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最新专利技术
  • 腔室盖温度冷却系统
    腔室盖温度冷却系统_应用材料公司_202480028564.8
    本文公开了用于控制用于半导体处理的处理腔室中的温度的设备。在一个实施方式中，挡板组件经配置以引导空气流从所述处理腔室的盖的中心至所述盖的外边缘。所述挡板组件具有挡板中心，所述挡板中心具有侧表面及底部表面，其中所述底部表面为环形，具有中心开口...
    2025-11-28
  • 具有离散离子包的捕获离子处理的束均匀化
    具有离散离子包的捕获离子处理的束均匀化_DH科技发展私人贸易有限公司_202480027937.X
    在一个方面中，公开了一种质谱仪，该质谱仪包括：离子捕获装置；至少一个加压离子引导器，被配置为允许在其中建立可调节的轴向场，使得可以调节轴向场以在快速和慢速操作设置中的任一种中操作加压离子引导器；质量分析器，用于接收通过加压离子引导器的离子并...
    2025-11-28
  • 复合基板
    复合基板_日本碍子株式会社_202480021840.8
    复合基板具备：功能性基板，其具有规定的功能；支撑基板，其对所述功能性基板进行支撑；以及中间层，其由SiO2构成，设置于所述支撑基板与所述功能性基板之间，所述功能性基板和所述支撑基板借助所述中间层而彼此接合，所述中间层具有：分别设置于所述功能...
    2025-11-28
  • 半导体芯片的清洗方法及半导体装置的制造方法
    半导体芯片的清洗方法及半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202480027938.4
    本发明提供一种半导体芯片的清洗方法，其包括：(a)用药液对配置于接着膜的表面上的区域且贴附在该表面上的切割环内的区域的多个半导体芯片进行清洗的工序；及(b)从表面上拾取清洗后的半导体芯片的工序。接着膜包含基材膜及形成于基材膜的表面上的接着层...
    2025-11-28
  • 蚀刻方法
    蚀刻方法_株式会社力森诺科_202480028758.8
    提供一种能够相比于非蚀刻对象物而选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻的蚀刻方法。蚀刻方法包括蚀刻工序，在蚀刻工序中，使含有酰氟化物和饱和氟碳化合物的蚀刻气体在等离子体的存在下与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻部件接触而进行蚀刻，相比于非蚀刻对象...
    2025-11-28
  • 用于选择性含金属硬掩模移除的系统和方法
    用于选择性含金属硬掩模移除的系统和方法_应用材料公司_202480027582.4
    示例性半导体处理方法可包括使蚀刻剂前驱物流入半导体处理腔室的处理区域。基板可被容纳在处理区域内。基板可界定含金属硬掩模材料的暴露区域和由小于或约4.0的介电常数表征的材料的暴露区域。方法可包括使基板接触蚀刻剂前驱物。方法可包括移除含金属硬掩...
    2025-11-28
  • 半导体的宏观直流迁移率的计算方法、计算程序以及使用其的器件仿真方法
    半导体的宏观直流迁移率的计算方法、计算程序以及使用其的器件仿真方法_出光兴产株式会社_202480028310.6
    一种半导体的宏观直流迁移率μ(T)的计算方法，在将温度T[K]设为变动因子时，在半导体的宏观直流迁移率μ(T)的计算过程中计算出的晶粒内的迁移率μin‑grain(T)的倒数通过从由1/(exp(β/T)‑1)、T0、T‑3/2、T1/2、...
    2025-11-28
  • 微波热处理装置
    微波热处理装置_株式会社优泰科_202580001446.2
    本发明涉及如下的微波热处理装置，在导波管内部形成电介质材料，可通过电介质材料向处理腔室内部传递微波以均匀地对半导体基板进行加热，本发明的特征在于，包括：处理腔室，在内部具有规定空间；微波发生部，设置在所述处理腔室的外部，用于发生微波；以及导...
    2025-11-28
  • 宽插入角工艺载具
    宽插入角工艺载具_恩特格里斯公司_202480028751.6
    工艺载具包含由齿界定的槽。所述槽各自经配置以接纳衬底，且所述槽中的每一者的槽角在47°到76°的范围内。所述齿可延伸达所述工艺载具的高度的一半或一半以下。所述齿可经配置以至少相隔开接纳在所述槽中的磁盘或晶片的厚度。所述齿可经配置当所述衬底位...
    2025-11-28
  • 基板处理装置
    基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480028831.1
    一种基板处理装置，其对基板进行处理，其具有：第1处理模块组，其具备1个以上的第1处理模块；第1输送模块，其与所述第1处理模块连接；第2处理模块组，其具备1个以上的第2处理模块；以及第2输送模块，其与所述第2处理模块连接，所述第1输送模块设置...
    2025-11-28
  • 陶器冷却基座
    陶器冷却基座_应用材料公司_202480028308.9
    公开了包括增材制造工艺的基板支撑件和相关部件。一个基板支撑组件包括静电卡盘；以及冷却基座，具有第一表面，第一表面用金属粘合材料粘合到此静电卡盘的第一表面，冷却基座包括：陶瓷主体，具有与静电卡盘基本上相同的热膨胀系数；一个或多个冷却通道，在陶...
    2025-11-28
  • 模组单元
    模组单元_株式会社FLOSFIA_202480018101.3
    目的在于提供一种噪声抑制、散热性和/或阻燃性得到提升的模组单元，具备：布线基板；功率元件内置型基板，安装在该布线基板上；以及金属块，配置在所述布线基板的安装有所述功率元件内置型基板的一侧，覆盖所述功率元件内置型基板的至少一部分，所述金属块在...
    2025-11-28
  • 电子模块及电子模块的制造方法
    电子模块及电子模块的制造方法_新电元工业株式会社_202480028658.5
    本发明的电子模块包括：电子元件；支撑构件171，其形成有沿板厚方向贯通的贯通孔171a；以及柱状的引脚端子172，其在插入贯通于贯通孔171a的状态下由支撑构件171支撑，并与电子元件电连接。该引脚端子172具有引脚本体172a和配置在引脚...
    2025-11-28
  • 用于晶片极度薄化的工程设计EPI堆叠
    用于晶片极度薄化的工程设计EPI堆叠_应用材料公司_202480027264.8
    本公开内容的实施方式包括薄化元件结构及形成薄化元件结构的方法。本文提供的发明的实施方式包括使用形成在基底基板上的工程设计外延(Epi)层。工程设计外延层包括两个或更多个外延层，其各自包括容许两个或更多个外延层的至少一层从其他层被选择性移除的...
    2025-11-28
  • 数字化互连再分布使能的小芯片封装
    数字化互连再分布使能的小芯片封装_应用材料公司_202480027273.7
    一种形成多芯片模块的方法，包括在介质中模制一组芯片，以相对于每一其他芯片固定每一芯片，基于设置在所模制的一组芯片内的每一芯片上的对准标记，映射所模制的一组芯片内的芯片的位置和定向，形成互连基板，包括在基底基板上方形成第一互连层，图案化第一互...
    2025-11-28
  • 电子模块
    电子模块_新电元工业株式会社_202480028656.6
    本发明所述的电子模块100包括：具有第一电极和第二电极这两个电极的第一半导体元件118；具有第三电极和第四电极这两个电极的第二半导体元件120；以及一个板状的中点功率端子160，该中点功率端子连接于第一电极与第二电极中的另一个电极，以及第三...
    2025-11-28
  • 具有堆叠内插器的集成电路
    具有堆叠内插器的集成电路_微软技术许可有限责任公司_202480027906.4
    本公开的实施例包括堆叠内插器、使用堆叠内插器的电子电路和用于制造堆叠内插器的技术。在一些实施例中，堆叠内插器中的一个或多个内插器包括电容器。电容器可以被耦合到集成电路的功率端子。在一些实施例中，堆叠内插器包括硅集成电路的金属化层中的电连接。...
    2025-11-28
  • 形成用于电化学电池的电极的方法和用于电化学电池的电极
    形成用于电化学电池的电极的方法和用于电化学电池的电极_吉地股份公司_202480015202.5
    一种形成用于电化学电池的电极的方法，包括设置具有厚度、长度(L)和高度(H)的电极片(11)，其中长度(L)沿纵向测量，高度(H)沿横向测量，厚度沿垂直于纵向和横向的方向测量，该电极片(11)具有纵向自由边缘(12a)；在从自由边缘(12a...
    2025-11-28
  • 用于制备锂离子电池的无溶剂工艺
    用于制备锂离子电池的无溶剂工艺_卡博特公司_202480020863.7
    无溶剂工艺采用碳纳米管来制备用于锂离子电池的组合物和电极。碳纳米管可以是多功能的，提供两种或更多种合乎期望的特性，例如用作传导性碳添加剂、用作原纤化剂和/或用作机械增强剂。在一个实例中，碳纳米管与炭黑组合提供。在另一个实例中，电活性材料、可...
    2025-11-28
  • 电极制造设备
    电极制造设备_株式会社LG新能源_202480023434.5
    本技术提供了一种电极制造设备，包括：布置在电极片的移动路径中的多个引导辊；布置在与多个引导辊对应的多个检测位置的多个相机；配置为基于从多个相机传输的信号来检测电极片的物理缺陷的控制器；以及配置为在电极片的宽度方向上移动多个引导辊的多个致动器...
    2025-11-28
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