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最新专利技术
  • 一种苯加氢烷基化生产环己基苯的方法
    一种苯加氢烷基化生产环己基苯的方法_中国石油化工股份有限公司_202410165553.6
    本发明提供了一种苯加氢烷基化生产环己基苯的方法，其包括将含有氢气的第一物料与含有苯的第二物料混合后，通入列管式反应器的列管内中进行反应，所述列管沿轴向设置有N个装填段，其中，第1装填段靠近物料入口，第N装填段靠近物料出口，每装填段内均设置有...
    2025-08-28
  • 一种四氧化三钴催化剂的制备方法及其在电磁感应加热降解VOCs中的应用
    一种四氧化三钴催化剂的制备方法及其在电磁感应加热降解VOCs中的应用_中国科学院城市环境研究所_202410165592.6
    本发明公开了一种四氧化三钴催化剂的制备方法及其在电磁感应加热降解VOCs中的应用。该催化剂通过将钴盐与碱性试剂经水热反应，所得产物经高温煅烧制备得到。本发明通过调控钴盐与碱性试剂的摩尔比，可以制备得到不同粒径的Co3O...
    2025-08-28
  • 车辆的控制方法、车辆的控制装置、车辆和存储介质
    车辆的控制方法、车辆的控制装置、车辆和存储介质_长城汽车股份有限公司_202410165786.6
    本申请提供了一种车辆的控制方法、车辆的控制装置、车辆和存储介质，涉及车辆安全技术领域。该方法包括：若检测到车辆中尾门的门锁处于闭锁状态，且接收到对门锁的解锁指令，控制门锁进入解锁状态，以及监测尾门的当前状态；若尾门的当前状态在第一预设时长内...
    2025-08-28
  • 一种控制车辆的方法、装置及车辆
    一种控制车辆的方法、装置及车辆_长城汽车股份有限公司_202410165754.6
    本申请提供了一种控制车辆的方法、装置及车辆，该方法应用于车辆控制领域，该方法包括：在车辆中的天窗进行初始化的过程中，若检测到天窗初始化失败，获取天窗的故障参数；在故障参数指示可通过再次初始化消除天窗初始化失败的情况下，显示第一提示消息，第一...
    2025-08-28
  • 抗污染反渗透膜及其制备方法和应用
    抗污染反渗透膜及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202410164599.6
    本发明涉及抗污染反渗透膜材料领域，公开了一种抗污染反渗透膜及其制备方法和应用。制备抗污染反渗透膜的方法包括：(1)将多孔支撑膜与水相溶液进行第一接触处理，得到中间体I；(2)将所述中间体I与油相溶液中进行第二接触处理，得到具有聚酰胺分离层的...
    2025-08-28
  • 一种具有互穿网络结构的自支撑脱细胞基质羊膜复合材料及其制备方法和用途
    一种具有互穿网络结构的自支撑脱细胞基质羊膜复合材料及其制备方法和用途_成都青山利康药业股份有限公司_202410165384.6
    本发明提供了一种具有互穿网络结构的自支撑脱细胞基质羊膜复合材料及其制备方法和用途，属于生物医用材料技术领域。本发明复合材料是将脱细胞基质羊膜浸入多官能团聚合物溶液后，再浸入交联剂溶液中交联得到凝胶，将凝胶干燥后而得。本发明得到的复合材料具有...
    2025-08-28
  • 一种适用于双通道内镜下的导丝介入装置
    一种适用于双通道内镜下的导丝介入装置_香港中文大学_202410165794.0
    一种适用于双通道内镜下的导丝介入装置，包括导丝位姿调整装置和导丝入口固定装置，导丝位姿调整装置用于调整导丝的位置与姿态，使导丝的尖端与导丝入口进行配准，导丝入口固定装置用于对导丝入口进行夹持固定；导丝位姿调整装置包括基于三根弹性骨架的三轴柔...
    2025-08-28
  • 一种医用X射线设备及其成像方法
    一种医用X射线设备及其成像方法_武汉迈瑞生物医疗科技有限公司_202410166134.4
    本发明提供的医用X射线设备及其成像方法，在需要对病人的检查部位进行检查时，投影出电离室标识图，从而提示用户电离室中的多个电离室野以及每个电离室野的位置信息。然后可以检测用户的肢体动作或者发出的语音，在检测的肢体动作或者语音中包含有用于选定电...
    2025-08-28
  • 一种空气炸锅和空气炸锅的控制方法
    一种空气炸锅和空气炸锅的控制方法_九阳股份有限公司_202410162640.6
    本发明属于厨房电器技术领域，具体涉及一种空气炸锅，包括机体和设置在所述机体内的反射罩，所述反射罩下方形成烹饪腔，所述反射罩内设有风扇，所述风扇为离心风扇，电机能够带动风扇正向旋转和反向旋转，反射罩包括罩顶壁和从罩顶壁的边缘向下延伸的罩侧壁，...
    2025-08-28
  • 加热装置
    加热装置_法雷奥热系统公司_202480007411.5
    加热装置包括：加热室；电阻器，该电阻器位于加热室内部以用于加热冷却剂，电阻器包括穿过加热室的壁（402A）的端子，该壁（402A）设置有突出到加热室外部的定位销（902）；印刷电路板；引线框，其连接到印刷电路板和电阻器的端子；围绕引线框架的...
    2025-08-28
  • 一种耳夹式耳机
    一种耳夹式耳机_深圳市韶音科技有限公司_202480005039.4
    一种耳夹式耳机(10)，其包括：发声部(11)、抵接部(12)以及耳挂(13)，耳挂(13)被配置为绕过用户的对耳轮(105)和耳轮(107)，并连接发声部(11)和抵接部(12)。耳挂(13)具有第一对称面(S1)，壳体在第一对称面(S1...
    2025-08-28
  • 一种耳夹式耳机
    一种耳夹式耳机_深圳市韶音科技有限公司_202480005015.9
    本说明书一些实施例提供一种耳夹式耳机，包括：发声部，被配置为佩戴时插入佩戴者的耳甲腔，发声部包括：壳体，具有容置腔；第一声音驱动器和第二声音驱动器，共同容纳在容置腔内，第一声音驱动器的第一振膜和第二声音驱动器的第二振膜之间形成第一传声通道；...
    2025-08-28
  • 直接还原制铁用原料及其制造方法
    直接还原制铁用原料及其制造方法_杰富意钢铁株式会社_202480006756.9
    提供耐还原粉化性优异的直接还原制铁用原料。上述直接还原制铁用原料具有：包含氧化铁的原料；和附着于上述原料的表面的包含粒子的被覆层，上述粒子含有选自由金属氧化物、金属氢氧化物及水泥组成的组中的至少1种，上述被覆层的被覆率为50％以上，上述被覆...
    2025-08-28
  • 活性射线固化型喷墨印刷用油墨组合物
    活性射线固化型喷墨印刷用油墨组合物_阪田油墨株式会社_202480006847.2
    本发明提供一种活性射线固化型喷墨印刷用油墨组合物，其能够降低低打印率部与高打印率部之间的光泽差，不仅固化性优异，而且在所得到的涂膜上涂布清漆组合物时的重涂性优异。本发明的活性射线固化型喷墨印刷用油墨组合物包含聚合性化合物、聚合引发剂以及胶凝...
    2025-08-28
  • 钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件、发电装置及用电设备
    钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件、发电装置及用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410171945.3
    本申请公开了一种钙钛矿电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件、发电装置及用电设备，钙钛矿电池包括钙钛矿层和设于钙钛矿层至少一侧的钝化层，钝化层包括式1或式2所示物质中的至少一种：R2An‑1M
    2025-08-28
  • 加工设备
    加工设备_錼创显示科技股份有限公司_202410170990.7
    本发明提供一种加工设备，包括供给单元、接收单元以及移动单元。供给单元具有多个供给序列。每个供给序列内至少设有第一供给子集与第二供给子集。接收单元具有多个接收序列。第一接收子集的至少一部分分布于一接收序列中。第二接收子集的至少一部分分布于另一...
    2025-08-28
  • 太阳电池的制备方法及太阳电池
    太阳电池的制备方法及太阳电池_通威太阳能(成都)有限公司_202410168264.1
    本申请涉及一种太阳电池的制备方法及太阳电池。太阳电池的制备方法包括如下步骤：将银浆转移至基片表面的预设位置，所述预设位置为所述基片表面用于供银电极形成的位置，制备转移产品，所述基片包括硅基材和掺杂于所述硅基材的P型掺杂元素。对所述转移产品进...
    2025-08-28
  • 一种光电二极管及其制备方法、有源区结构和电子设备
    一种光电二极管及其制备方法、有源区结构和电子设备_华为技术有限公司_202410172384.9
    本申请涉及光电二极管技术领域，涉及一种光电二极管及其制备方法、有源区结构和电子设备，以得到高质量的InyGa1‑yAs吸收层。光电二极管包括依次堆叠设置的N型接触层、有源区结构和P型接触层，有源区...
    2025-08-28
  • 静电放电防护器件及其制备方法
    静电放电防护器件及其制备方法_无锡华润上华科技有限公司_202410173613.9
    本申请涉及一种静电放电防护器件及其制备方法。静电放电防护器件包括：深N阱区域；第一N阱，第一N阱设置在深N阱区域中；第一N层，第一N层设置在第一N阱上；第一P层，第一P层设置在第一N阱上，第一P层和第一N层间隔设置，第一P层和第一N层用于连...
    2025-08-28
  • 一种超结IGBT结构
    一种超结IGBT结构_华润微电子(重庆)有限公司_202410172569.X
    本发明提供一种超结IGBT结构，该结构包括N柱、P柱、沟槽栅结构、P型掺杂区、P型基区、N型发射区、P型接触区与NMOS晶体管，其中，沟槽栅结构位于N柱与P柱的交界处，P型掺杂区位于P柱的上表层且掺杂浓度高于P柱的掺杂浓度，NMOS晶体管包...
    2025-08-28
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