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  • 本申请涉及光伏技术领域,提供一种光伏电池片、光伏组件和光伏系统,光伏电池片包括:硅片,硅片设置有切割部;切割部包括相对的第一表面和第二表面,第一表面和/或第二表面设置有陷光部。由于切割部的第一表面和/或第二表面上设置有陷光部,在激光对切割部...
  • 本发明公开一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。该制备方法可包括:在电池基体的至少一个主表面顺序层叠制备隧穿钝化层和本征多晶硅层;在本征多晶硅层外侧制备掺杂非晶硅层;利用激光照射掺杂非晶硅层的目标区域,以将目标区域中的部分掺杂原子注入本征多...
  • 本发明公开了一种光伏组件加工检测用的装置,涉及半导体制造技术领域,本发明通过将多个伯努利吸盘安装在框架的底部,借助多个伯努利吸盘中喷出的高速流动的气流,使得该装置可以对半导体薄片进行悬空吸附,配合设置有输送机构和驱动机构,使得该装置在搬运半...
  • 本发明涉及太阳能电池领域,具体涉及一种TBC电池及其制备方法,采用丝网印刷在硅片背面多晶硅层上印刷蔗糖溶液形成预定图形,蔗糖溶液干燥后碳化形成临时碳膜掩膜。然后在带有碳膜掩膜的硅片表面喷涂一层氧化铝溶胶,该膜在沉积过程中起到自保护作用,并且...
  • 本发明公开了一种提升BC类电池光电转换效率的磷扩散方法,通过改善N型BC类电池LP路线N‑poly后磷扩散工艺,在获得高杂质浓度PSG的同时实现均匀性优良的高方阻(20~150Ω),以此提升BC类电池FF,降低接触电阻Rs,最终更大限度的提...
  • 本发明公开了一种薄膜太阳电池及其吸收层的元素掺杂方法,涉及薄膜太阳电池技术领域,通过将经过活化处理的吸收层浸没在预设掺杂元素的盐溶液中,并同时施加外源性诱导变量,进行预设元素掺杂,在掺杂过程中,可以促进掺杂元素离子向吸收层的晶界及晶格内部扩...
  • 本发明公开一种光伏电池串结构的自动化投料设备,涉及光伏板加工技术领域,旨在解决传统EVA小料投放中人工操作效率低、精度差、劳动强度大,以及连贯作业的技术问题。设备包括冲切装置、送料装置、布料装置及光伏板上料装置,本发明实现EVA小料全流程自...
  • 本申请公开了一种半导体基片切割面的钝化方法及半导体基片,涉及半导体技术领域,该半导体基片切割面的钝化方法,包括:提供切割后的半导体基片,半导体基片包括至少一个切割面;在至少一个切割面形成功能层,功能层包括第一材料,第一材料用于基于单线态激子...
  • 本发明公开了一种背面叠层钝化膜的制备方法,包括对N型TOPCON电池的背面钝化膜表面进行氨气电离、笑气电离预处理:在背面钝化膜表面制备SiO2层:在SiO2层表面依次制备多层SiNx层;本发明通过氨气电离预处理,减少背面悬挂键,降低背面复合...
  • 本发明涉及一种背接触电池的制备方法及其电池,属于光伏电池领域,在N型硅片后制绒工序中,对经清洗处理后的硅片进行烘干时同时通入臭氧气体和干净空气或压缩空气;烘干完成后硅片表面生成氧化层,氧化层厚度为1.5~2.5nm。通在烘干槽通入臭氧,形成...
  • 本发明公开了一种通过空气退火提高顶衬结构薄膜太阳电池性能的方法,包括如下步骤:首先通过CBD方法在FTO表面制备CdS缓冲层,接着使用CBD工艺在沉积的FTO/CdS样品上沉积Sb2(S, Se)3薄膜,将制备好的样品在充满N2的手套箱中以...
  • 本发明涉及一种背接触太阳能电池边缘钝化工艺,包括:对硅片抛光处理的预处理工艺;前镀膜工艺,前镀膜工艺对经过抛光后的硅片镀膜;对镀膜完成的硅片进行切片的切片处理工艺,切片处理工艺包括以下步骤:S1:切片,通过激光切片机对硅片分片处理;S2:湿...
  • 本发明公开了一种太阳能电池栅线的制备方法及电池片,应用于太阳能电池技术领域,包括:在电池片的介质层表面平铺一层混合粉体;加热铺设有混合粉体的电池片至第一温度;通过脉冲激光对处于选择性烧结区域的混合粉体进行辐照,将处于选择性烧结区域的混合粉体...
  • 本发明属于材料技术领域,具体涉及一种基于磷酸盐电子选择性传输层的硅异质结太阳电池结构及制备方法。该方法通过制备磷酸盐薄膜,引入具有磷酸根的金属化合物薄膜作为电子选择性传输层。该种类材料可以被用作电子选择性传输层的机制是由于磷酸盐薄膜的磷原子...
  • 本发明涉及一种光电耦合器的引线框架,光电耦合器的引线框架包括横筋单元,横筋单元包括若干条相互平行的横筋,每条横筋上设置有若干个支撑节点;若干个基岛单元,基岛单元通过支撑节点固定于横筋上;引线框架,包括中部贯穿式连筋,中部贯穿式连筋与若干条横...
  • 本发明公开了一种异质结半导体结构、其制备方法、光电感应器件及应用。所述异质结半导体结构,其包括依次接触的p型GaN、界面插入层以及石墨烯层,所述界面插入层由h‑BN层组成,所述界面插入层中的h‑BN层的数目为1‑5。本发明提供了一种基于石墨...
  • 本发明提供了一种背接触电池,包括:衬底;掺杂区,形成在衬底背面,包括两个以上的第一型掺杂单元以及两个以上的第二型掺杂区;钝化层,形成在衬底的背面并覆盖掺杂区,钝化层与每一第一型掺杂单元对应的第一区域上均开设有第一接触孔、与每一第二型掺杂单元...
  • 本申请公开了一种超晶格结构中/中双色碲镉汞材料及退火方法,涉及半导体、红外探测技术,双色碲镉汞材料为多层结构的薄膜,其中所述多层结构的薄膜由下而上包括衬底或复合衬底、低镉组分n型层、超晶格p型层、高镉组分n型层;所述高镉组分n型层和所述低镉...
  • 本申请公开了一种背接触太阳能电池及光伏组件,涉及太阳能电池技术领域,该背接触太阳能电池包括:电池基片,电池基片具有相对的第一表面和第二表面;设置在第一表面的前场膜层结构;设置在第二表面的背场电极结构;其中,电池基片的侧壁设置有功能层,功能层...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种光伏电池、电池组件及光伏系统,该光伏电池包括:半导体基底、第一极性掺杂层和第二极性掺杂层;半导体基底的背面包括若干掺杂区域,掺杂区域包括第一区域和第二区域,第一区域和第二区域交替设置,第一区域和第二区域通...
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