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最新专利技术
  • 一种封装结构和存储模组
    一种封装结构和存储模组_长鑫科技集团股份有限公司_202510899215.X
    本公开提供了一种封装结构和存储模组， 封装基板的封装表面设置有球栅阵列， 且球栅阵列中每一行的球栅数量小于每一列的球栅数量；用于传输命令地址信号的球栅、用于传输时钟信号的球栅以及用于传输片选信号的球栅共同称为第一类球栅， 第一类球栅均位于球...
    2025-11-22
  • 一种大尺寸2.5D封装方法及其对应的封装结构
    一种大尺寸2.5D封装方法及其对应的封装结构_华天科技(江苏)有限公司_202510952369.0
    本发明提供了一种大尺寸2.5D封装方法， 其减小单颗硅转接板的尺寸， 可以显著降低环境颗粒物等缺陷造成的不良率， 从而提高制造良率。其包括如下步骤：S1、设计时将大尺寸的单颗硅转接板分解成两颗或者多颗；S2、被分解后的小尺寸硅转接板进行单独...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制造方法和电子设备
    半导体器件及其制造方法和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511081036.1
    本公开涉及一种半导体器件及其制造方法和电子设备， 该半导体器件， 包括：基板、芯片单元和存储单元， 其中， 基板包括第一金属布线层；芯片单元设置于基板且与第一金属布线层连接， 存储单元设置于基板且位于芯片单元的侧向， 存储单元通过引线与第一...
    2025-11-22
  • 一种微纳量级多层堆叠线圈及其制备方法与半导体器件
    一种微纳量级多层堆叠线圈及其制备方法与半导体器件_上海科技大学_202510930926.9
    本发明提供一种微纳量级多层堆叠线圈及其制备方法与半导体器件， 属于新型微纳电子器件领域。所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上旋涂一层底部聚酰亚胺层；在所述底部聚酰亚胺层上沉积一层金属薄膜， 并湿法蚀刻所述金属薄膜， 形成微纳线圈结构；...
    2025-11-22
  • 一种基于MFIS结构的新型铁电忆容器及其制备方法
    一种基于MFIS结构的新型铁电忆容器及其制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511306745.5
    本发明属于半导体领域， 公开一种基于MFIS结构的新型铁电忆容器及其制备方法， 新型铁电忆容器的衬底上包括第一掺杂区和第二掺杂区， 第一掺杂区的掺杂类型为p型；绝缘层、铁电层以及顶层电极层在衬底上自下而上设置， 覆盖在衬底的第一掺杂区上；衬...
    2025-11-22
  • 金属-绝缘体-金属装置结构及其形成方法
    金属-绝缘体-金属装置结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510661864.6
    本公开提出一种金属‑绝缘体‑金属装置结构及其形成方法， 该金属‑绝缘体‑金属装置结构包括设置在一基板上方的一第一导电层以及设置在第一导电层上的一介电叠层。介电叠层包括第一介电层设置于第一导电层上， 且第一介电层具有第一氧浓度。介电叠层还包括...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510796128.1
    本发明提供了一种半导体结构及其制作方法， 应用于半导体技术领域。在本发明中， 把MIM电容的制作集成在高k金属栅工艺中形成高阻值电阻的工艺中， 用作为高阻值电阻的金属作为MIM电容的上极板， 用金属栅结构中的金属栅极作为下极板， 且用一张高...
    2025-11-22
  • 滤波结构及其制备方法
    滤波结构及其制备方法_电波微讯(宁波)通信技术有限公司_202510944828.0
    本发明涉及一种滤波结构及其制备方法， 涉及半导体技术领域， 该滤波结构在衬底内形成了柱状的滤波电容， 实现了占用面积较小的情况下提供大的电容值。然后在垂直于衬底的方向上， 在衬底的第一侧形成第一导电层， 该第一导电层包括第一导电部以及第二导...
    2025-11-22
  • 搭配IGBT使用的快恢复二极管及制备方法
    搭配IGBT使用的快恢复二极管及制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202510941094.0
    本申请实施例提供一种搭配IGBT使用的快恢复二极管及制备方法， 涉及半导体技术领域。快恢复二极管包括：自上而下依次分布的阳极区、第一导电类型的漂移层和阴极区；所述漂移层顶部边缘的终端区域设置有缺陷复合区， 所述缺陷复合区为氢离子注入区， 且...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_武汉大学_202510816150.8
    本申请提供了一种半导体结构及其制作方法， 属于半导体领域。该方法包括：提供衬底；在衬底表面制作第一半导体层， 所述第一半导体层包括具有第一掺杂类型的金刚石层；在第一半导体层表面制作第二半导体层， 所述第二半导体层包括具有第二掺杂类型的氧化镓...
    2025-11-22
  • 降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统
    降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统_恒泰柯半导体(上海)有限公司_202511293502.2
    本发明提供了一种降低肖特基二极管导通电阻的方法及系统， 通过在三维柱状半导体单元外围设置与金属电极电气隔离的环形电势调控层， 并将其离散为多个独立弧形电极单元， 在单元间设置间隙以实现电学分段控制；进一步对独立弧形电极单元设计沿径向递减的阶...
    2025-11-22
  • 齐纳二极管及其制造方法
    齐纳二极管及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779539.X
    本发明公开了一种齐纳二极管包括：具有第二导电类型的第一外延层， 在第一外延层中形成有场氧和第一导电类型掺杂的第一阱区并由场氧隔离出第一有源区；在第一有源区中形成有第一导电类型的齐纳注入区， 在齐纳注入区的顶部形成有第二导电类型的第二注入区；...
    2025-11-22
  • HBT器件及其制作方法
    HBT器件及其制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510809085.6
    本申请公开了一种HBT器件及其制作方法， 该器件包括：衬底， 其中形成有隔离结构， 从俯视角度观察， 隔离结构为环形；衬底上形成有硅锗层， 硅锗层上方形成有第一多晶硅层、第二多晶硅层和硅层， 第一多晶硅层形成于第二多晶硅层的两侧且第一多晶硅...
    2025-11-22
  • 一种平面栅IGBT器件及其制作方法
    一种平面栅IGBT器件及其制作方法_深圳云潼微电子科技有限公司_202511315100.8
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种平面栅IGBT器件及其制作方法， 该器件包括：衬底、掺杂区和栅极区， 以及与掺杂区一一对应设置的P型浮空区；栅极区位于衬底之上；掺杂区位于衬底上， 以及位于栅极区之下， 且位于栅极区的两端；掺杂区包括...
    2025-11-22
  • 载流子存储层的精细控制制造方法
    载流子存储层的精细控制制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510780312.7
    本发明公开了一种载流子存储层的精细控制制造方法， 旨在解决现有技术在高深宽比沟槽结构中难以精确控制载流子存储掺杂区的问题。该方法包括：对半导体衬底进行第一沟槽刻蚀， 并进行第一次离子注入形成载流子存储层；随后进行第二沟槽刻蚀， 形成更深的第...
    2025-11-22
  • 用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件
    用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件_江苏应能微电子股份有限公司_202511309274.3
    本发明提供一种用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件， 包括：P型衬底， N型外延层， 第一P型埋层， N型埋层， 第二P型埋层， 第一P型阱区， N型阱区， 第二P型阱区， 阳极P+区， 阳极N+区， 浮空N+区， 阴极N+区， 阴极P...
    2025-11-22
  • 一种具有纳米片全环绕栅极的MOSFET结构及其制造工艺
    一种具有纳米片全环绕栅极的MOSFET结构及其制造工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511271193.9
    本发明涉及MOS半导体技术领域， 且公开了一种具有纳米片全环绕栅极的MOSFET结构及其制造工艺， 包括若干个相互并列的MOS元胞， 单个MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极、栅氧化层和源极， 半导体外延层包括有N衬底层、N漂移层、N阱...
    2025-11-22
  • 碳化硅MOS管结构和碳化硅MOS管结构的制作方法
    碳化硅MOS管结构和碳化硅MOS管结构的制作方法_湖南虹安微电子有限责任公司_202410396874.7
    本发明实施例公开了一种碳化硅MOS管结构制作方法， 包括：生成外延层， 所述外延层具有第一表面和第二表面；在所述外延层上生成第一体区、第二体区和加强层， 所述第一体区和所述第二体区沿与第一方向交叉的第二方向延伸， 所述加强层位于所述第一体区...
    2025-11-22
  • 优化金属氧化物半导体场效应晶体管特性的方法
    优化金属氧化物半导体场效应晶体管特性的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510779426.X
    本申请公开了一种优化金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)特性的方法， 尤其适用于沟槽栅功率MOSFET的制造。该方法旨在解决因防止栅源漏电(IGSS)失效所需栅极深凹蚀与沟槽拐角塌肩影响注入轮廓之间的矛盾。该方法包括：形成栅导电层后...
    2025-11-22
  • SGT器件的制造方法
    SGT器件的制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510811926.7
    本申请公开了一种SGT器件的制造方法， 涉及半导体器件技术领域， 包括：提供一衬底， 衬底中形成有沟槽；沉积形成第一氧化层；在沟槽内填充多晶硅；刻蚀去除沟槽外的第一多晶硅层；刻蚀减薄第一氧化层和第一多晶硅层；刻蚀第一区域沟槽内的第一多晶硅层...
    2025-11-22
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