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最新专利技术
  • 降低栅氧界面态的栅氧退火方法
    降低栅氧界面态的栅氧退火方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511352056.8
    本发明提供一种降低栅氧界面态的栅氧退火方法，该方法旨在解决薄氮氧化硅栅介质界面态密度高的问题。该方法包括：在氮气气氛下对经过氮化处理的栅氧化层进行第一退火处理；然后在该第一退火处理之后，原位地在纯氧气氛下对该栅氧化层进行再氧化处理。通过该原...
    2026-01-23
  • 深沟槽隔离结构的形成方法
    深沟槽隔离结构的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394014.0
    本发明提供了一种深沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供SOI，SOI包括依次沿着第一方向堆叠设置的底层硅、埋氧层和顶层硅；在顶层硅的表面形成图案化的硬掩膜层；在顶层硅内形成多个沿着第二方向间隔设置的第一深沟槽和多个沿着第二方向间隔设置的硅柱，...
    2026-01-23
  • 基于SOI工艺的集成悬置晶体管及其无源有源结构与电路实现方法
    基于SOI工艺的集成悬置晶体管及其无源有源结构与电路实现方法_天津大学_202511224546.X
    本发明公开了基于SOI工艺的集成悬置晶体管及其无源有源结构与电路实现方法，基于SOI工艺的集成悬置晶体管及其无源有源结构与电路，通过蚀刻工艺实现SOI悬置结构，在悬置SOI晶圆中实现电路的悬置，悬置SOI晶圆从上到下依次为顶层、埋氧化层以及...
    2026-01-23
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_南亚科技股份有限公司_202411616612.3
    本发明提供一种半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤。提供基板，在基板中形成沟槽，其中主动区从基板突出并且主动区具有第一宽度。在主动区和沟槽的侧壁上形成薄硅层。通过提供氧气气流在薄硅层上形成第一氧化物层，其中在400℃至600℃的温度范围内...
    2026-01-23
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411459542.5
    本发明提供一种半导体元件，包括基板、单元结构、第一间隔结构、第二间隔结构、位元线结构、着陆垫、以及保护层。单元结构包含第一单元结构以及第二单元结构，并且位元线结构经由第一间隔结构与第一单元结构分隔，以及经由第二间隔结构与第二单元结构，其中所...
    2026-01-23
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410890050.5
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有粘附层、刻蚀停止层、第一介质层以及贯穿所述第一介质层、刻蚀停止层和粘附层并延伸至所述半导体衬底中的硅通孔结构；填充层，位于所述硅通孔结构侧壁的...
    2026-01-23
  • 一种多孔径TSV转接板及其制造方法
    一种多孔径TSV转接板及其制造方法_中国电子科技集团公司第十四研究所_202511520759.7
    本发明公开了一种多孔径TSV转接板的制造方法，涉及半导体领域，包括：在硅基板上表面形成TSV光刻胶掩膜结构；在硅基板上特定设计区域形成未贯穿硅基板的TSV孔径结构，包括TSV第一孔径结构和TSV第二孔径结构；在TSV第一孔径结构和TSV第二...
    2026-01-23
  • 一种蝶形硅通孔结构
    一种蝶形硅通孔结构_成都信息工程大学_202511854117.0
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种蝶形硅通孔结构，包括上底面半径尺寸大于下底面半径尺寸且下底面相连的第一锥形硅通孔结构和第二锥形硅通孔结构，第一锥形硅通孔结构与第二锥形硅通孔结构中，设置由内到外的内部中心金属导体层、二氧化硅第一环层、...
    2026-01-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411090583.1
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法。其中半导体结构包括基底、电容器结构、层间介电层、接点、保护层以及导电孔。电容器结构设置于基底中。层间介电层设置于基底上且暴露出部分的电容器结构。接点设置于层间介电层中且与电容器结构电连接。保护层设置于层...
    2026-01-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511581123.3
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供第一介质层；第一介质层中形成有多个第一互连结构；在第一介质层上形成第二介质层；形成穿过第一介质层并延伸至第二介质层中的第一开口；第一开口位于沿着第一方向相邻的第一互...
    2026-01-23
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411370121.5
    本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法，所述半导体装置包括：衬底、栅极结构以及导电插塞。栅极结构形成于衬底内，且包括导电层及绝缘盖层。导电层具有第一部及自第一部的上表面沿垂直方向延伸的第二部，使第一部的上表面与第二部的上表面之间形成段差...
    2026-01-23
  • 具有电力分布层的半导体装置
    具有电力分布层的半导体装置_爱思开海力士有限公司_202510513273.4
    本公开涉及具有电力分布层的半导体装置。半导体装置包括：设置在基板上的晶体管；以及设置在晶体管上方的互连层。互连层包括下互连层和设置在下互连层上方的上互连层。上互连层包括：在第一方向上平行地延伸的第一图案；以及第二图案，其设置在第一图案之间，...
    2026-01-23
  • 包括互连结构的集成电路器件及其形成方法
    包括互连结构的集成电路器件及其形成方法_三星电子株式会社_202510906451.X
    根据本发明构思的一些实施方式，可以提供集成电路器件以及制造集成电路器件的方法。集成电路器件可以包括下导电线、在下导电线上的导电通路以及在下导电线与导电通路之间的停止图案。停止图案的侧表面可以与下导电线的侧表面和导电通路的侧表面对准。
    2026-01-23
  • 用于快速混合键合的芯片结构及方法
    用于快速混合键合的芯片结构及方法_复旦大学_202511354954.7
    本发明提供了一种用于快速混合键合的芯片结构及方法，所述用于快速混合键合的芯片结构包括待键合的第一芯片结构及第二芯片结构，所述第一芯片结构表面设有第一钝化层及凸出于所述第一钝化层的第一金属凸点；所述第二芯片结构表面设有第二钝化层、光敏性有机介...
    2026-01-23
  • 一种改善QFN器件侧焊盘爬锡的方法
    一种改善QFN器件侧焊盘爬锡的方法_重庆胜普电子有限公司_202511455625.1
    本发明涉及一种改善QFN器件侧焊盘爬锡的方法，包括：将QFN器件放入温度为60±5℃的混合酸溶液中进行酸洗；将酸洗后的QFN器件放入去离子水中浸泡冲洗，并在无水乙醇中浸泡漂洗充分去除QFN器件表面酸液残留，然后放入无氧烘箱烘烤后取出；将烘干...
    2026-01-23
  • 一种功率模块散热装置及其制备方法
    一种功率模块散热装置及其制备方法_浙江凌昇动力科技有限公司_202511349753.8
    本申请公开了一种功率模块散热装置及其制备方法，属于功率模块散热技术领域，制备方法包括：根据预设的目标数据，采用参数匹配模型计算获得散热部件的参数信息；根据参数信息分别计算获得流阻值和热阻值；在流阻值大于或等于目标流阻的情况下或者在热阻值大于...
    2026-01-23
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510867899.5
    本发明的目的在于提供一种技术，能在半导体装置中抑制绝缘片与散热器的剥离。半导体装置包括：散热器(1)；粘贴在散热器(1)上的绝缘片(2)；配置在绝缘片(2)上的框架(3)；搭载在框架(3)上的半导体元件(4、5、6)；以及密封材料(8)，其...
    2026-01-23
  • 散热铜板及半导体封装结构
    散热铜板及半导体封装结构_江西万年芯微电子有限公司_202511222008.7
    本申请涉及芯片技术领域，具体公开了一种散热铜板及半导体封装结构，散热铜板包括底座，底座的散热面设置有密封围板，密封围板围合形成有介质容腔，介质容腔内限定有第一散热区及第一散热区，第二散热区环绕第一散热区设置；第一散热翅设置于第一散热区，第一...
    2026-01-23
  • 一种互连通孔-散热流道一体化玻璃基板及其制造方法
    一种互连通孔-散热流道一体化玻璃基板及其制造方法_北京理工大学重庆创新中心_202511259044.0
    本发明提供一种互连通孔‑散热流道一体化玻璃基板及其制造方法，包括三种结构，其一是高密度金属互连通孔，用于外部电气互连；其二是三维复杂散热流道，其中通入散热流体，用于提高玻璃基板的散热性能；其三是导热盲孔，金属化后形成金属柱，用于将玻璃基板表...
    2026-01-23
  • 一种芯片散热集成单元
    一种芯片散热集成单元_中国科学院微电子研究所_202511309708.X
    本发明公开一种芯片散热集成单元，涉及集成电路封装与热管理技术领域，用于解决目前利用冷板对大尺寸芯片进行散热时，过长的冷却工质流动路径导致的芯片不同区域热交换效率出现差异，芯片的温度均匀性变差的问题。芯片散热集成单元包括芯片和散热板；其中，散...
    2026-01-23
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