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最新专利技术
  • 一种裸片和晶圆的混合键合方法和半导体芯片的制备方法
    一种裸片和晶圆的混合键合方法和半导体芯片的制备方法_上海芯物科技有限公司_202511334606.3
    本发明公开了一种裸片和晶圆的混合键合方法和半导体芯片的制备方法，其中，键合方法包括：将待切割晶圆切割成多个裸片；裸片包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，裸片的第一表面设置有第一键合层；从裸片的第二表面同时抓取全部裸片，并以全部裸片的第一...
    2026-02-15
  • 一种凸点定位植柱方法
    一种凸点定位植柱方法_中国电子科技集团公司第十四研究所_202511324593.1
    本发明公开了一种凸点定位植柱方法，包括步骤一：在待植柱器件1的焊盘上沉积焊料，回流后形成凸点；步骤二：在凸点上刷涂助焊剂后装入焊柱定位工装上；步骤三：通过固定支撑将旋帽拧入，直至压紧待植柱器件；步骤四：将焊柱通过转移装置装入定位孔中；步骤五...
    2026-02-15
  • 一种全自动焊线机的垂直线弧形成方法及形成装置
    一种全自动焊线机的垂直线弧形成方法及形成装置_广东阿达半导体设备股份有限公司_202511758377.8
    本发明涉及一种半导体封装方法，尤其是一种全自动焊线机的垂直线弧形成方法及形成装置。该方法包括以下步骤：放线尾以形成线尾、用固定的激光器在线材上形成烧蚀缺口、收线以形成烧球线尾；烧球以形成金属焊球；焊接植球以使金属焊球焊接固定在基板焊点上；拉...
    2026-02-15
  • 一种商用器件Cu引线键合可靠性改进及验证方法
    一种商用器件Cu引线键合可靠性改进及验证方法_上海航天技术基础研究所_202511335528.9
    本发明提供了一种商用器件Cu引线键合可靠性改进及验证方法，包括以下步骤：S1、采用等离子体和超声波清洗商用器件Al键合区焊盘表面；S2、采用真空溅射系统将由Ti、NiV、Ag组成的复合金属层沉积在Al键合区焊盘表面；S3、采用热超声引线键合...
    2026-02-15
  • 一种离子注入热波监控片及重复利用方法
    一种离子注入热波监控片及重复利用方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410780529.3
    本发明公开了一种离子注入热波监控片及重复利用方法，包括：提供同批使用的多个监控片；测量各监控片的第一热波前值；当各第一热波前值满足一致性要求时，对多个监控片进行掺杂第一气体元素的第一离子注入，并获取各监控片的第一热波后值；对获取第一热波后值...
    2026-02-15
  • 晶圆完整性检测方法、装置和晶圆处理腔设备
    晶圆完整性检测方法、装置和晶圆处理腔设备_上海光通信有限公司_202410834975.8
    本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种晶圆完整性检测方法、装置和晶圆处理腔设备。根据本公开的晶圆完整性检测方法包括：在控制待检测晶圆通过预定空间区域期间，发射检测光信号，以照射待检测晶圆的表面；接收待检测晶圆通过预定空间区域期间的反射光信...
    2026-02-15
  • 通过对角碾磨进行晶片结构3D重建的方法和系统
    通过对角碾磨进行晶片结构3D重建的方法和系统_应用材料以色列公司_202510833323.7
    本公开的是一种系统和方法，用于对晶片的3D结构元素进行计量，通过在所述3D结构元素的子集上以预定对角角度投射聚焦离子束(FIB)，从而在每个子集区域中生成对角切割，使用扫描电子显微镜(SEM)扫描每个对角切割，基于所述SEM影像生成一或多个...
    2026-02-15
  • 一种硅片检测机
    一种硅片检测机_广东科隆威智能装备股份有限公司_202511114139.3
    本发明公开一种硅片检测机，包括上料部分、AOI检测部分和IV检测部分；上料部分包括上料顶升机构、上料输入导轨和上料横移行走臂，上料横移行走臂横向移动在上料顶升机构与上料输入导轨之间；AOI检测部分包括四工位转盘机构、背面检测机构和正面检测机...
    2026-02-15
  • 一种半导体分立器生产用检测装置
    一种半导体分立器生产用检测装置_无锡市空穴电子科技有限公司_202511242350.3
    本发明提供一种半导体分立器生产用检测装置，属于半导体检测装置技术领域，该半导体分立器生产用检测装置包括检测箱和箱盖，所述检测箱的内部通过轴承安装有转盘，所述转盘的上表面安装有支架，所述支架的顶部安装有储料组件，所述箱盖固定安装在支板的下表面...
    2026-02-15
  • 清洗机TDH检测系统及检测方法
    清洗机TDH检测系统及检测方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511342047.0
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种清洗机TDH检测系统及检测方法，所述清洗机TDH检测系统，包括：机台外壳、清洗槽以及进风单元；所述机台外壳具有内腔，所述清洗槽设置于所述机台外壳的内腔中用于清洗基片；所述机台外壳上设置有进风口和排风口；所...
    2026-02-15
  • 版图图形的刻蚀偏差确定方法、介质、产品及设备
    版图图形的刻蚀偏差确定方法、介质、产品及设备_深圳晶源信息技术有限公司_202511383947.X
    本发明提供了一种版图图形的刻蚀偏差确定方法、介质、产品及设备。其中上述方法包括：确定版图图形中待补偿刻蚀偏差的目标多边形，并获取刻蚀偏差表，刻蚀偏差表用于记录多组预先设定的设计参数节点对应的刻蚀偏差；对目标多边形进行测量，得到目标多边形的目...
    2026-02-15
  • 一种等离子体刻蚀终点检测系统及刻蚀终点检测方法
    一种等离子体刻蚀终点检测系统及刻蚀终点检测方法_深圳泰研半导体装备有限公司_202511390013.9
    本发明涉及集成电路制造技术领域，公开了一种等离子体刻蚀终点检测系统及刻蚀终点检测方法，其中，一种等离子体刻蚀终点检测系统，包括：遮覆机构，用于覆盖等离子体刻蚀机的观察窗口；移动式光源发射机构；数据获取机构，数据获取机构用于获取移动式光源发射...
    2026-02-15
  • 一种晶圆的检测治具及检测装置
    一种晶圆的检测治具及检测装置_滁州华瑞微电子科技有限公司_202511397162.8
    本发明公开了一种晶圆的检测治具及检测装置，涉及半导体制造技术领域，包括基座，还包括负压吸附腔，其设于基座内部，所述基座承载面上环形分布有若干个与负压吸附腔相连通的吸附孔，防偏保护机构，其弹性安装于基座边缘，用于在晶圆装卸时提供保护，限位检测...
    2026-02-15
  • 硅通孔测试结构和测试方法
    硅通孔测试结构和测试方法_上海联影微电子科技有限公司_202511403529.2
    本申请涉及一种硅通孔衬底噪声的测试结构，该测试结构中第一激励硅通孔和第二激励硅通孔均内嵌于测试晶圆衬底正面，第一激励硅通孔和第二激励硅通孔通过电学连接形成激励硅通孔对；各测试接触区制备在激励硅通孔周边；对激励硅通孔对施加脉冲信号，通过测量各...
    2026-02-15
  • 基于偏振光成像的半导体晶圆应力分布测量系统
    基于偏振光成像的半导体晶圆应力分布测量系统_拓亚半导体科技(云南)有限公司_202511512219.4
    本发明提供基于偏振光成像的半导体晶圆应力分布测量系统，应用于芯片设计和制程优化领域，系统包括偏振光源模块、晶圆处理模块、多通道光学系统、偏振相位处理模块、数据采集和处理模块及结果可视化模块，其核心创新在于将微分几何理论应用于偏振相位信息处理...
    2026-02-15
  • 退火机台健康度的监控方法
    退火机台健康度的监控方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511716083.9
    本发明提供一种退火机台健康度的监控方法，该退火机台健康度的监控方法包括以下步骤：提供一待退火的衬底晶圆，并于衬底晶圆的上表层形成非晶层；形成覆盖非晶层的显露上表面的阻挡层，并量测非晶层与阻挡层的初厚度；将衬底晶圆置于退火系统的退火机台中进行...
    2026-02-15
  • 用于半导体热处理工艺的温度测量与控制方法及设备
    用于半导体热处理工艺的温度测量与控制方法及设备_新上联半导体设备(上海)有限公司_202511746666.6
    本申请提供一种用于半导体热处理工艺的温度测量与控制方法及设备，包括：通过多个高温计同步测量晶圆背面相应位置的热辐射强度与发射率；计算高温计测量得到的发射率的第一波动值；若波动值小于或等于预设阈值，则指定单一高温计测得的发射率用于所有高温计的...
    2026-02-15
  • 芯片筛选的方法及装置、电子设备和存储介质
    芯片筛选的方法及装置、电子设备和存储介质_上海理想汽车科技有限公司_202410834305.6
    本公开提供的芯片筛选的方法及装置、电子设备和存储介质，获取晶圆中至少一个缺陷在缺陷芯片中的缺陷标记；根据所述缺陷标记确定所述缺陷芯片上的缺陷对应的缺陷位置，并根据所述缺陷位置确定与所述缺陷芯片相邻的风险芯片；将所述缺陷芯片以及所述风险芯片从...
    2026-02-15
  • 温度控制设备
    温度控制设备_南亚科技股份有限公司_202411261284.X
    一种温度控制设备包含温度调节板、盖体、至少一热能感测器以及分析装置。盖体覆盖温度调节板，并与温度调节板共同定义作业空间于其中，作业空间配置以容置晶圆，温度调节板配置以承托晶圆并调节晶圆的第一温度。热能感测器设置于盖体，并配置以感测第一温度。...
    2026-02-15
  • 用于处理衬底的设备
    用于处理衬底的设备_细美事有限公司_202411821558.6
    公开了一种用于处理衬底的设备，所述设备包括：壳体，所述壳体具有内部空间；处理容器，所述处理容器设置在所述内部空间中并且具有在其中处理所述衬底的处理空间；支撑单元，所述支撑单元用于在所述内部空间中支撑所述衬底；喷嘴单元，所述喷嘴单元具有用于向...
    2026-02-15
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