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最新专利技术
  • α-In2Se3薄膜的制作方法
    α-In2Se3薄膜的制作方法_浙江大学_202511493067.8
    本发明涉及一种α‑In22Se33薄膜的制作方法，本方法利用CVD工艺在氟金云母衬底表面沉积形成β′‑In22Se33薄膜，再以100℃/min~200℃/min的速率将炉温由750℃~780℃降至室温，使所述β′‑In22Se33薄膜相变...
    2026-03-21
  • 一种高纯金属钒碘化沉积炉
    一种高纯金属钒碘化沉积炉_武汉科技大学_202511651256.3
    本发明涉及一种高纯金属钒碘化沉积炉。其技术方案是：高纯金属钒碘化沉积炉由碘化沉积炉体、中间加热装置、加碘及抽真空系统和测温系统组成。碘化沉积炉体由炉身和炉盖组成，炉盖内衬(5)和炉身内衬(8)构成真空室(9)；中间加热装置结构是，真空室(9...
    2026-03-21
  • 一种高纯金属钒的碘化沉积方法
    一种高纯金属钒的碘化沉积方法_武汉科技大学_202511651259.7
    本发明涉及一种高纯金属钒的碘化沉积方法。其技术方案是：采用“一种高纯金属钒碘化沉积炉”对金属钒进行碘化沉积；先将金属钒均匀铺在料盘(18)中，料盘(18)升至600~1000℃的过程中，每升高100~200℃调节真空室(9)的真空度至1×1...
    2026-03-21
  • 氮化硼/铜复合导线及其制备方法
    氮化硼/铜复合导线及其制备方法_上海交通大学_202511606601.1
    本发明提供一种氮化硼/铜复合导线及其制备方法，所述制备方法包括：提供铜丝，并对铜丝进行电化学抛光；将所述铜丝置于管式炉中进行退火处理；向管式炉中通入保护气体以及前驱体，以在所述铜丝表面通过化学气相沉积工艺形成六方氮化硼，其中，所述保护气体为...
    2026-03-21
  • 一种在12英寸晶圆上沉积高均匀性Al2O3、ZrO2薄膜的原子层沉积方法
    一种在12英寸晶圆上沉积高均匀性Al2O3、ZrO2薄膜的原子层沉积方法_泉州师范学院_202511475539.7
    本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体公开了一种在12英寸晶圆上沉积高均匀性Al22O33、ZrO22薄膜的原子层沉积方法，该方法包括以下步骤：选择n型单面抛光硅片为衬底，进行预处理；将清洗后的12英寸晶圆装载到12英寸原子层沉积样机的...
    2026-03-21
  • 化学气相沉积钨及钨成核层的方法
    化学气相沉积钨及钨成核层的方法_重庆芯联微电子有限公司_202511201396.0
    本发明提供一种化学气相沉积钨及钨成核层的方法，首先在成核阶段引入分子质量大于SiH44的惰性气体作为扩散添加剂，使SiH44均匀化学吸附于基底表面形成SiHxx(其中x≥0)，随后引入WF66气体，使WF66与吸附的SiHxx发生化学反应，...
    2026-03-21
  • MOCVD装置及MOCVD沉积TiN的方法
    MOCVD装置及MOCVD沉积TiN的方法_重庆芯联微电子有限公司_202511237280.2
    本发明提供一种MOCVD装置及MOCVD沉积TiN的方法，装置通过旁路采样组件实时监测采样管道内副产物气体种类及浓度，结合膜厚监测模块获取沉积膜层厚度信息，利用闭环控制器动态调节气体流量、基座温度和沉积时间。沉积方法通过引入TDMAT、NH...
    2026-03-21
  • 一种自清洁式低压化学气相沉积设备
    一种自清洁式低压化学气相沉积设备_浙江精工领航科技有限公司_202511392962.0
    本发明公开了一种自清洁式低压化学气相沉积设备，包括气相沉积炉及设于其内的自清洁装置。自清洁装置核心为可轴向升降的座体总成，其上集成有供气组件、调节组件及气路组件。供气组件通过可周向旋转与径向伸缩的喷嘴向炉腔内均匀喷射清洗气体，与沉积物反应；...
    2026-03-21
  • 一种具有清洁装置的PECVD设备
    一种具有清洁装置的PECVD设备_江苏首芯半导体科技有限公司_202511510678.9
    本说明书实施例提供一种具有清洁装置的PECVD设备，其中主清洁通路连接远程等离子体源与设备腔室的顶部喷淋板入口，用于利用清洁气体对设备腔室的核心区域进行清洁；辅助清洁通路连接主清洁通路与设备腔室的侧壁入口，用于利用清洁气体对设备腔室的死角区...
    2026-03-21
  • 一种碳化硅涂层沉积装置及其使用方法
    一种碳化硅涂层沉积装置及其使用方法_江苏协鑫特种材料科技有限公司_202511513080.5
    本申请涉及化学气相沉积技术领域，且公开了一种碳化硅涂层沉积装置及其使用方法，包括活动架，所述活动架包括滑动座，所述滑动座的上部固定连接有第二立柱，所述第二立柱通过滑套活动连接有带有三个支撑结构的支撑叉板，当所述滑套叠在一起时，支撑叉板恰好能...
    2026-03-21
  • 气体供给部、处理装置、气体供给方法及半导体器件的制造方法
    气体供给部、处理装置、气体供给方法及半导体器件的制造方法_株式会社国际电气_202510546949.X
    本发明涉及气体供给部、处理装置、气体供给方法及半导体器件的制造方法。课题是提供能够使气体在衬底间均等地流动的技术。解决手段具有：供气体流动的流路；设置在与所述流路交叉的方向上、向处理室供给所述气体的多个开口部；和流动变化部，其以遮挡所述流路...
    2026-03-21
  • 用于沉积二维的层的方法以及CVD反应器
    用于沉积二维的层的方法以及CVD反应器_艾克斯特朗欧洲公司_202511310164.9
    本发明涉及一种用于在CVD反应器的至少一个基材上沉积二维的层的方法，借助输入管路将工艺气体馈送到进气机构的气体分配室中，进气机构具有第一气体分配室和至少一个第二气体分配室，并且通过加热装置使基材达到过程温度。在第一步骤中将惰性气体或者稀释气...
    2026-03-21
  • 一种边缘钝化反应设备
    一种边缘钝化反应设备_湖南红太阳光电科技有限公司_202511532824.8
    本发明公开了一种边缘钝化反应设备，包括内部设有反应炉管的炉体；所述反应炉管的两端分别设有进气口和抽气口，所述反应炉管上方设有喷淋板，且喷淋板与进气口连通，以实现工艺气体经喷淋板匀流扩散后再分布至反应炉管内；所述反应炉管内部设有放电部件，所述...
    2026-03-21
  • 薄膜沉积设备
    薄膜沉积设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511869929.2
    本申请公开了一种薄膜沉积设备，涉及半导体工艺设备领域。薄膜沉积设备包括炉体和加热组件，炉体包括围成反应腔的侧壁，加热组件用于对反应腔进行加热，炉体还包括沿侧壁设置的进气通道和排气通道。进气通道具有进气入口和多个进气出口，进气入口与炉体外连通...
    2026-03-21
  • 一种碳化硅涂层石墨载盘支撑装置
    一种碳化硅涂层石墨载盘支撑装置_江苏协鑫特种材料科技有限公司_202511691764.4
    本申请涉及气相沉积设备技术领域，且公开了一种碳化硅涂层石墨载盘支撑装置，包括承载台，所述承载台的顶部设置有调节盘，所述调节盘的底部转动设置有转动盘，所述转动盘与调节盘均为石墨盘，所述转动盘的顶部开设有若干个一号定位槽，所述调节盘的靠外侧处开...
    2026-03-21
  • 一种适用于半导体加工的化学气相沉积设备
    一种适用于半导体加工的化学气相沉积设备_浙江创魏新材股份有限公司_202511235144.X
    本发明公开了一种适用于半导体加工的化学气相沉积设备，涉及半导体加工技术领域。该种适用于半导体加工的化学气相沉积设备，包括底座，所述底座的上表面设置有支撑组件，支撑组件的顶部设置有调节组件，调节组件的顶部设置有沉积组件，沉积组件的顶部设置有限...
    2026-03-21
  • 一种微波等离子体金刚石膜沉积装置及工艺
    一种微波等离子体金刚石膜沉积装置及工艺_吉林晶科晶锐新材料有限公司_202511445382.3
    本发明公开了一种微波等离子体金刚石膜沉积装置，涉及金刚石膜沉积技术领域，包括工作台，所述工作台的表面设置有上下布置的等离子体放电室和工作室，所述工作室的内部横向布置有样品台，所述样品台的表面处设置有样品升降组件，所述样品升降组件包括固定套；...
    2026-03-21
  • 相邻膜、成膜方法以及成膜装置
    相邻膜、成膜方法以及成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510885751.4
    本公开提供一种相邻膜、成膜方法以及成膜装置，使氧化物半导体的特性稳定。一种相邻膜，是在高密度等离子体处理装置中进行在基板上沉积包含硅原子的膜的沉积处理并在所述沉积处理后进行后处理而形成的氧化物半导体的相邻膜，所述沉积处理包括利用第一处理气体...
    2026-03-21
  • MPCVD微波单晶生长压力控制装置、生长设备及使用方法
    MPCVD微波单晶生长压力控制装置、生长设备及使用方法_内蒙古郡瑞科技有限公司_202511614937.2
    本申请提供一种MPCVD微波单晶生长压力控制装置及设有该压力控制装置的生长设备，包括炉体和真空泵，其特征在于，在炉体和真空泵之间设有过滤器，且在所述过滤器的两端构置有两条用于连通所述炉体与所述真空泵的旁侧管道，且两条所述旁侧管道的进气口和出...
    2026-03-21
  • 一种用于纤维材料表面连续功能化改性的原子层沉积反应器及制备系统
    一种用于纤维材料表面连续功能化改性的原子层沉积反应器及制备系统_中国科学院山西煤炭化学研究所_202511827038.0
    本发明公开一种用于纤维材料表面连续功能化改性的原子层沉积反应器及制备系统，涉及原子层沉积设备技术领域，包括总腔室，总腔室内，沿碳纤维传输方向依次串联设置有第一鸭嘴式低压腔室、半循环反应腔A、第二鸭嘴式低压腔室、第三鸭嘴式低压腔室、半循环反应...
    2026-03-21
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