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最新专利技术
  • 太阳电池的镀膜方法、膜层、太阳电池、光伏组件
    太阳电池的镀膜方法、膜层、太阳电池、光伏组件_通威太阳能(彭山)有限公司_202511148699.0
    本申请涉及太阳电池技术领域，公开一种太阳电池的镀膜方法、膜层、太阳电池、光伏组件。镀膜方法采用镀膜设备进行，镀膜设备包括工艺管以及设置于工艺管的主体加热结构和辅助加热结构；镀膜方法包括：升温预处理：开启主体加热结构加热放置有待镀膜件的工艺管...
    2026-05-09
  • 一种ALD设备用双花篮半片理片机构
    一种ALD设备用双花篮半片理片机构_艾华(无锡)半导体科技有限公司_202511304664.1
    本发明是一种ALD设备用双花篮半片理片机构，其结构是伺服电机输出端驱动连接同动轴，同动轴两端分别传动连接一同步齿形带，两侧同步齿形带分别通过一同步带夹块连接安装架的两端，第一、第二理片机构同侧的同步带夹块分别通过一滑块滑动连接在同一直线导轨...
    2026-05-09
  • 一种用于半导体设备的稳流模块及其使用方法
    一种用于半导体设备的稳流模块及其使用方法_盛吉盛半导体科技(北京)有限公司_202511540513.6
    本发明公开了一种用于半导体设备的稳流模块及其使用方法，其属于半导体设备技术领域，所述用于半导体设备的稳流模块包括外壳，外壳的一侧均匀设有进气端接口，外壳对称的另一侧设有出气端接口，进气端接口和出气端接口的数量相同，进气端接口和出气端接口之间...
    2026-05-09
  • 多通道分离器线轴
    多通道分离器线轴_应用材料公司_202511569868.8
    此处所述的实施例涉及具有多通道分离器线轴的气体管线系统。在这些实施例中，气体管线系统将包括配置成供应第一气体的第一气体管线。第一气体管线通过在其中流动第一气体的多个第二气体管线耦合至多通道分离器线轴。多个第二气体管线中的各个气体管线将具有比...
    2026-05-09
  • 一种气体温度可控供给的自动化CVD气相沉积设备及方法
    一种气体温度可控供给的自动化CVD气相沉积设备及方法_青岛理工大学_202511663764.3
    本发明公开了一种气体温度可控供给的自动化CVD气相沉积设备及方法，解决了现有技术中CVD气相沉积炉无法保证进入反应炉内气体的压力和温度的问题，具有提高镀层质量的有益效果，具体方案如下：一种气体温度可控供给的自动化CVD气相沉积设备，包括依次...
    2026-05-09
  • 一种基于原子层沉积的钙钛矿薄膜表界面水处理方法
    一种基于原子层沉积的钙钛矿薄膜表界面水处理方法_华侨大学_202511892737.3
    本发明属于能源材料和光电显示领域，具体公开了一种基于原子层沉积的钙钛矿薄膜表界面水处理方法，其特征在于，包括如下步骤：在洁净的基板上制备钙钛矿薄膜；将钙钛矿薄膜放置于原子层沉积设备的反应腔中，然后对反应腔抽气并加热；设置沉积模式和沉积工艺参...
    2026-05-09
  • 一种产品附着均匀的化学气相沉积设备
    一种产品附着均匀的化学气相沉积设备_浙江阿童木科技有限公司_202511970697.X
    本发明涉及气相沉积技术领域，尤其涉及一种产品附着均匀的化学气相沉积设备，其包括化学气相沉积镀膜箱和均匀进气系统，均匀进气系统包括一级均匀混气组件、二级均匀混气组件和三级均匀混气组件；一级均匀混气组件包括收口筒，收口筒上端螺接安装有第二结构盘...
    2026-05-09
  • 一种旋转组件、半导体工艺设备
    一种旋转组件、半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511468817.6
    本申请提供了一种旋转组件、半导体工艺设备，旋转组件包括：套筒，内壁设置有第一台阶结构；转轴，设置在套筒的内腔中并设置有第二台阶结构；压块结构设置在第二台阶结构上且与套筒连接；第一密封结构，设置在套筒和转轴之间的第一环形容纳腔；第一密封结构包...
    2026-05-09
  • 一种可实现正面无卡点印及双面镀膜的石墨舟和方法
    一种可实现正面无卡点印及双面镀膜的石墨舟和方法_湖南红太阳光电科技有限公司_202511572843.3
    本发明公开了一种可实现正面无卡点印及双面镀膜的石墨舟和方法，该石墨舟包括舟托和至少一个舟架，舟架包括引电杆，引电杆上依次交替套设有引电环和内绝缘环，引电杆分成两组，在不同组引电杆上的引电环和绝缘环之间设有中间舟片，通过引电杆使相邻的中间舟片...
    2026-05-09
  • 一种工艺腔室及薄膜沉积设备
    一种工艺腔室及薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511669114.X
    本发明提供了一种工艺腔室及薄膜沉积设备。工艺腔室包括：加热盘，具有与待加工晶圆同向弯曲的吸附表面，其中，所述吸附表面分布有多个真空吸附部；以及喷淋头，至少用于向被所述待加工晶圆提供沉积薄膜的工艺气体。本发明能够通过使用与待加工晶圆同向弯曲的...
    2026-05-09
  • 反应腔内用钢铁件的耐腐处理方法以及反应腔内用钢铁件
    反应腔内用钢铁件的耐腐处理方法以及反应腔内用钢铁件_理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司_202511502560.1
    本发明提供反应腔内用钢铁件的耐腐处理方法以及反应腔内用钢铁件。所述反应腔内用钢铁件的耐腐处理方法首先将钢铁件表面进行脱脂除油，然后将所述钢铁件表面进行喷砂处理，接着将所述钢铁件表面进行磷化处理形成第一预定厚度的磷化膜层，之后在所述磷化膜层上...
    2026-05-09
  • 复合薄膜制备装置及其制备方法
    复合薄膜制备装置及其制备方法_湖北星辰技术有限公司_202511536164.0
    本公开实施例提供了一种复合薄膜制备装置及其制备方法，其中，复合薄膜制备装置包括：反应腔室，包括环状侧壁以及位于环状侧壁相对两端的顶部和底部；承载装置，位于反应腔室内，承载装置的顶面用于承载基底结构；旋转装置，位于反应腔室内且与承载装置的底面...
    2026-05-09
  • 用于沉积高密度和高拉伸应力的膜的系统和方法
    用于沉积高密度和高拉伸应力的膜的系统和方法_应用材料公司_202511472956.6
    半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15 MHz以上的频率下形成...
    2026-05-09
  • 钨薄膜制作设备和方法
    钨薄膜制作设备和方法_杭州积海半导体有限公司_202511523479.1
    本发明提供一种钨薄膜制作设备和方法，属于半导体制造技术领域，本发明的钨薄膜制作设备包括工艺腔、承载台、遮挡罩存放室和遮挡机构。其中，承载台设置在工艺腔中，承载台用于承载晶圆；遮挡罩存放室设置在工艺腔一侧；遮挡机构设置在遮挡罩存放室中，遮挡机...
    2026-05-09
  • 3D NAND膜的沉积系统、沉积方法及一种存储介质
    3D NAND膜的沉积系统、沉积方法及一种存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511554581.8
    本发明提供了一种3D NAND膜的沉积系统，包括工艺腔室、射频电源和控制器。该工艺腔室用于容纳待成膜的晶圆。该射频电源用于向工艺腔室提供射频电场。该控制器被配置为根据3D NAND膜厚度与硬度的第一对应关系，以及3D NAND膜硬度与射频功...
    2026-05-09
  • 用于增强化学气相沉积的反应腔及等离子体均匀化方法
    用于增强化学气相沉积的反应腔及等离子体均匀化方法_正奇光能科技有限公司_202511544299.1
    本发明涉及气相沉积技术领域，且公开了用于增强化学气相沉积的反应腔，包括腔体主体，所述腔体主体的两端分别设置有气体入口和抽气口，所述腔体主体的内壁表面设置有绝缘屏蔽层，所述腔体主体的内壁环绕设置有磁场增强组件，靠近腔体主体内壁底部设置有载物台...
    2026-05-09
  • 一种2.45GHZ的多模上进波微波等离子体装置及设计方法
    一种2.45GHZ的多模上进波微波等离子体装置及设计方法_杭州电子科技大学_202511289985.9
    本发明公开了一种2.45GHZ的多模上进波微波等离子体装置及设计方法，装置包括微波激励源、矩形波导、短路活塞、模式转换天线、石英窗口、沉积腔室、沉积台和沉积衬底，其中，模式转换天线为倒梯形的环形天线，矩形波导和短路活塞均设置模式转换天线的上...
    2026-05-09
  • 一种双通道结构复合左右手超材料波导的双面辐射装置
    一种双通道结构复合左右手超材料波导的双面辐射装置_杭州电子科技大学_202511294684.5
    本发明公开了一种双通道结构复合左右手超材料波导的双面辐射装置，包括若干个波导单元、输入波导和隧穿波导，其中，由多个周期性重复的波导单元排列形成超材料阵列；一输入波导，连接于所述超材料阵列的一端，用于馈入电磁波；一隧穿波导，设置于所述输入波导...
    2026-05-09
  • 用于CVD系统的阀控制方法
    用于CVD系统的阀控制方法_卡纳图芬兰有限公司_202510948355.1
    本申请涉及用于CVD系统的阀控制方法。公开了用于化学气相沉积的方法和系统。打开反应器和收集室之间的收集阀以及收集阀和收集室之间的吹扫阀，同时打开收集室的旁路阀打开，以便将收集阀和旁路阀之间的碎屑吹扫通过旁路阀。此后，关闭吹扫阀并打开收集阀，...
    2026-05-09
  • 碳纳米管CVD生长炉温度场多区域协同控制方法及系统
    碳纳米管CVD生长炉温度场多区域协同控制方法及系统_河南国碳纳米科技有限公司_202511482144.X
    本发明涉及控制系统技术领域，公开了碳纳米管CVD生长炉温度场多区域协同控制方法及系统，包括获取多个温区的实时温度，计算各温区的温度偏差；计算实际温度梯度，若实际温度梯度的变化率超过预设阈值，则计算梯度维持偏差，否则梯度维持偏差为零；计算增益...
    2026-05-09
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