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微观装置的制造及其处理技术
  • MEMS器件、悬臂梁结构及其制备方法
    MEMS器件、悬臂梁结构及其制备方法_成都纤声科技有限公司_202510723253.X
    本申请提供一种MEMS器件、悬臂梁结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该悬臂梁结构包括：支撑座和悬臂梁，支撑座上设有第一贯通腔，第一贯通腔贯穿支撑座相对的两个表面，悬臂梁的部分区域与支撑座的上表面贴合、另一部分区域悬浮于第一贯通腔的上方，...
    2025-09-04
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_成都纤声科技有限公司_202511030251.9
    本发明提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括硅基底，所述硅基底形成有空腔，所述硅基底和所述空腔上层叠有结构层，所述结构层对应所述空腔形成薄膜区，所述结构层对应所述薄膜区之外的所述硅基底形成打线区；所述打线区包括第一打线区和第二打线区，...
    2025-09-04
  • 一种MEMS芯片的封装结构及电子设备
    一种MEMS芯片的封装结构及电子设备_苏州园芯微电子技术有限公司_202422743677.6
    本实用新型公开了一种MEMS芯片的封装结构及电子设备，其中MEMS芯片的封装结构，包括：开设有相互连通的第一凹槽和第二凹槽的基板、具有第一腔的MEMS芯片、具有第二腔的ASIC芯片。MEMS芯片和ASIC芯片并排设置于基板上，MEMS芯片开...
    2025-09-04
  • 减小过载冲击力的方法、MEMS微结构及MEMS器件
    减小过载冲击力的方法、MEMS微结构及MEMS器件_中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心_202510749311.6
    本发明公开了一种减小过载冲击力的方法、MEMS微结构及MEMS器件，所述方法包括：将过载冲击下敏感质量块与阻挡块的垂直正面碰撞变为角度碰撞。本发明将传统的垂直正面碰撞变为角度碰撞，在碰撞时，敏感质量块收到的冲击力仅为垂直正面碰撞产生的冲击力...
    2025-09-04
  • 一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法
    一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法_中国电子科技集团公司第十二研究所_202211579959.6
    本发明公开了一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法：所述微型原子气室的结构包括：上到下依次设置的第二玻璃层、具有通孔结构的硅基体和第一玻璃层；所述通孔结构、第一玻璃层和第二玻璃层构成微型原子气室；所述微型原子气室内表面被保护层完全覆盖，...
    2025-09-04
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202510752958.4
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：提供基底，并形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述基底；根据形成功能结构的掩模图形，对所述牺牲层进行刻蚀以形成若干个浅沟槽，所述掩模图形包括形成槽宽小于预设阈值的第一深沟槽的图形；形成功能层，所述功能层填...
    2025-09-04
  • 移动机构及其形成方法
    移动机构及其形成方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202011040494.8
    一种移动机构及其形成方法，形成方法包括：提供固定平台和位于所述固定平台上的内部结构；形成保形覆盖所述内部结构和固定平台的牺牲层；形成保形覆盖所述牺牲层的弓形材料层；刻蚀所述弓形材料层，形成弓形电极，所述弓形电极包括与所述内部结构侧壁相对的侧...
    2025-09-04
  • 一种MEMS扫描镜的制备工艺
    一种MEMS扫描镜的制备工艺_华中科技大学_202410212933.0
    本发明提供了一种MEMS扫描镜的制备工艺，准备SOI晶圆；在所述SOI晶圆器件层的上表面依次生长下电极层和PZT压电薄膜层后，分别刻蚀所述PZT压电薄膜层和下电极层，以图形化制备下电极引线；在所述PZT压电薄膜层的上表面生长多层绝缘层并刻蚀...
    2025-09-04
  • 一种蓝宝石基光学式流体壁面剪应力传感器及制备方法
    一种蓝宝石基光学式流体壁面剪应力传感器及制备方法_西北工业大学_202510662121.0
    本发明涉及微纳制造技术领域，具体涉及一种蓝宝石基光学式流体壁面剪应力传感器及制备方法，该制备方法包括：在支撑基底上制备固定光栅和焊接薄膜；在敏感基底上加工凹腔，在凹腔内加工凹槽以形成与浮动元件形状相同的目标结构，并在目标结构上制备敏感光栅；...
    2025-09-04
  • 具有改善的外部流体耦合的微机电传感器及其制造工艺
    具有改善的外部流体耦合的微机电传感器及其制造工艺_意法半导体国际公司_202510210290.0
    本公开的实施例涉及具有改善的外部流体耦合的微机电传感器及其制造工艺。微机电传感器包括：支撑体；感测结构，感测结构包括测量室和敏感元件，敏感元件部分地在支撑体中并且面向测量室；以及帽，帽被耦合到支撑体。帽包括：埋置腔；入口孔，入口孔与传感器外...
    2025-09-04
  • 一种MEMS芯模的制备方法
    一种MEMS芯模的制备方法_中山大学南昌研究院_202310728498.2
    本发明属于涉及半导体器件技术领域，涉及一种MEMS芯模的制备方法，包括以下步骤：先将硅片的氧化层侧与晶圆衬底通过热解膜粘合，同时采用深反应离子刻蚀在硅片表面形成所需图形，并在表面沉积金属膜；然后将硅片金属膜侧与晶圆衬底过热解膜粘合，进一步刻...
    2025-09-04
  • 晶圆级碱金属气室的制备方法及装置
    晶圆级碱金属气室的制备方法及装置_苏州美图半导体技术有限公司_202211697146.7
    本发明涉及一种晶圆级碱金属气室的制备方法及装置。其包括制备预气室晶圆单元，将碱金属沉积在正对应的气室孔槽内，且在气室孔槽内沉积所需的碱金属后，将预气室晶圆单元冷却至常温；提供气室封装晶圆，并将所述气室封装晶圆与上述冷却至常温的预气室晶圆单元...
    2025-09-04
  • 一种蚀刻测量图形结构及钻蚀量的测量方法
    一种蚀刻测量图形结构及钻蚀量的测量方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202211305026.8
    本发明提供一种蚀刻测量图形结构及钻蚀量的测量方法，所述蚀刻测量图形结构用于测量晶圆蚀刻量，所述蚀刻测量图形结构包括以线性阵列排布的测量图形；各所述测量图形之间的间距依次构成等差数列。本发明的钻蚀量的测量方法中，通过设置蚀刻测量图形结构，测量...
    2025-09-04
  • 一种公安交警用智能设备箱
    一种公安交警用智能设备箱_中通服咨询设计研究院有限公司_202421736814.7
    本实用新型公开了一种公安交警用智能设备箱，包括主体，主体包括底座、设置在所述底座上的箱体、设置在所述箱体上的盖体，所述盖体与箱体活动连接；容纳组件，包括设置在所述底座上的减震部件、设置在所述减震部件上的容纳槽；调温组件，包括设置在所述底座上...
    2025-09-04
  • 一种传感器芯片
    一种传感器芯片_苏州园芯微电子技术有限公司_202422599010.3
    本实用新型公开了一种传感器芯片，其特征在于，所述传感器芯片包括多层结构，所述多层结构包括：硅衬底；硅衬底具有在其厚度方向相对而设的第一侧和第二侧，背板、牺牲层以及振膜层叠设置于第一侧；牺牲层设置于背板以及振膜之间；背板为多边形结构；振膜上设...
    2025-09-04
  • 可实时调控图案形状的微纳材料薄膜制备方法
    可实时调控图案形状的微纳材料薄膜制备方法_重庆交通大学_202211157698.9
    本发明提供一种可实时调控图案形状的微纳材料薄膜制备方法，包括：制备微纳材料分散液；使用遮挡图案对支撑膜部分区域的通孔进行遮挡，再将带有遮挡图案的支撑膜放置于微纳材料分散液表面，使遮挡图案位于气液界面上方、不接触分散液；加热分散液，在支撑膜的...
    2025-09-04
  • 一种无尘拖链保护装置
    一种无尘拖链保护装置_惠州中科智能科技有限公司_202422232257.1
    本实用新型公开了一种无尘拖链保护装置，包括：保护箱与箱盖，箱盖设置在保护箱的上端面上；减震板，其滑动设置在保护箱的内侧壁上；放置槽，其设置在减震板的上端面上；减震组件，其包括用于对减震板起到缓冲功能的缓冲结构、及用于对减震板起到辅助缓冲的辅...
    2025-09-04
  • 太赫兹超材料生物传感器
    太赫兹超材料生物传感器_枣庄学院_202510787030.X
    本发明提供一种太赫兹超材料生物传感器，涉及太赫兹技术领域，由若干个传感单元拼接组成；传感单元包括衬底层和介电质层；介电质层设置在衬底层上；介电质层包括5×5阵列分布的25个微纳单元；微纳单元包括圆柱体和3个相同的长方体；3个长方体均设置在圆...
    2025-09-04
  • 一种用于泡打粉生产的防潮装置
    一种用于泡打粉生产的防潮装置_阳光邦吉(福建)食品研究所有限公司_202422761720.1
    本实用新型公开了一种用于泡打粉生产的防潮装置，涉及泡打粉生产领域，包括壳体以及壳体内部设置的防潮箱，且防潮箱的上端开设有第一出气口，并且壳体的左右两侧开设有第二出气口，所述壳体的上端固定安装有鼓风机，所述壳体的上端贯穿安装有空腔。该用于泡打...
    2025-09-04
  • 一种基于二硫化钼异质结的气压传感器及制备方法
    一种基于二硫化钼异质结的气压传感器及制备方法_华中科技大学_202511047001.6
    本发明公开了一种基于二硫化钼异质结的气压传感器及制备方法，属于气压传感器技术领域，包括基座、电极和异质结；基座中部设置有微腔，异质结对应微腔设置，该异质结包括与电极接触连接的单层石墨烯薄膜和与单层石墨烯接触连接的单层二硫化钼薄膜，以在气压发...
    2025-09-04
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