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  • 本申请公开一种太阳能电池及制备方法、用电设备、发电设备,该太阳能电池包括光吸收层,光吸收层包括光吸收材料和钝化材料;其中,钝化材料包括有机胺或其衍生物中的至少一种。本申请的实施例提供的钝化材料中具有氮元素,氮元素具有孤对电子,孤对电子能够增...
  • 本申请涉及光伏技术领域,提供一种光伏电池片、光伏组件和光伏系统,光伏电池片包括:硅基体,包括第一表面;位于第一表面的掺杂层,包括第一部和第二部,沿光伏电池片的厚度方向,第一部的厚度大于第二部的厚度;栅线,位于第一部远离第一表面的一侧,沿第一...
  • 本发明提供一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该太阳能电池包括衬底,所述衬底的一侧表面上依次叠设有钝化层、第一氮化硅层和第二氮化硅层;其中,所述第一氮化硅层中掺杂分布有硅量子点。本发明通过在第一氮化硅层中引入具有下转换能力的硅量子点,利用...
  • 本发明公开了一种彩色点阵分布式光伏板模块及制作方法,包括光伏模组、透明保护层、彩点阵,所述透明保护层设置在光伏模组表面,所述彩点阵设置在透明保护层表面,彩点阵有间距的分布并形成图案,以使光伏板上带有图案;利用分布式彩点阵形成视觉错位表现颜色...
  • 本发明公开了一种改善IBC光伏电池钝化的膜层结构及制备方法,涉及电池制备技术领域,包括硅基底,所述硅基底正面设有正面氧化硅钝化层、正面氧化铝层、正面氮化硅减反层,所述硅基底侧面设有边缘氧化硅钝化层、边缘氧化铝层、边缘氮化硅层,所述硅基底背面...
  • 本发明公开了一种光伏组件,光伏组件包括电池片阵列、前盖板、后盖板、密封剂和反光膜条,电池片阵列包括多太阳能电池片,任意相邻两个太阳能电池片之间具有间隙,密封剂将电池片阵列密封在前盖板和后盖板之间,反光膜条与至少部分间隙相对,反光膜条具有朝向...
  • 本发明提供一种太阳能电池及其制备方法和应用,涉及太阳能电池技术领域。本发明的太阳能电池,包括晶硅电池,所述晶硅电池包括硅基底,硅基底包括相对设置正表面和背表面,以及邻接于所述正表面和背表面的侧面,所述正表面边缘向上延伸形成的下半部分侧面为全...
  • 提供切片电池及制备方法,切片电池一侧或相对的两侧表面为切割面,电池包括硅基底,其正面包括发射极区和邻近切割面设置的隔离区,隔离区的多个倒金字塔结构凹坑连接在平行切割面方向贯穿电池;倒金字塔结构凹坑区域无发射极层,发射极区和隔离区的非倒金字塔...
  • 本公开提供了一种降低剥离难度的基板和发光二极管及其剥离方法,属于光电子制造技术领域。该基板包括衬底、图形层和牺牲层,所述牺牲层和图形层依次层叠在所述衬底的表面上,所述图形层的远离所述衬底的表面为粗化面,所述牺牲层的材料带隙小于或者等于用于形...
  • 本发明公开了一种新能源车灯LED芯片封装设备及工艺,涉及芯片封装设备技术领域,包括:控制底座,内侧连接有同轴反转机构;中心调节装置,固定在控制底座的顶部中心;正反转工作台,设置在控制底座的顶部,内侧与同轴反转机构相连接,且所述正反转工作台分...
  • 本申请公开了一种氮极性氮化镓发光二极管及其制备方法和芯片互连系统,涉及发光二极管技术领域,制备方法包括:提供外延衬底;沿氮化镓的[0001]晶向,在外延衬底的表面上形成具有镓极性面的LED薄膜结构,LED薄膜结构包括依次形成的p型层、发光层...
  • 本发明公开了一种深紫外LED外延结构、包含其的深紫外LED器件及制备方法,所述外延结构由下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN纳米线阵列层、AlN本征层以及AlGaN发光结构层,所述AlGaN发光结构层进一步包括n型AlGaN电子注入层、量子阱有...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种低工作电流密度绿光Micro‑LED外延结构及其制备方法。所述外延结构包括衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、P型半导体层;多量子阱发光层之上不设置电子阻挡层,且多量子阱发光...
  • 本发明涉及半导体器件技领域,尤其涉及一种低工作电流密度青光LED外延结构及其制备方法。所述LED外延结构的多量子阱发光层之上不设置电子阻挡层,多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱层、第二蓝光多量子阱层、第三青光多量子阱...
  • 本发明公开了一种发光二极管结构、其形成方法及发光二极管器件。发光二极管结构包括:从下到上形成在衬底上的电子提供层、多量子阱结构、电子阻挡层及空穴提供层;电子阻挡层设于多量子阱结构的空穴侧与空穴提供层之间;在电子阻挡层与多量子阱结构之间还设置...
  • 本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括:衬底、外延结构、第一电极结构、反射层和第二电极结构;外延结构位于衬底上,外延结构被隔离槽分割成第一外延结构和第二外延结构,第一外延结构和第二外延结构的表面积之和与衬底的表面...
  • 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括:外延结构和复合反射结构;复合反射结构包括第一绝缘反射子层、金属反射子层和第二绝缘反射子层;第一绝缘反射子层位于外延结构的一侧,金属反射子层位于第一绝缘反射子层的远离外延结构的一侧,第二...
  • 本发明公开一种发光元件,其包含半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含第一边缘;第一绝缘结构,位于第二半导体层上接触第一边缘,且包含开孔于第二半导体层上;反...
  • 本发明公开了一种器件支架、发光器件及发光模组,其涉及半导体器件技术领域,该器件支架包括支架主体和环形围坝,支架主体中设置有第一凹槽,环形围坝的内壁沿第一凹槽的凹槽开口设置,环形围坝内的围坝空间与第一凹槽内的凹槽空间连通形成杯状槽;该发光器件...
  • 本发明属于LED技术领域,尤其涉及一种高光效高寿命LED光源及其制备方法,包括支架、蓝光LED晶片、引线、白光胶层以及双层荧光胶层,双层荧光胶层填充满碗杯,双层荧光胶层包括第一荧光胶层和第二荧光胶层;第一荧光胶层包括胶水、NSF荧光粉与氮化...
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