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  • 本发明提供一种5G非正交移动通信网络中无线信道衰减的离散型仿真器,包括以下步骤:步骤1,根据所述仿真器的输入,建立一阶有限状态马尔可夫链;步骤2,根据设定的5G非正交移动通信网络中单个用户组内用户数量,基于步骤1得到的一阶有限状态马尔可夫链...
  • 本发明公开了一种配电通信接入网的规划方法及系统,具体涉及配电通信网络动态拓扑管理技术领域,用于解决现有技术中因拓扑更新延迟导致的故障误判及定位不精准问题;是通过动态监测各光纤节点的运行状态及链路传输信号生成动态拓扑数据集合,基于预设拓扑规划...
  • 本申请提供一种会话方向识别方法、装置、电子设备及存储介质,方法包括:在两个设备建立会话连接后,获取两个设备相互传输的报文;在检测到第一目的IP信息和第一目的端口信息存在于信息缓存表的情况下,确定第一目的IP信息对应的设备为报文接收方,第一个...
  • 本发明公开了一种实现高吞吐量的量子网络路径选择与资源分配方法及其系统,通过建立量子网络模型,初始化全局变量和网络参数,至少包括网络拓扑结构、请求数量和边的最大容量;设置每条边的初始容量,根据边的保真度调整容量,移除保真度小于0.5的边;设计...
  • 本发明提供一种基于ZeroMQ的长脉冲数据发布方法和系统,属于磁约束核聚变装置技术领域,包括以下方法步骤:等离子体放电实验前,在需要更新数据采集配置的情况下,采集控制台向采集单元发送配置信息;实验开始,采集控制台向采集单元和数据服务端发送炮...
  • 本发明提出一种针对web接口数据缓存的方法与系统,该方法包括:对参数集合依次进行标准化处理和权重修正处理,得到增强型缓存键;在客户端缓存中检索与增强型缓存键匹配的缓存数据,得到匹配结果;根据匹配结果,基于最大缓存量以及实时网络延迟得到经过网...
  • 本申请提供了一种用于CMOS图像传感器芯片的线性增益调节电路,通过设有电流源阵列、信号输出端、增益电阻阵列和修调电阻阵列;信号输出端与电流源阵列电路连接;增益电阻阵列与电流源阵列电路连接,增益电阻阵列与信号输出端之间相互并联,修调电阻阵列与...
  • 本发明涉及煤矿井下安全监测领域,具体涉及一种矿用本质安全型数码监测装置。方案包括动态能量控制模块、多环境自适应成像模块、复合式防护散热模块以及智能电源管理模块;动态能量控制模块采用三级保护架构,第一级硬件限流采用电流传感器实时监测回路电流,...
  • 提供了一种用于识别光分配网络的下行端口的方法、装置、设备、芯片和系统,属于通信技术领域。该方法包括:第二光通信设备接收第一光通信设备通过ODN发送的光信号,该ODN包括至少一级基于延迟干涉的分光器;基于所述光信号,得到硬判决结果,所述硬判决...
  • 本发明公开了一种基于LSTM的终端设备位置判别系统及方法,属于位置判别技术领域。本发明提取信号特征,得到RSSI序列;构建LSTM网络,进行室内外位置分类,获取频谱图并输入CNN网络,提取频谱图特征,与局部时序特征拼接,输入多层感知机进行最...
  • 本申请涉及通信技术领域,尤其涉及一种基于MIFI设备的语音通信方法及系统,系统包括用户设备与MIFI设备,用户设备接收电话拨打请求后,首先验证与MIFI设备的配对状态,配对成功,则将请求转发至MIFI设备,MIFI设备将语音请求转发至蜂窝网...
  • 本发明公开了一种基于消息模式的北斗定位服务接入方法和系统,属于卫星导航定位技术领域。所述方法包括用户连接北斗定位服务器并建立用户定位服务请求连接,由NtripCaster负载均衡集群将用户连接分配至NtripCaster节点服务器;Ntri...
  • 本发明提供了一种应用于分布式场景下的无线通信方法及系统,该方法包括:获取LoRa网络中的特征参数,基于隶属度函数对第一特征参数和第三特征参数的隶属度一一进行计算;构建第一特征矩阵;根据第一特征矩阵计算得到第一特征参数或第二特征参数的第一权重...
  • 本发明公开一种超低功耗热释电红外人体探测器及其组网控制方法。探测器含检测模块、控制模块、供电模块、通信模块、交互模块及动态功耗管理模块,基于热释电效应检测人体红外辐射,通过动态切换工作模式实现超低功耗运行。组网控制方法基于BLE Mesh协...
  • 本申请涉及一种协商扩展非连续接收功能的方法、装置、终端设备和系统,涉及无线通信技术领域。所述方法包括:在检测到用户设备的语音PDU会话建立成功的情况下,判断用户设备的上下文中是否存在扩展非连续接收参数;若用户设备的上下文中存在扩展非连续接收...
  • 本发明涉及一种输出余弦波形高压脉冲产生电子束的方法、系统、设备和介质,包括以下步骤:对直流高压电源和正弦波交流高压电源进行选择,并串联得到高压复合电源;保持直流高压电源和正弦波交流高压电源的输出幅值不变,根据所需脉冲宽度对正弦波交流高压电源...
  • 本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种碳化硅平面MOS器件多晶硅栅自对准工艺及低电阻结构,包括有若干相互并列的MOS元胞构成,单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极,所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P+层...
  • 本申请提供了一种半导体结构和半导体器件,该半导体结构包括:衬底;外延层,位于衬底的表面上;第一掺杂区,位于外延层中,第一掺杂区的表面为外延层的远离衬底的部分表面;栅极结构,位于外延层中,且在预定方向上位于第一掺杂区的一侧,栅极结构的远离衬底...
  • 本发明公开了一种一面欧姆一面肖特基的PN结型CZT探测器及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括探测器主体、阴极和阳极;其中,所述探测器主体的上表面为所述阳极,所述阳极为Au/In复合电极;所述探测器主体的下表面为所述阴极,所述阴极为Au/C...
  • 本申请公开了一种LED的转移方法和LED的转移设备,主要涉及LED的转移技术领域,LED的转移方法包括步骤:生长基板包括生长衬底、LED和第一磁性结构;暂态基板包括暂态衬底、第二磁性结构和第一粘胶层;生长基板上的第一磁性结构和暂态基板上的第...
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