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最新专利技术
  • 一种电池串返修方法及电池串返修机
    一种电池串返修方法及电池串返修机_无锡奥特维科技股份有限公司_202311855584.6
    本申请提供了一种电池串返修方法及返修机，包括：将电池串放置至返修台，使得第1个缺陷电池片承载于中间承载台，其余电池片承载于第一侧承载台或第二侧承载台；将第1个缺陷电池片从电池串中剪除后将第1个替换电池片放置至中间承载台，并在确定第1个替换电...
    2025-08-05
  • 一种红外热敏探测器及其制备方法
    一种红外热敏探测器及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202311854025.3
    本申请提供了一种红外热敏探测器及其制备方法，该红外热敏探测器包括衬底、第一金属层、第一锰钴镍氧层、第二金属层、第二锰钴镍氧层和第三金属层。其中，第一金属层层叠设置于衬底的一表面；第一镍钴锰氧层设置于第一金属层远离衬底的一侧；第二金属层层叠设...
    2025-08-05
  • 一种N型TOPCon电池及其制备方法
    一种N型TOPCon电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202311873880.9
    本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池及其制备方法，其中，本发明提供的N型TOPCon电池，通过设置N型硅片正面的绒面结构为柱状孔结构，能够增强陷光效应、降低反射率，从而提高光电转换效率；另外，柱状孔绒面结构可改善原硅片切割导致的色差问...
    2025-08-05
  • 半导体器件、电子设备、半导体器件的制备方法
    半导体器件、电子设备、半导体器件的制备方法_华为技术有限公司_202311871834.5
    本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备、半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。提供一种可以对晶体管栅极过压保护的半导体器件。该半导体器件包括衬底，设置在衬底上的晶体管和防护器件；防护器件包括：沟道层、势垒层、第一电极和第二电极，沟道层...
    2025-08-05
  • 一种显示面板、制备方法及电子设备
    一种显示面板、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202311868181.5
    本申请公开了一种显示面板、制备方法及电子设备，显示面板包括低温多晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管包括第一源漏极、低温多晶硅有源层、栅绝缘层、栅极、平坦化层以及第二源漏极。低温多晶硅有源层具有朝向衬底的第一表面和背向衬底的第二表面，栅极环...
    2025-08-05
  • 一种集成无源器件的制造方法和集成无源器件
    一种集成无源器件的制造方法和集成无源器件_中芯集成电路(宁波)有限公司_202311869438.9
    本申请提供了一种集成无源器件的制造方法和集成无源器件，其中，制造方法包括提供衬底和MIM电容，MIM电容位于衬底的一侧；在衬底上设置电阻，电阻与MIM电容位于衬底同一侧；在衬底上设置第一介质层，第一介质层覆盖电阻和MIM电容；对第一介质层进...
    2025-08-05
  • 空气栅场板结构及其制备方法
    空气栅场板结构及其制备方法_苏州能讯高能半导体有限公司_202311862640.9
    本申请提供了一种空气栅场板结构及其制备方法，涉及半导体技术领域；空气栅场板结构包括：从下到上依次设置的基底、栅极和第一介质层；第一介质层一体成型，罩设在栅极的外周侧，且覆盖于基底上，以使第一介质层、栅极和基底围成空气层；第一介质层的厚度大于...
    2025-08-05
  • 一种芯片、其制作方法及电子设备
    一种芯片、其制作方法及电子设备_华为技术有限公司_202311862090.0
    本申请提供一种芯片、其制作方法及电子设备，芯片包括：半导体衬底、栅极、覆盖部和第一侧墙，半导体衬底包括第一半导体材料，半导体衬底在源漏电极区设有沟槽，沟槽内填充有第二半导体材料，第二半导体材料的晶格常数大于第一半导体材料的晶格常数。覆盖部覆...
    2025-08-05
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311867696.3
    本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干分立排布的鳍部，鳍部包括第一牺牲层以及位于第一牺牲层表面的若干层重叠的复合层，复合层包括第二牺牲层以及位于第二牺牲层表面的沟道层；在衬底上形成伪栅结构，伪栅结构包括第一伪栅...
    2025-08-05
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311854818.5
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底中和衬底上形成MOS结构，并在MOS结构上形成互连结构层，互连结构层与MOS结构电性连接；通过互连结构层测量获得MOS结构的测量阈值电压，根据测量阈值电压和一目标阈值电压的差值调整...
    2025-08-05
  • 一种半导体结构的制造方法
    一种半导体结构的制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311850962.1
    本公开提供了一种半导体结构的制造方法，在衬底上生长第一半导体层，在第一半导体层远离衬底的一侧刻蚀沟槽，沟槽部分贯穿第一半导体层，在第一半导体层上生长牺牲层后刻蚀牺牲层，重复多次牺牲层的生长和刻蚀，直至沟槽暴露的第一半导体层表面的离子浓度低于...
    2025-08-05
  • 一种半导体结构的制造方法
    一种半导体结构的制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311850137.1
    本公开提供了一种半导体结构的制造方法，在衬底上依次生长沟道层、势垒层以及n型半导体层；在n型半导体层上刻蚀凹槽，凹槽贯穿n型半导体层；在n型半导体层上和凹槽中生长牺牲层；刻蚀牺牲层；在n型半导体层上和凹槽中生长p型半导体层；重复多次牺牲层的...
    2025-08-05
  • 锗硅刻蚀液的应用
    锗硅刻蚀液的应用_上海新阳半导体材料股份有限公司_202311847692.9
    本发明公开一种锗硅刻蚀液的应用。本发明的刻蚀液在选择性刻蚀GAA MOSFET结构中硅的应用；所述刻蚀液包含如下质量分数的组分：1‑10％有机碱、0.001‑0.1％非离子表面活性剂、5‑30％有机溶剂及水，各组分质量分数之和为100％。本...
    2025-08-05
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202311846790.0
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，依次层叠设置衬底、异质结结构层以及P型半导体层；保留栅极区域的P型半导体层，对非栅极区域的P型半导体层进行刻蚀；在P型半导体层上生长牺牲层，P型半导体层表面的镁离子扩散进入牺牲层中；刻蚀牺牲层；重复N...
    2025-08-05
  • 电控箱、穿梭式电池包更换设备及换电站
    电控箱、穿梭式电池包更换设备及换电站_奥动新能源股份有限公司_202311870920.4
    本发明提供一种电控箱、穿梭式电池包更换设备及换电站，属于电动汽车换电技术领域。电控箱包括箱体、电控模块和散热风机，箱体用于设置在穿梭式电池包更换设备上，电控模块设置于箱体内部的容置空间；箱体的表面开设有进风口和出风口，散热风机分别设置于进风...
    2025-08-05
  • 中框组件及电子设备
    中框组件及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202311863385.X
    本申请实施例提供一种中框组件及电子设备，中框组件包括：中框体，具有四周围合的边框，边框上设有安装槽；电路板组件，薄片形状的电路板组件上设有至少一个弹性件；其中，电路板组件沿安装槽的深度方向设于安装槽内，安装槽中设有限位结构，限位结构与电路板...
    2025-08-05
  • 一种电子设备
    一种电子设备_荣耀终端股份有限公司_202311864935.X
    本申请实施例提供了一种电子设备，包括：中框，中框包括中板和围绕中板的边框，边框设置有第一安装槽和第二安装槽，压感按键包括键帽和按键模组；键帽沿电子设备的长度方向或者宽度方向安装在第一安装槽内，键帽的外露于第一安装槽的表面为按压面，按压面用于...
    2025-08-05
  • 电路板及终端设备
    电路板及终端设备_荣耀终端股份有限公司_202311870328.4
    本申请实施例涉及电路板结构技术领域，提供一种电路板及终端设备，该电路板包括板主体和压合组件；板主体包括第一安装面以及第二安装面，第一安装面设有供柔性电路板连接的连接位；压合组件用于压合柔性电路板与连接位，压合组件包括设于第二安装面且于板主体...
    2025-08-05
  • 天线组件和微波烹饪电器
    天线组件和微波烹饪电器_广东美的厨房电器制造有限公司_202311868790.0
    本发明公开一种天线组件和微波烹饪电器。天线组件用于微波烹饪电器，所述天线组件包括：壳体，所述壳体内设有容置腔；天线，所述天线包括位于所述容置腔内的第一部分；绝缘件，所述绝缘件位于所述容置腔内，所述绝缘件隔开所述第一部分和所述容置腔的侧壁，所...
    2025-08-05
  • 微波烹饪电器
    微波烹饪电器_广东美的厨房电器制造有限公司_202311868782.6
    本发明公开一种微波烹饪电器。微波烹饪电器包括：腔体，所述腔体内设有烹饪腔室，所述腔体包括顶板，所述顶板开设有连通所述烹饪腔室的通孔；天线组件，所述天线组件安装在所述顶板并穿设所述通孔，所述天线组件包括天线，所述天线包括位于所述烹饪腔室内的第...
    2025-08-05
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