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  • 本发明公开了一种基于Mallat算法的测井曲线重构方法及装置,涉及测井曲线重构技术领域,其技术方案要点是将GR曲线与RT曲线中的任意一种作为岩性敏感曲线,分别对岩性敏感曲线与DT曲线,基于mallat算法进行小波分解,获得岩性敏感曲线细节部...
  • 本申请公开了一种数字化平台的生成方法和装置、存储介质及电子设备。涉及数据处理技术领域,其中,该方法包括:依据待执行的目标任务,基于目标机制构建初始数字化平台,其中,目标机制至少包括:通信机制、路由机制、渲染机制和资源机制;依据目标任务对应的...
  • 本公开提供一种接口测试方法、装置、电子设备及介质,涉及接口测试技术领域,包括:获取测试请求;再通过第一版本的代码响应测试请求,获得第一返回结果,以及通过第二版本的代码响应测试请求,获得第二返回结果,其中,第一版本的代码包括对待测试接口进行更...
  • 本说明书实施例提供文本处理方法,其中文本处理方法包括:获取待处理文本,并确定与待处理文本关联的指导文本;将待处理文本和指导文本输入至摘要生成模型,获得待处理文本对应的文本摘要和至少一个文本关键词,其中,各文本关键词基于指导文本在待处理文本中...
  • 本发明公开了一种搜索结果生成方法、装置、设备及存储介质,用于提高计算摘要的准确性。在本申请中获得搜索词对应的至少一个网页;生成搜索词对应的第一文本,第一文本是与搜索词关联的文本;对于每个网页,根据搜索词和第一文本从网页的正文中抽取网页的摘要...
  • 本发明公开了存储介质、储能装置的充放电控制方法、装置和设备,其中储能装置设有储能变流器PCS;充放电控制装置包括实时监测单元和与储能装置对应的控制单元;实时监测单元用于监测新型电力系统的实时系统频率;控制单元所包括的控制策略包括:当实时系统...
  • 本申请公开了一种电池均衡维护方法、装置、电子设备及存储介质,该方法应用于储能系统的电池管理系统,包括:基于储能系统中各电池簇的电池状态信息,确定目标均衡模式;目标均衡模式包括系统均衡模式和选择均衡模式中的一种,系统均衡模式为对储能系统中所有...
  • 本申请提供了一种激活/去激活PUCCH资源的方法、装置、终端及网络设备。方法应用于终端,包括:接收网络设备发送的目标信令,目标信令包括第一信息域和第二信息域,第一信息域用于携带第一PUCCH资源的激活/去激活信息,第二信息域用于携带第二PU...
  • 本申请实施例提供了一种匹配设备和点位的方法,包括:当安装于第一点位的第一设备通过信息表达功能表达自身的引导头和设备标识时,第二设备根据该第一设备表达的信息,通过第一设备的表达方式确定该第一设备的设备标识,并建立第一设备的设备标识与第一点位之...
  • 本公开实施例提供一种视频处理方法及设备,该方法通过根据待分割视频,确定待分割视频中视频帧相对于第一视频帧的运动向量数据,该第一视频帧为视频帧所处画面组中的第一个视频帧,根据运动向量数据,确定待分割视频对应的分割位置,之后根据分割位置对待分割...
  • 一种数据处理方法及装置,涉及光通信技术领域,用以实现OTN设备支持接入更多数量的CPE。本申请实施例提供的方案,将未承载业务数据的时隙剔除出去,仅将时隙中承载的实际数据块映射到第二类型的数据帧的时隙中。第二类型的数据帧的时隙用于承载业务数据...
  • 本申请公开了一种能力上报方法、装置、终端及网络侧设备,属于无线通信技术领域,本申请实施例的能力上报方法,包括:终端向网络侧设备上报能力信息,其中,所述能力信息包括以下至少之一:所述终端的低功耗信号接收机类型;所述终端支持的低功耗信号的调制方...
  • 本申请提供了一种报文传输方法及设备,可应用于通信技术领域。其中,报文传输方法包括:入口边缘节点获取报文集;基于报文划分策略和报文集,获取子任务;基于子任务对应的报文处理策略,对报文集包括的报文进行处理。其中,报文集包括一个或多个报文。本申请...
  • 一种通信方法及通信装置,用于提高测量时间窗口内待测量符号所在的时隙或微时隙被调度的概率,保障时延紧迫型业务的传输时延和可靠性。该方法包括:获得第一测量配置,第一测量配置用于指示测量时间窗口,测量时间窗口包含第一时域资源和第二时域资源;在第二...
  • 本申请公开一种活性金属陶瓷基板的制造方法,包含将由第一金属焊料及第一有机介质制备的第一焊膏涂布于陶瓷基板的上且将第一焊膏干燥,以形成第一子焊料层;将由第二金属焊料及第二有机介质制备的第二焊膏涂布于第一子焊料层上且将第二焊膏干燥,以形成第二子...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统,涉及半导体芯片技术领域,旨在解决形成电容结构的形貌较差的问题。本公开提供的一种半导体结构包括晶体管结构、第一介质层、第二介质层、电容结构和导电接触结构。其中,第一介质层和第二介质层位于晶体管...
  • 本发明提供一种超结IGBT结构,该结构包括N柱、P柱、沟槽栅结构、P型掺杂区、P型基区、N型发射区、P型接触区与NMOS晶体管,其中,沟槽栅结构位于N柱与P柱的交界处,P型掺杂区位于P柱的上表层且掺杂浓度高于P柱的掺杂浓度,NMOS晶体管包...
  • 本申请涉及一种静电放电防护器件及其制备方法。静电放电防护器件包括:深N阱区域;第一N阱,第一N阱设置在深N阱区域中;第一N层,第一N层设置在第一N阱上;第一P层,第一P层设置在第一N阱上,第一P层和第一N层间隔设置,第一P层和第一N层用于连...
  • 本申请涉及光电二极管技术领域,涉及一种光电二极管及其制备方法、有源区结构和电子设备,以得到高质量的InyGa1‑yAs吸收层。光电二极管包括依次堆叠设置的N型接触层、有源区结构和P型接触层,有源区...
  • 本申请涉及一种太阳电池的制备方法及太阳电池。太阳电池的制备方法包括如下步骤:将银浆转移至基片表面的预设位置,所述预设位置为所述基片表面用于供银电极形成的位置,制备转移产品,所述基片包括硅基材和掺杂于所述硅基材的P型掺杂元素。对所述转移产品进...
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