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  • 本公开提供了一种处理器的算术逻辑单元和浮点数计算的方法,属于浮点数技术领域。该算术逻辑单元包括格式转换模块和混合精度乘加器,格式转换模块对高精度浮点数进行格式转换,得到低精度浮点数,并且保留转换过程中损失的指数,作为指数辅助信息,混合精度乘...
  • 本申请公开了一种异常分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质,涉及计算机技术领域,可用于应用功能组件的异常分析,其中,确定需要进行异常分析的应用功能组件运行的目标实体设备,应用功能组件存在与目标实体设备的硬件器件相关的异常运行事件;通过...
  • 本申请提供了一种书籍文本处理和显示方法及相关装置。本申请实施例可应用于人工智能领域。其方法包括:获取目标书籍的文本数据;通过第一文本处理模型对文本数据进行文本分析,得到多个阅读主题,阅读主题对应文本数据中的部分文本内容;响应于对第一主题的选...
  • 本申请涉及一种回复内容的生成方法、装置、存储介质以及电子设备。该方法包括:在获取到目标问题的情况下,确定目标问题所属于的多个分类中的目标分类,其中,目标问题为自然语言的问题;将目标问题转化为目标向量;将目标向量与向量数据库中属于目标分类下的...
  • 本发明提出了一种考虑语义内容、社交关系和文本多方面属性的社交媒体文本摘要方法,包括以下步骤:(1)构建社交关系图和语义关系图的多关系图;(2)引入了多流编码器,旨在挖掘帖子间的社交与语义联系,通过整合这些信息来解决帖子信息缺失问题;(3)在...
  • 本申请提供一种信息处理方法、摘要生成方法、设备及存储介质,其中方法包括:获取输入信息,所述输入信息包括用户输入的任务信息以及待处理的文档集合,其中,所述任务信息至少用于指示生成所述文档集合对应的关键信息;根据所述输入信息和所述用户的历史信息...
  • 本发明公开了一种芯片的阱边界效应优化方法、装置及电子设备,针对原始芯片版图中的每个阱执行,根据阱中N阱、高压标记层及原始衬底层的存在状态,确定阱的阱类型;确定预设范围内不存在除该阱类型之外的其他阱类型的相关层,且,不存在与该阱类型对应的目标...
  • 本申请提供了一种部分屏蔽半导体器件及其形成方法。所述方法包括:提供半导体封装件;分配墨水组合物以在所述半导体封装件的表面上形成阻挡结构,所述阻挡结构将所述半导体封装件的表面划分为至少第一部分和第二部分;将包括金属前体的流体分配到所述半导体封...
  • 本公开是关于一种中框组件及电子设备,所述中框组件包括:框体,所述框体包括相对的第一边和第二边;多个天线,所述多个天线的至少一部分分别设置于所述第一边和所述第二边,所述多个天线辐射和/或接收第一频段信号,其中,所述多个天线环绕所述框体设置以使...
  • 本申请的实施例提供了一种网络故障诊断方法、装置、计算机可读介质及电子设备,该方法包括:在获取到网络通信流量信息之后,确定与网络通信流量信息匹配的网络通信场景信息,并根据网络通信流量信息和网络通信场景信息确定目标网元设备的地址信息;确定各目标...
  • 本申请涉及一种流量镜像的处理方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。该方法可以应用于云计算技术领域,该方法包括:获取与流量镜像任务相关的地址集合,遍历地址集合中的各地址,从当前遍历至的地址所指向的端侧获取实时流量;若当前遍历至的地...
  • 本实施例提供了集群接口板卡、业务转发设备、业务转发方法及集群系统,该集群接口板卡包括转发交换芯片、多个第一串行解串器接口和多个第二串行解串器接口。转发交换芯片分别与多个第一串行解串器接口和多个第二串行解串器接口连接。多个第一串行解串器接口用...
  • 本公开提供了一种请求响应方法、装置、设备及存储介质,涉及计算机技术领域。该方法包括:响应于接收到的由目标客户端发送的服务请求,获取目标客户端的标识和服务内容信息;根据目标客户端的标识,查询到目标服务节点的服务接口,其中,目标服务节点表征与目...
  • 本公开是关于一种摄像方法、摄像装置、电子设备及存储介质。摄像方法包括:响应于接收到进行摄像的指令,获取相机中棱镜的当前旋转角度信息,并获取初始成像数据,所述初始成像数据为原始图像信号经过图像信号处理后得到的图像数据。根据所述当前旋转角度信息...
  • 本申请公开了一种网络性能监测方法、装置、核心网设备、存储介质及计算机程序产品,其中,方法包括:属于终端的HPLMN的第一核心网设备在终端通过卫星接入VPLMN的情况下,接收VPLMN的第二核心网设备上报的所述VPLMN相关的网络性能监测数据...
  • 本申请实施例提供了一种算力引擎容灾节能方法、通信设备、存储介质和程序产品,包括:获取主用引擎节点的节点状态、所开通的目标特性服务和服务终端数量;根据目标特性服务确定主用引擎节点中的第一目标服务组件;根据节点状态和服务终端数量控制第一目标服务...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,先对有源区进行预非晶化注入以破坏有源区表面晶格并增强后续表面处理效果,再将有源区边界处的器件隔离结构的顶角进行刻蚀去除以暴露出有源区的边界顶角表面(包括顶角的顶面及侧壁),之后在低于100℃的含氧氛围中对...
  • 一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法,氮化镓高电子迁移率晶体管包含晶体管结构、散热结构及导电结构。晶体管结构包括复合半导体层及电极单元。复合半导体层具有氮化镓层部。散热结构包括散热绝缘层及设置于散热绝缘层远离复合半导体层的一侧面的散热金...
  • 本申请公开了一种半导体结构、制备方法及电子装置,包括基底、介质层、栅极层、第一隔离层和第一隔离结构,所述介质层位于所述基底与所述栅极层之间,所述第一隔离层位于所述栅极层上;所述基底上具有多个鳍式结构,所述鳍式结构穿过所述介质层延伸至所述栅极...
  • 本申请实施例提供了一种MIS栅极结构器件、芯片及相关设备,其中,该MIS栅极结构器件包括:衬底、衬底上的栅介质层、源极、漏极和栅极;其中,栅介质层、源极和漏极均设置在衬底表面上,且栅介质层设置于源极和漏极之间;在栅介质层远离衬底一侧层叠有栅...
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