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  • 本申请涉及制冷设备技术领域,公开一种冰箱,冰箱包括:箱体;内胆,设于箱体内,限定出储物腔室;制冷组件,设于箱体与内胆之间,设置在储物腔室的左侧和右侧;风道,设置在储物腔室的左侧和右侧,包括进风部和出风部,进风部与制冷组件相连通,出风部与储物...
  • 本发明提供了一种弹性固定装置,包括一基座及一定位件。该基座用以固定于主板上。该定位件设置于该基座上,并相对该基座在一第一方向与一第二方向旋转,该第一方向与该第二方向相反。其中,当该定位件往该第一方向旋转时,该定位件产生弹力。其中,该定位件的...
  • 本发明公开了一种钢用复合镀层,该复合镀层包括沿镀层厚度方向依次设置的第一镀层与第二镀层,第一镀层与钢基板直接接触,且第一镀层包括Mo和/或Cr,第二镀层为锌基镀层。本发明还公开了该复合镀层的涂镀方法,以及包含该镀层的钢板,和包含钢板的点焊接...
  • 本发明公开了一种有机长余辉材料及其制备方法和应用,所述有机长余辉材料,其包括给体分子、受体分子和多重共振分子;所述多重共振分子为N7,N7,N13,N13
  • 本申请公开了一种磷酸氢锰前驱体、磷酸锰铁锂、其制备方法、以及包含其的正极极片、电池及用电装置,本申请首先使可溶性锰盐与沉淀剂一次沉淀反应制备氢氧化锰,然后再使氢氧化锰与磷酸二次沉淀反应制备磷酸氢锰前驱体。本申请通过二次沉淀反应制备了低杂质离...
  • 本发明公开一种分注盖,包括一主体,其具有一形成于其内的第一凹孔、一端口及一位于第一凹孔内的导管。该分注盖具有一盖子,以可旋转方式和该主体接合,并有一形成于盖子内的第二凹孔。该盖子可从该盖子的一闭合位置转到该盖子的一开启位置,在该闭合位置时,...
  • 一种触控膜制造方法,适用于一玻璃热转印设备。玻璃热转印设备包含一输送装置、一放卷装置以及一热转印滚轮。此触控膜制造方法包含:将多个玻璃基板以一预设间隙排列于输送装置;将转印薄膜设置于放卷装置,其中,此转印薄膜包含一基底膜、一离型层、一颜色层...
  • 本申请涉及一种激光刻蚀方法、太阳电池的制备方法及太阳电池。本申请的激光刻蚀方法包括如下步骤:提供一衬底,衬底的表面上设置有第一硅材料层,第一硅材料层的远离衬底的表面上设置有保护层,保护层远离衬底的表面上具有预设区域。沿第一方向在预设区域内进...
  • 本发明涉及无机物合成、催化剂载体材料制备领域,公开了一种氧化铝的制备装置以及制备方法、制备得到的氧化铝,所述制备装置包括碳化法反应釜、碱性铝酸盐溶液原料罐、原料气瓶、中和反应釜、酸性铝盐溶液原料罐、碱性溶液原料罐、中间反应釜、老化反应釜、相...
  • 一种风险确定方法,包括:接收与项目相关联的事件信息,事件信息包括关于在项目中检测到的异常行为的信息或关于在项目中检测到的漏洞的信息;至少部分地基于所接收到的事件信息,识别一条或更多条攻击路径的一个或更多个攻击步骤,一条或更多条攻击路径中的每...
  • 提供再循环性优异的粘合片。[1]本发明的实施方式的粘合片依次具备粘合剂层、分离层和基材,该分离层由醇溶性树脂或水溶性树脂构成。[2]上述[1]所述的粘合片中,前述粘合片的锚固力A可以为1N/20mm以上。[3]上述[1]或[2]的粘合片中,...
  • 本发明提供式(1)所示的化合物的晶体及其制造方法。该晶体满足下述中的至少一者:通过差示扫描量热分析得到的熔融吸热最大温度为177℃~181℃;以及,在使用Cu‑Kα射线的粉末X射线衍射图案中,在衍射角2θ=7.6±0.2°、8.7±0.2°...
  • 本发明提供了一种钙钛矿/晶硅两端叠层电池的空穴传输层及其制备方法和钙钛矿/晶硅两端叠层电池,属于叠层电池技术领域。所述制备方法的步骤(1)在制备隧穿层时控制氧分压在合适范围内,且利用步骤(2)对隧穿层进行表面处理,两者共同提高了隧穿层表面的...
  • 本申请公开了一种发光组件及其制备方法、显示基板,涉及显示技术领域。该发光组件包括多个发光单元,驱动单元以及色转部。其中,发光单元的第一半导体层和驱动单元的第一电极连接,发光单元的第二半导体层和驱动单元的第二电极连接,由此可以使得驱动单元驱动...
  • 本申请涉及一种用于太阳能电池增强接触的热极化方法及装置。一方面提供了一种热极化方法,其包括:将导电浆料涂覆于一个或多个钝化膜硅片的钝化膜表面上,然后对所述钝化膜硅片进行烧结处理以形成一个或多个太阳能电板;及将所述一个或多个太阳能电板置于电场...
  • 本发明提供一种西格玛沟槽及其半导体器件的制作方法,所述西格玛沟槽的制作方法包括:提供衬底,衬底上形成有栅极结构,栅极结构两侧的衬底内形成有源漏区;进行各向异性干法刻蚀,在源漏区内形成第一沟槽;进行各向同性化学反应,反应结束之后升高温度使得反...
  • 本申请提供一种芯片及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,可以在不影响栅控能力的基础上,利用第一栅介质层抑制阈值电压的正向漂移分量,从而提高晶体管的BTI。该芯片包括晶体管,晶体管包括依次层叠设置的沟道层、第一栅介质层、第二栅介质层、以...
  • 本申请公开了一种随机接入方法、装置、用户设备UE及介质,属于通信技术领域,本申请实施例的随机接入方法方法包括:UE基于网络配置的M个随机接入资源集中的每个随机接入资源集的可用性,从M个随机接入资源集中确定是否存在可用的随机接入资源集;UE具...
  • 本申请实施例提供一种路损确定方法、装置、终端及网络侧设备,方法包括:接收网络侧设备发送的第一信息,所述第一信息包括用于指示是否基于第一路损偏移确定第一信号的路损,和/或指示第一路损偏移的信息;根据所述第一信息,执行目标操作,所述目标操作包括...
  • 本申请公开了一种频域位置确定方法、装置、终端及可读存储介质,属于通信技术领域,本申请实施例的频域位置确定方法包括:第一设备确定第一规则;第一设备按照第一规则确定目标频域位置,该目标频域位置为发送传输信息使用的频域位置;其中,上述第一规则包括...
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