_江苏润鹏半导体有限公司_202511281905.5
    本发明公开了一种半导体芯片封装贴片机，包括工作台和安装槽，所述安装槽开设在工作台的上表面，所述安装槽的内部固定安装有驱动电机，所述驱动电机的输出端通过转轴固定安装有送料盘，所述送料盘的上表面开设有若干个放料口，所述送料盘上表面固定安装有与放...
    2026-02-08
  • 一种SMD贴片整脚机
    一种SMD贴片整脚机_于都县昇达电子制造有限公司_202511557294.2
    本发明公开了一种SMD贴片整脚机，涉及芯片处理技术领域，包括本体以及固定安装于本体上的导轨和安装架，安装架上设置有底板和压板，底板上分别设置有下夹板以及与导轨两侧正对的引导条。该发明在进行工作时，芯片沿着倾斜的导轨向下滑动，最下方的芯片在引...
    2026-02-08
  • 输送装置、元件盒和传送方法
    输送装置、元件盒和传送方法_先进装配系统有限责任两合公司_202510981562.7
    本发明涉及一种用于借助至少一个元件带(120)将元件(110)输送到用于装配衬底的自动装配机(100)的输送装置(10)，所述输送装置(10)具有用于切断元件带(120)的切割装置(20)、用于使元件带(120)进给(208)和回送(204...
    2026-02-08
  • 一种充电器的内置线路板加工的贴片加工装置
    一种充电器的内置线路板加工的贴片加工装置_深圳市百氏源科技有限公司_202511580819.4
    本发明涉及线路板贴片领域，具体为一种充电器的内置线路板加工的贴片加工装置，包括操作台，所述操作台上设置有光杆组件，所述光杆组件由光杆和杆架组成；所述光杆组件上滑动适配有滑台，所述滑台的外端面固定安装有电机，所述电机的输出端通过联轴器连接有螺...
    2026-02-08
  • 一种表面贴装元器件的高度缺陷识别方法及系统
    一种表面贴装元器件的高度缺陷识别方法及系统_广州市柯洱斯电子有限责任公司_202511523390.5
    本发明涉及SMT贴片技术领域，尤其涉及一种表面贴装元器件的高度缺陷识别方法及系统，其先获取表面贴装电路板在贴片焊接完成之前的生产工艺数据，然后根据生产工艺数据，得到贴片焊接的高度预测量，之后获取表面贴装电路板在贴片焊接完成之后的高度实测量，...
    2026-02-08
  • 贴片机的自动换料方法、系统和贴片机
    贴片机的自动换料方法、系统和贴片机_珠海博杰电子股份有限公司_202511862160.1
    本发明公开了涉及一种贴片机的自动换料方法、系统和贴片机，应用于贴片机的自动换料系统，系统包括任务调度模块以及搭载有视觉模组和换料操作模组的移动执行模块，该方法具体包括：响应于贴片机的料带剩余状态，任务调度模块生成换料指令；移动执行模块响应换...
    2026-02-08
  • 半导体器件及其制备方法和电子设备
    半导体器件及其制备方法和电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001514.9
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法和电子设备。半导体器件包括设置在衬底上的多个存储单元阵列，每个存储单元包括：晶体管，包括第一电极、第二电极、位于第一电极与第二电极之间的半导体层和栅电极；半导体层沿垂直于衬底的方向延伸；栅电极环绕半导体...
    2026-02-08
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411017092.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，包括：多层沿垂直于衬底方向堆叠的存储单元阵列，存储单元阵列包括至少一列沿平行于衬底的第二方向分布的多个存储单元；多条位线，位线贯穿不同层的存储单元垂直延伸；同层同列的存储单元分别连接到沿第二方向间隔分布...
    2026-02-08
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411017104.3
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，包括：多层沿垂直于衬底方向堆叠的存储单元阵列，存储单元阵列包括至少一列沿平行于衬底的第二方向分布的多个存储单元；多条位线，位线贯穿不同层的存储单元垂直延伸；同层同列的存储单元分别连接到沿第二方向间隔分布...
    2026-02-08
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411017493.X
    本申请提供一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，存储阵列包括多个堆叠单元，多个堆叠单元沿存储阵列的厚度方向堆叠，每一堆叠单元包括多个存储单元。存储单元包括位线结构、沟道结构、字线结构和电容结构，沿第一方向上，位线结构、字线结构和电容结...
    2026-02-08
  • 半导体结构及其制作方法、电子设备
    半导体结构及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411017909.8
    本公开涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备，通过优化工艺流程，在形成交替堆叠的第一绝缘层和第一导电层的过程中，在每层第一导电层中形成第二绝缘层，利用第二绝缘层占据用于形成半导体沟道的位置，以在沉积栅导电层形成栅极之前，刻蚀去除晶体管区的...
    2026-02-08
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411017939.9
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；位线，贯穿不同层的所述存储单元沿着垂直所述衬底方向延伸；多条字线，分布于不同层，所述字线和所述位线沿平行于所述衬底的第一方向分布，所述...
    2026-02-08
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411017944.X
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿不同层的存储单元沿着垂直衬底方向延伸；多条位线，分布于不同层，字线和位线沿平行于衬底的第一方向分布，位线沿着平行于衬底的第二方向...
    2026-02-08
  • 半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411018532.8
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备。该半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；接着在衬底的一侧制作多个呈阵列分布的半导体柱以及位于半导体柱之间的第一绝缘结构，并使半导体柱沿垂直于半导体柱阵列平面的方向延伸，第一绝缘结构...
    2026-02-08
  • 半导体结构及其制造方法、半导体器件
    半导体结构及其制造方法、半导体器件_长鑫科技集团股份有限公司_202411022419.7
    一种半导体结构及其制造方法、半导体器件。该半导体结构包括衬底，衬底包括存储区、外围区以及位于存储区和外围区之间的过渡区，过渡区中有第一隔离结构。第一沟槽，位于隔离结构中，第一沟槽沿第一方向延伸；第一沟槽的深度小于隔离结构的深度。该半导体结构...
    2026-02-08
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510365639.8
    一种半导体器件可以包括：半导体衬底，包括水平部分和从所述水平部分向上突出的垂直部分；位线，位于所述半导体衬底上并且在与所述半导体衬底的底表面平行的第一方向上延伸；字线，位于所述位线上并且在与所述半导体衬底的所述底表面平行的第二方向上延伸，所...
    2026-02-08
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510889740.3
    本申请涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括在沿第一方向水平延伸的沟槽中竖直延伸穿过竖直交替绝缘层级及存储器单元层级的数字线。所述数字线在所述沟槽中的个别者中包括数字线对。所述个别沟槽中的所述对在所述第一方向上...
    2026-02-08
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510913911.1
    本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。一种用于形成包括存储器单元的存储器电路系统的方法包括形成竖直交替的绝缘层面与存储器单元层面。存储器单元个别地包括包含栅极的水平晶体管，栅极包括多条水平导电存取线中一者的部分，多条水平导...
    2026-02-08
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