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最新专利技术
  • 电子装置制造方法
    电子装置制造方法_三星显示有限公司_202510902619.X
    公开是一种电子装置制造方法，其包括：形成基础层；形成电路元件层；以及形成显示元件层。形成显示元件层包括：在第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域中的每个中形成第一阳极；在第一阳极上形成第一蚀刻停止层；在第一蚀刻停止层上形成第一绝缘层；形成...
    2026-01-27
  • 一种梯度掺杂钙钛矿太阳能电池吸光层分层结构及其制备方法
    一种梯度掺杂钙钛矿太阳能电池吸光层分层结构及其制备方法_东南大学成贤学院_202511881417.8
    本发明公开了一种梯度掺杂钙钛矿太阳能电池吸光层分层结构及其制备方法，在电子传输层和空穴传输层中间的钙钛矿层分为两层，接近电子传输层的钙钛矿层为富含溴离子的钙钛矿底层，在所述富含溴离子的钙钛矿底层与空穴传输层之间为富含碘离子的钙钛矿顶层；所述...
    2026-01-27
  • 一种有机电致发光器件
    一种有机电致发光器件_石家庄诚志永华显示材料有限公司_202410971551.6
    本发明提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的第一有机层和第二有机层，其中，所述第一有机层包含结构通式如式I所示的第一化合物，第二有机层包含结构通式如式II所示的第二化合物，W选自O或S。本发明...
    2026-01-27
  • 组合物及其制备方法、光电器件、显示装置
    组合物及其制备方法、光电器件、显示装置_广东聚华新型显示研究院_202410980532.X
    本申请公开了一种组合物及其制备方法、光电器件、显示装置，涉及显示技术领域。组合物包括P型半导体材料和超分子化合物，超分子化合物包括主体分子和客体分子，主体分子包括心环烯及心环烯衍生物中的一种或几种，客体分子包括富勒烯及富勒烯衍生物中的一种或...
    2026-01-27
  • 压电薄膜传感器及压电薄膜传感器的制造方法
    压电薄膜传感器及压电薄膜传感器的制造方法_株式会社村田制作所_202510775935.5
    本发明提供一种在粘贴于被粘物的曲面部分的情况下也能够抑制回弹的压电薄膜传感器及压电薄膜传感器的制造方法。压电薄膜传感器是层叠有压电薄膜、第1电极、第2电极以及第1基材的层叠体构造，所述压电薄膜具有第1主表面及第2主表面，所述第1电极配置于所...
    2026-01-27
  • 磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410973755.3
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法，其中磁阻式随机存取存储器包含一底电极、一自旋轨道转矩层、一磁隧穿结以及一顶电极。自旋轨道转矩层设置于底电极上，磁隧穿结设置于自旋轨道转矩层上，顶电极设置于磁隧穿结上，其中顶电极包含一金属碳...
    2026-01-27
  • 一种自卷曲片上磁畴存储器件及制备方法
    一种自卷曲片上磁畴存储器件及制备方法_复旦大学_202511535394.5
    本申请公开了一种自卷曲片上磁畴存储器件及制备方法，属于存储技术领域，该器件包括：衬底、牺牲层和自卷曲管状结构；自卷曲管状结构的第一端设置在牺牲层表面，自卷曲管状结构的第二端向内卷曲；自卷曲管状结构自外向内依次设置有绝缘保护层、应变驱动层、图...
    2026-01-27
  • 磁传感器及其制造方法
    磁传感器及其制造方法_TDK株式会社_202510986220.4
    本发明涉及磁传感器及其制造方法。磁传感器具备多个磁轭、多个MR元件、以及多个桥接电路。多个磁轭包含在第一方向上配置于相同位置的多个第一磁轭。多个桥接电路包含在第一方向上配置于互不相同的位置且被配置为夹着多个第一磁轭的第一桥接电路及第二桥接电...
    2026-01-27
  • 电子设备、磁阻器件及其制备方法
    电子设备、磁阻器件及其制备方法_苏州凌存科技有限公司_202511942883.2
    本申请公开了一种电子设备、磁阻器件及其制备方法。该磁阻器件包括：衬底；磁响应器件，设于所述衬底的一侧，且包括磁性功能层；电感线圈，与所述磁响应器件位于所述衬底的同一侧；所述电感线圈包括第一走线和第二走线，所述第二走线位于所述第一走线背向所述...
    2026-01-27
  • 基于铪锆氧/氧化碲异质结的自整流忆阻器及其制备和应用
    基于铪锆氧/氧化碲异质结的自整流忆阻器及其制备和应用_西安电子科技大学_202511661407.3
    本发明公开了一种基于铪锆氧/氧化碲异质结的自整流忆阻器及其制备和应用，以二氧化碲为蒸发源，将TiN/HZO的衬底置于真空蒸镀设备中蒸镀二氧化碲薄膜，最后在二氧化碲薄膜上蒸镀金属电极并进行空气退火得到所述自整流忆阻器，其表现出良好的开关特性和...
    2026-01-27
  • 一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型
    一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型_上海芯源创新中心_202511924322.X
    本发明提供一种忆阻器及其制备方法、忆阻器仿真模型，通过控制氧化铪基薄膜层中Zr掺杂的浓度以调控氧空位的浓度，有效调节氧空位的迁移速率，当施加外加电场后，氧离子在强电场作用下向顶电极界面迁移，留下带正电的氧空位，从而在氧化铪基薄膜层中形成由氧...
    2026-01-27
  • 铁电隧道结、存储器及铁电隧道结制备方法
    铁电隧道结、存储器及铁电隧道结制备方法_北京大学_202410963678.3
    本发明涉及集成电路技术领域，提供一种铁电隧道结、存储器及铁电隧道结制备方法，所述铁电隧道结包括：电极层、铁电层、导电功能层和半导体层，所述铁电层位于所述电极层和导电功能层之间，所述半导体层位于导电功能层背离所述铁电层的一侧，所述导电功能层的...
    2026-01-27
  • 金属绝缘层金属电容结构及其制备方法
    金属绝缘层金属电容结构及其制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410959910.6
    本发明提供了一种金属绝缘层金属电容结构及其制备方法，所述金属绝缘层金属电容结构包括：半导体基底，其上设有第一电极层；设于所述第一电极层上的第一氧化铝层；设于所述第一氧化铝层上的包括多层介电层的介电叠层，所述介电叠层中任一介电层的厚度均大于所...
    2026-01-27
  • 一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用
    一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用_甬江实验室_202511908696.2
    本申请提供了一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。制备方法：提供In掺杂氧化镓靶材，其结构式为(InxxGa1‑x1‑x)22O33, 0＜x≤0.05，其中In掺杂的浓度≤5%摩尔比；将In掺杂氧化镓靶材沉积在衬底上，生长In掺杂氧化镓薄...
    2026-01-27
  • ONO层的制作方法和炉管机台
    ONO层的制作方法和炉管机台_华虹半导体(无锡)有限公司_202511384630.8
    本申请公开了一种ONO层的制作方法和炉管机台，该方法包括：通过传送装置将晶圆从存储腔室传送至炉管机台的晶舟上，晶圆上依次形成有第一氧化物层和氮化物层，在传送晶圆的过程中，使晶圆以穿过其圆心的法线为轴旋转预定角度；通过CVD工艺在氮化物层上沉...
    2026-01-27
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410950259.6
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法。该制备方法中，利用第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入在衬底内形成第一注入区和第二注入区，并使此两个注入区的交叠面积减小，甚至可使此两个注入区间隔设置而存在有未注入区，从而可降低离子总量，用于补偿由阱邻近...
    2026-01-27
  • 一种硅片及其处理方法
    一种硅片及其处理方法_天津中环领先材料技术有限公司_202511527951.9
    本申请实施例公开了一种硅片及其处理方法，属于半导体制造技术领域。硅片处理方法包括：根据硅片的初始电阻率ρ00进行分类，形成至少一个处理组别，同一所述处理组别内，满足任意两片硅片的初始电阻率差值小于等于10ohm.cm；对同一处理组别所包含的...
    2026-01-27
  • 面向先进节点的半导体结构的制备方法和半导体结构
    面向先进节点的半导体结构的制备方法和半导体结构_中国科学院微电子研究所_202511295079.X
    本发明公开面向先进节点的半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体制备技术领域，以解决现有技术中在制备面向先进节点的半导体结构时，制备流程繁琐且结构图形边缘质量恶化的问题。方法包括：在底层结构上形成叠层；在掩膜层表面形成初始图形，并将初始...
    2026-01-27
  • DTC LPCVD掺杂多晶硅刻蚀去除聚合物的方法
    DTC LPCVD掺杂多晶硅刻蚀去除聚合物的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511240614.1
    本发明公开了一种DTC LPCVD掺杂多晶硅刻蚀去除聚合物的方法，在半导体衬底中刻蚀形成深沟槽，淀积第一电极层、氧化硅层以及LPCVD多晶硅层；涂布光刻胶并图案化，对所述的LPCVD多晶硅层进行刻蚀以及过刻蚀；进行一次Ar及O22氛围下的i...
    2026-01-27
  • 表面改性的碳化硅晶圆及其表面处理方法和应用
    表面改性的碳化硅晶圆及其表面处理方法和应用_浙江晶盛机电股份有限公司_202511294461.9
    本发明涉及一种表面改性的碳化硅晶圆及其表面处理方法和应用，所述表面处理方法包括如下步骤：采用酸溶液对碳化硅晶圆进行预处理，使预处理后的碳化硅晶圆表面粗糙度为Ra，单位为nm；采用含氟硅烷溶液对预处理后的碳化硅晶圆进行冲洗反应，其中，含氟硅烷...
    2026-01-27
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