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最新专利技术
  • 一种在蓝宝石衬底上制备高结晶质量β-Ga2O3异质外延薄膜的方法
    一种在蓝宝石衬底上制备高结晶质量β-Ga2O3异质外延薄膜的方法_大连理工大学_202511476902.7
    本发明提供一种在蓝宝石衬底上制备高结晶质量β‑Ga22O33异质外延薄膜的方法，包括以下步骤：选用蓝宝石单晶晶片作为衬底，将其清洗过后放入金属有机化学气相沉积设备中；以三甲基镓或三乙基镓为镓源，以氧气为氧源，生长厚度10 nm以下的β‑Ga...
    2026-01-25
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质_株式会社国际电气_202510241369.X
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质。提供能够有效地调节吸附于衬底表面上的抑制剂的状态的技术。具有：(a)准备衬底的工序，所述衬底具有第1表面及第2表面且在所述第1表面及所述第2表面吸附有抑制剂；和b)使所述衬底暴露...
    2026-01-25
  • 一种半导体结构的制造方法
    一种半导体结构的制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410924486.1
    本公开提供了一种半导体结构的制造方法，本公开提供一表面具有SiO22保护层的Si支撑衬底；减薄SiO22保护层，形成SiO22中间层；在SiO22中间层远离Si支撑衬底一侧设置Si生长衬底；在Si生长衬底远离Si支撑衬底一侧设置器件层。本公...
    2026-01-25
  • 碳化硅器件的制造方法
    碳化硅器件的制造方法_杰平方半导体(上海)有限公司_202410921441.9
    本发明提供一种碳化硅器件的制造方法，在形成体区和源区之后，先执行退火工艺，以激活体区和源区中的离子；然后，在碳化硅外延层上形成图形化的层间介质层，图形化的层间介质层中具有一开口，开口对准相邻的两个源区之间的体区和碳化硅外延层；接着，以图形化...
    2026-01-25
  • 金刚石异质结构制孔方法
    金刚石异质结构制孔方法_北京航空航天大学_202511863706.5
    本发明提供一种金刚石异质结构制孔方法，包括：提供一待加工异质结构，异质结构至少包括依次层叠设置的金刚石层、半导体膜层和金属层；金刚石表面涂覆光刻胶掩膜，依据目标制孔位置和尺寸，将激光束聚焦于光刻胶进行烧蚀去除；依据目标制孔位置和尺寸，采用对...
    2026-01-25
  • 一种脉冲电调控选择性氧化或刻蚀半导体材料的方法
    一种脉冲电调控选择性氧化或刻蚀半导体材料的方法_浙江大学_202511892844.6
    本发明涉及一种脉冲电调控选择性氧化或刻蚀半导体材料的方法，属于原子及近原子尺度极端制造领域，其先控制腔体内的湿度，之后通过xy轴电机运动平台将工件移动到待刻蚀位置，并通过z轴电机运动平台和xyz轴压电陶瓷扫描管将探针进给到工件表面，最后通过...
    2026-01-25
  • NPW样片的制备方法及其应用
    NPW样片的制备方法及其应用_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511500341.X
    本发明提供一种NPW样片的制备方法及其应用，在半导体基底上形成复合叠层，并通过旋转式托盘及喷头向位于复合叠层顶部的第一材料层的局部区域喷射第一刻蚀溶液以进行第一刻蚀工艺，形成贯穿第一材料层的第一凹槽，从而本发明可在不使用光罩及光刻胶的情形下...
    2026-01-25
  • 高表面质量砷化镓晶片的精密加工方法
    高表面质量砷化镓晶片的精密加工方法_云南鑫耀半导体材料有限公司_202511362425.1
    一种高表面质量砷化镓晶片的精密加工方法，涉及半导体材料精密加工领域，采用超细金刚线多线切割工艺进行砷化镓单晶棒切割；然后用不同目数的砂轮，对上述切片按砂轮目数从小到大，阶梯减薄；再对最终减薄片采用无硅溶胶弱碱性抛光液精抛，最后对精抛结束的晶...
    2026-01-25
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_株式会社电装_202511511862.5
    在半导体器件的制造方法中，制备由比硅硬的半导体材料制成的并且具有彼此相反的第一表面(30a)和第二表面(30b)的半导体晶圆，通过研磨半导体晶圆的第二表面形成粗化层(32)，将刀片按压粗化层以在半导体晶圆的表面层中形成竖直裂纹(C)，在形成...
    2026-01-25
  • 一种飞秒激光湿法刻蚀晶向定向方法及微结构加工方法
    一种飞秒激光湿法刻蚀晶向定向方法及微结构加工方法_山东大学_202511568125.9
    本发明提供一种飞秒激光湿法刻蚀晶向定向方法及微结构加工方法，涉及单晶硅加工技术领域，针对目前晶向定向方法需要依赖独立设备并且定向后二次装夹产生叠加误差的问题，通过粗调结合精调的定向方式，粗调阶段以单晶硅片边缘为基准，通过光标跟踪快速锁定主定...
    2026-01-25
  • 晶圆切割方法及设备
    晶圆切割方法及设备_中机(泉州)精密装备有限公司_202511392514.0
    本发明公开了一种晶圆切割方法及设备，其中方法包括：步骤S1：检测待加工晶圆位于加工承载台上的当前位置；步骤S2：计算所述当前位置与预定位置之间的偏差作为位置偏移量；步骤S3：判断所述位置偏移量是否小于偏移阈值，若是则执行步骤S4，若否则控制...
    2026-01-25
  • 用于组装离散组件的动态释放带
    用于组装离散组件的动态释放带_库力索法荷兰有限公司_202511344616.5
    该方法包括将离散组件总成定位于组件传送系统的支撑配件，该离散组件总成包括：动态释放带，其包括柔性支撑层和布置于该柔性支撑层的动态释放结构；以及离散组件，其黏着至该动态释放带。该方法包括照射该动态释放结构以从该动态释放带释放该离散组件。
    2026-01-25
  • 一种闭环式激光功率自检矫正方法及系统
    一种闭环式激光功率自检矫正方法及系统_江西兆驰半导体有限公司_202511705202.0
    本发明提供了一种闭环式激光功率自检矫正方法及系统，应用于激光划片机，该方法包括：在激光划片机中激光加工头的工艺位置外围设置嵌入式功率传感模块，用于实时监测作用于工件表面的等效激光功率；根据激光划片机的运动参数，动态生成目标激光功率，运动参数...
    2026-01-25
  • 干燥装置以及半导体清洗设备
    干燥装置以及半导体清洗设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410910160.3
    本发明提供一种干燥装置以及半导体清洗设备。其中，干燥装置包括吹气部件，用于向第一方向吹气以对待干燥件进行干燥；在与第一方向垂直的第二方向上，吹气部件具有第一端和第二端；吹气部件具有导气腔，导气腔与吹扫气源连通；吹气部件表面设置有与导气腔连通...
    2026-01-25
  • 半导体预清洗方法和半导体预清洗装置
    半导体预清洗方法和半导体预清洗装置_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511206600.8
    本发明提供了一种半导体预清洗方法，涉及半导体加工技术领域，以解决硅钛界面中氟残余量较大的问题。半导体预清洗方法用于清除晶片的硅层或锗硅层表面氧化层；方法包括：刻蚀步，提供含氟刻蚀剂，使含氟刻蚀剂与表面氧化层反应生成固态副产物；固态副产物包括...
    2026-01-25
  • 一种倒装芯片封装体的助焊剂清洗系统及清洗方法
    一种倒装芯片封装体的助焊剂清洗系统及清洗方法_南通通富微电子有限公司_202511320482.3
    本公开实施例提供一种倒装芯片封装体的助焊剂清洗系统及清洗方法，该方法中，先对晶圆和芯片的表面进行纯水的预清洗，然后再对芯片和晶圆之间的所有缝隙进行助焊剂的纯水矩阵清洗，之后再对晶圆和芯片的表面进行纯水清洗和氮气吹扫清洗，最后进行烘干完成倒装...
    2026-01-25
  • 一种提升晶片表面质量的清洗工艺
    一种提升晶片表面质量的清洗工艺_山东粤海金半导体科技有限公司_202511510873.1
    本发明涉及半导体清洗领域，公开了一种提升晶片表面质量的清洗工艺，其包括晶片预清洗及晶片终端清洗；晶片预清洗将晶片依次进行第一有机溶液清洗、纯水超声清洗、机械刷洗及第二有机溶液清洗；晶片终端清洗将晶片依次进行有机乳化溶液清洗、SPM清洗、HQ...
    2026-01-25
  • 一种硅晶圆片湿法清洗装置
    一种硅晶圆片湿法清洗装置_合肥孚烜自动化科技有限公司_202511640234.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种硅晶圆片湿法清洗装置，包括支撑机构、清洗机构和喷淋机构，支撑机构包括底座、立板、齿圈a和滑轨；立板圆周分布在底座上；齿圈a连接在立板顶端；滑轨与立板连接；清洗机构包括电机a、齿盘、支撑腿、清洗箱、U型板、...
    2026-01-25
  • 晶圆状态检测装置和半导体工艺设备、工艺控制方法
    晶圆状态检测装置和半导体工艺设备、工艺控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410904222.X
    本发明提供了一种晶圆状态检测装置和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，以解决晶圆的吸附状态不易检测的问题。晶圆状态检测装置包括升降件、升降作用件和第一电极，升降件具有导电部，升降件的顶部用于接触晶圆并配置为与静电卡盘相对升降运动；升降作...
    2026-01-25
  • 一种晶圆键合结构及其形成方法
    一种晶圆键合结构及其形成方法_中芯京城集成电路制造(北京)有限公司_202410917908.2
    本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述方法包括：提供第一晶圆结构，所述第一晶圆结构包括第一晶圆和第一键合层；对所述第一键合层的表面进行掺杂离子注入，使所述第一键合层表面形成第二键合层；对所述第二键合层的表面进行氢离子注入，使所述第二键...
    2026-01-25
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