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最新专利技术
  • 一种基于石墨烯与多孔PbSe结合的光电探测器及其制备方法
    一种基于石墨烯与多孔PbSe结合的光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511639656.2
    本发明公开一种基于石墨烯与多孔PbSe结合的光电探测器及其制备方法，具体包括以下步骤：S1：将待需要的石墨烯转移到第一基底表面，形成第一样品；S2：首先在第一样品上制作第一电极阵列和第二电极阵列，然后在第一电极阵列之间构建第一石墨烯条带窗口...
    2026-04-29
  • 一种Ga2O3基线偏振日盲探测器和偏光计
    一种Ga2O3基线偏振日盲探测器和偏光计_东北师范大学_202511433365.8
    本发明公开了一种Ga22O33基线偏振日盲探测器和偏光计，Ga22O33基线偏振日盲探测器主要包括：Si/SiO22或另一PDMS衬底、基于传统机械剥离法制备的β‑Ga22O33薄膜、利用电子束光刻或热蒸发的方法制备的双叉指金电极。上述的S...
    2026-04-29
  • 一种柔性二维光电器件及其制备方法
    一种柔性二维光电器件及其制备方法_浙江工业大学_202511398965.5
    一种柔性二维光电器件，包括PET柔性基底以及设置于所述PET基底上的银电极，所述银电极具有预定间隙，覆盖所述电极间隙的In22Se33/WS22异质结结构。以及提供一种柔性二维光电器件的制备方法，包括以下步骤：S1、柔性基底预处理与电极制备...
    2026-04-29
  • 零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及应用
    零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511497524.0
    本发明公开了一种零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及其应用。该方法首先通过设计HEMT器件结构，并调整器件参数，使跨导峰值电压控制在0±50 mV范围内。与传统方法相比，本发明通过直接调控器件参数(如势垒层厚度、沟道层成分比例)，即可...
    2026-04-29
  • 图像传感器的像素结构及其制作方法、图像传感器
    图像传感器的像素结构及其制作方法、图像传感器_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410936340.9
    本发明提供一种图像传感器的像素结构及其制作方法、图像传感器，所述像素结构包括：形成于第一衬底上的光电转换二极管、电荷转移闸门晶体管与浮动扩散缓存，以及形成于第二衬底上的第一存储电容控制晶体管、第二存储电容控制晶体管、第一源跟随器晶体管与行选...
    2026-04-29
  • 图像传感器的像素结构、制作方法及图像传感器
    图像传感器的像素结构、制作方法及图像传感器_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410936342.8
    本发明提供一种图像传感器的像素结构、制作方法及图像传感器，所述像素结构包括：形成于第一衬底上的光电转换二极管、电荷转移闸门晶体管与浮动扩散缓存，以及形成于第二衬底上的源跟随器晶体管、行选择器晶体管与复位晶体管，且位于不同衬底上的晶体管通过互...
    2026-04-29
  • 集成芯片及其形成方法
    集成芯片及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511364977.6
    在一些实施例中，本公开实施例涉及集成芯片。集成芯片包括具有器件区域的衬底，器件区域具有一个或多个半导体器件。衬底具有沿器件区域的相对侧在衬底内形成一个或多个沟槽的一个或多个内表面。多层膜堆叠件沿衬底的一个或多个内表面设置。芯材料布置在一个或...
    2026-04-29
  • 硅通孔的无掩膜刻蚀方法
    硅通孔的无掩膜刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406365.9
    本发明提供一种硅通孔的无掩膜刻蚀方法。该方法包括：采用第一连续射频波等离子体刻蚀工艺对第一介质层进行刻蚀；采用脉冲等离子体刻蚀工艺对第二介质层进行刻蚀；以及采用第二连续射频波等离子体刻蚀工艺对第二介质层进行进一步刻蚀。其中，脉冲等离子体刻蚀...
    2026-04-29
  • 一种像素单元、像素阵列及其探测系统
    一种像素单元、像素阵列及其探测系统_西安交通大学医学院第一附属医院_202511459208.4
    本发明公开了一种像素单元、像素阵列及其探测系统，属于半导体技术领域通过大面积的第二SPAD器件确保对弱光信号的高灵敏度捕捉，同时通过小面积的第一SPAD器件应对强光场景，避免信号饱和，最终通过两者的计数结果协同，实现对不同光强场景下被摄体强...
    2026-04-29
  • 一种用于预测密封环剥离缺陷的方法
    一种用于预测密封环剥离缺陷的方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511894676.4
    一种用于预测密封环剥离缺陷的方法，该方法包括：提供已完成前段工艺且形成有密封环的晶圆；对所述晶圆进行至少一次退火处理，并在每次所述退火处理后对所述密封环执行缺陷检测；基于所述缺陷检测的检测结果评估所述晶圆在后续背照式工艺中发生密封环剥离缺陷...
    2026-04-29
  • 基于谐振腔调控光谱的胶体量子点红外探测器及方法
    基于谐振腔调控光谱的胶体量子点红外探测器及方法_北京理工大学_202511526444.3
    公开了基于谐振腔调控光谱的胶体量子点红外探测器及其制备方法、工作方法，能够实现短波与中波红外的双波段响应和图像融合能力，实现光谱响应中心波长在1.85–3.86μm范围内的可调谐性。通过在器件结构中引入法布里–珀罗谐振腔，不仅提升了光收集效...
    2026-04-29
  • 一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法
    一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511224811.4
    一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法，所述一种红外焦平面阵列芯片组件，铟柱均匀分布于锑化铟芯片下表面与电路上表面之间，所述填充胶采用真空灌注于锑化铟芯片下表面与电路上表面之间；所述背减薄抛光制备方法包括倒装互连、环氧胶填充固化、石英...
    2026-04-29
  • 锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法
    锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511370439.8
    锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法，涉及红外焦平面探测器制备技术领域，包括红外焦平面芯片、硅读出电路、金属电极层、铟柱、环氧树脂胶和介质保护膜，红外焦平面芯片、硅读出电路与多根铟柱通过环氧树脂胶粘接在一起，形成焦平面阵列组件，...
    2026-04-29
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202411788666.8
    本申请涉及图像感测装置。公开了图像感测装置及其制造方法。在实施方式中，一种图像感测装置包括：多个像素区域和多个非像素区域；多个光电检测器，其设置在多个像素区域中；多个沟槽隔离部分，每个沟槽隔离部分在多个非像素区域中设置于多个光电检测器当中的...
    2026-04-29
  • 像素单元、图像传感器、摄像装置、电子设备及交通工具
    像素单元、图像传感器、摄像装置、电子设备及交通工具_比亚迪股份有限公司_202511248067.1
    本申请实施例提供一种像素单元、图像传感器、摄像装置、电子设备及交通工具，包括第一像素区和第二像素区，第一像素区和第二像素区在衬底的深度方向分层设置，也即第一像素区和第二像素区纵向布置，则第一像素区和第二像素区不在同一个平面，使得第一像素区和...
    2026-04-29
  • 集成芯片及其形成方法
    集成芯片及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511379429.0
    本申请的实施例公开了一种集成芯片及其形成方法。集成芯片包括光电探测器、传输晶体管、第一像素晶体管、电容器、第二像素晶体管和接合结构。传输晶体管的第一端子耦合到光电探测器的第一端子。第一像素晶体管位于第一半导体芯片上。第一像素晶体管的第一端子...
    2026-04-29
  • 半导体结构、图像传感器
    半导体结构、图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511923284.6
    本申请提供了一种半导体结构、图像传感器。半导体结构包括：衬底、光电二极管和彩色滤光元件；其中，光电二极管包括：依次层叠于像素区表面的第一光电功能层、第二光电功能层、第三光电功能层，以及形成于第一光电功能层两侧的第四光电功能层；第一光电功能层...
    2026-04-29
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510907412.1
    一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括一第一转换器结构、一第二转换器结构及一第一波导部分。该第一转换器结构用以调变一光学光以产生一第一经调变光。该第二转换器结构用以调变该第一经调变光以产生一第二经调变光。该第一波导部分用以使该第一经调变...
    2026-04-29
  • 电池片的制备方法
    电池片的制备方法_通威太阳能(金堂)有限公司_202410926242.7
    本申请提供一种电池片的制备方法，包括以下步骤：按目标电池片的尺寸对原硅片进行切割图形绘制，切割图形在原硅片上形成切割区，切割区位于目标电池片之间。将切割图形导入加工设备对原硅片进行二次切割，其中包括：通过第一次切割对切割区进行整体厚度削减；...
    2026-04-29
  • 一种用于生产电池串的智能固定方法
    一种用于生产电池串的智能固定方法_北京朗银科技有限公司_202510107392.X
    本发明涉及电池串生产技术领域，特别是指一种用于生产电池串的智能固定方法。该方法包括：通过自动化上料传输，电池片依次进行背面热压和正面热压，循环此过程，实现生产目标电池串，将电池片在第一热压工位进行一次热压，热压后转移至第二热压工位，在第二热...
    2026-04-29
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