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最新专利技术
  • 映射图样确定方法、装置、设备及存储介质
    映射图样确定方法、装置、设备及存储介质_维沃移动通信有限公司_202311782314.7
    本申请公开了一种映射图样确定方法、装置、设备及存储介质，属于通信技术领域，本申请实施例的映射图样确定方法包括：终端获取第一参考信号在第一资源中的映射图样，该第一资源包括以下至少一项：N个时隙和M个RB；N和M中的至少之一大于1，且N和M均为...
    2025-07-10
  • 信息获取方法、装置、通信设备及存储介质
    信息获取方法、装置、通信设备及存储介质_维沃移动通信有限公司_202311775709.4
    本申请公开了一种信息获取方法、装置、通信设备及存储介质，属于通信技术领域，本申请实施例的信息获取方法包括：第一节点接收来自第二节点的第一信息，该第一信息为与多个流或多个包之间的处理需求相关的信息，该处理需求包括以下至少一项：协调需求、同步需...
    2025-07-10
  • 通信方法及装置
    通信方法及装置_华为技术有限公司_202311777232.3
    本申请提供一种通信方法及装置，属于通信技术领域，用以避免出现意图冲突，提高业务的稳定性。该方法中，第一设备可以根据预估完成至少一个意图期望中的每一个意图期望所需要占用的第一资源，向第二设备发送第二信息，以指示第一业务在激活时间段内是否预占用...
    2025-07-10
  • 计算卸载方法、装置、设备和存储介质
    计算卸载方法、装置、设备和存储介质_中移(成都)信息通信科技有限公司_202311781720.1
    本公开提供一种计算卸载方法、装置、设备和存储介质。由PEMC执行的计算卸载方法包括：接收PIN中的第一PINE的卸载请求；其中，卸载请求用于请求卸载第一PINE的计算任务；在预先获取的管理策略指示开启PIN计算卸载的情况下，根据管理策略、卸...
    2025-07-10
  • 一种冲突解决方法、无线智能控制器平台及存储介质
    一种冲突解决方法、无线智能控制器平台及存储介质_中国移动通信有限公司研究院_202311776502.9
    本申请实施例公开了一种冲突解决方法、无线智能控制器平台及存储介质，方法包括：在接收到第一控制端发送的对无线接入网RAN节点的第一控制消息的情况下，判断第一控制消息是否会引发对RAN节点的控制冲突；在判断结果为是的情况下，执行冲突解决行为。
    2025-07-10
  • 去除金手指引线的制造装置及其制造方法
    去除金手指引线的制造装置及其制造方法_精英电脑股份有限公司_202311769825.5
    本发明提供一种制造去除金手指引线的装置及方法，用于激光切割机切割印刷电路板的金手指引线制程，包括数据转换装置及定位装置。上述数据转换装置，用以将金手指引线位置数据及客户需求尺寸数据由GEBER文件转换为DXF文件并选定多个定位光学点。上述定...
    2025-07-10
  • 一种抗氧化印刷线路板的制备方法
    一种抗氧化印刷线路板的制备方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311774714.3
    本发明公开了一种抗氧化印刷线路板的制备方法，包括：对印刷线路板的表面进行清洗处理；在清洗后的印刷线路板的表面上喷涂抗氧化剂溶液，并进行第一次干燥处理；在干燥后的印刷线路板的表面上喷涂导电漆，并进行第二次干燥处理。采用本发明的技术方案能够大大...
    2025-07-10
  • 相变散热装置及散热系统
    相变散热装置及散热系统_深圳市英维克科技股份有限公司_202311780488.X
    本申请提供一种相变散热装置及散热系统，相变散热装置包括互相垂直设置的蒸发基板和冷凝扁管；所述蒸发基板内开设有蒸发流道组，所述冷凝扁管内开设有冷凝流道组；所述蒸发流道组包括至少两个间隔设置的蒸发流道段，所述冷凝流道组包括至少两个间隔设置的冷凝...
    2025-07-10
  • 散热器及散热系统
    散热器及散热系统_深圳市英维克科技股份有限公司_202311780494.5
    本申请提供一种散热器及散热系统，散热器包括基板和设置于所述基板上的扁管；所述基板内开设有第一流道，每一所述扁管内分别开设有第二流道；所述第一流道和所述第二流道连接成环路，以在所述基板与所述扁管之间形成脉动热管流道；所述基板远离所述扁管一侧的...
    2025-07-10
  • 半导体器件及其制造方法，电子设备
    半导体器件及其制造方法，电子设备_北京超弦存储器研究院_202311775520.5
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在本申请实施例提供的半导体器件中，通过设置存储阵列中至少一个第一晶体管的第一半导体结构包括交替叠置的至少两个第一半导体子结构和至少一个第二半导体子结构，且第一半导体子结构和第二半导体子结构包括不...
    2025-07-10
  • 存储装置
    存储装置_上海江波龙数字技术有限公司_202311779746.2
    本申请公开了存储装置，其中，存储装置包括：基础电路板、主控、第一存储颗粒以及第二存储颗粒，主控设置于基础电路板上，并与基础电路板连接，第一存储颗粒贴合设置于基础电路板的第一表面，并与基础电路板连接，第二存储颗粒贴合设置于基础电路板的第二表面...
    2025-07-10
  • 钙钛矿电池及其制备方法与光伏组件
    钙钛矿电池及其制备方法与光伏组件_极电光能有限公司_202311772463.5
    本发明涉及一种钙钛矿电池及其制备方法与光伏组件，其中，电池结构包括复合钝化层。本发明采用含F‑C聚合物与聚甲基丙烯酸甲酯为原料制备复合钝化层，即解决了聚甲基丙烯酸甲酯导电性差的问题，又解决了含F‑C聚合物溶解性差的问题，而且还提高了复合钝化...
    2025-07-10
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202311769784.X
    本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提升存储器的存储容量。所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底，沿垂直衬底方向于衬底上交替形成多层导电材料层和多层绝缘材料层；刻蚀导电材料层和绝缘材料层，以于各导电材料层...
    2025-07-10
  • 压力平衡元件以及用于安装这种压力平衡元件的方法
    压力平衡元件以及用于安装这种压力平衡元件的方法_宝马股份公司_202380079670.4
    本发明涉及一种用于粘贴到壳体的或其它物体的设有压力平衡开口的表面上的压力平衡元件，其具有：‑第一薄膜(2)，该第一薄膜设计为具有用于粘贴到壳体的表面上的第一表面(3)，以及‑第二薄膜(4)，该第二薄膜在第一薄膜的与第一表面(3)相反的第二表...
    2025-07-10
  • 正极活性材料、包含该正极活性材料的正极和锂二次电池
    正极活性材料、包含该正极活性材料的正极和锂二次电池_株式会社LG新能源_202380079373.X
    本发明涉及一种正极活性材料，其包含大粒径锂镍基过渡金属氧化物和小粒径锂镍基过渡金属氧化物，其中，所述大粒径锂镍基过渡金属氧化物是二次颗粒的形式，所述二次颗粒是一次颗粒的聚集体，所述小粒径锂镍基过渡金属氧化物为单颗粒和准单颗粒中的至少一种的形...
    2025-07-10
  • 台湾香檬萃取物用于减少脂质累积及调节肠道菌群的用途
    台湾香檬萃取物用于减少脂质累积及调节肠道菌群的用途_童嬿臻_202311758925.8
    本发明提供一种台湾香檬萃取物用于减少脂质累积及调节肠道菌群的用途。本发明台湾香檬萃取物藉由多种功效实验，达到减少脂质累积及调节肠道菌群的效果。
    2025-07-10
  • 一种超高压电缆屏蔽料及其制备方法
    一种超高压电缆屏蔽料及其制备方法_万华化学(宁波)有限公司_202311754393.0
    本发明公开了一种超高压电缆屏蔽料及其制备方法。所述电缆屏蔽料原料包含：基体树脂70～96份；改性导电剂10～30份；抗氧剂0.2～5份；润滑剂0.1～3.5份；其中，所述份数为质量份数。本发明通过导电剂改性，提高了导电效果，同时改善了屏蔽料...
    2025-07-10
  • 查找方法、电子设备和存储介质
    查找方法、电子设备和存储介质_中兴通讯股份有限公司_202311764654.7
    本申请提出一种查找方法、电子设备和存储介质，该方法包括：确定目标字符串的目标位置；获取与目标位置具有预定位置关系的关键字符集合；根据关键字符集合中指定位置的字符，生成目标字符串对应的目标查找内容。通过该方法，可以降低查找难度，提高查找效率。
    2025-07-10
  • 信息处理方法及计算设备
    信息处理方法及计算设备_杭州阿里云飞天信息技术有限公司_202311770727.3
    本申请实施例提供一种信息处理方法及计算设备。其中，获取用户输入内容；结合用户特征信息及知识库特征信息，确定所述用户能够访问的目标知识库；从所述目标知识库中查找与所述输入内容匹配的目标知识内容；根据所述目标知识内容及所述输入内容，利用大语言模...
    2025-07-10
  • 一种元素掺杂改性的富锂锰基层状氧化物正极材料及其制备方法
    一种元素掺杂改性的富锂锰基层状氧化物正极材料及其制备方法_中国科学院大连化学物理研究所_202311773456.7
    本申请公开了一种元素掺杂改性的富锂锰基层状氧化物正极材料及其制备方法，所述元素掺杂改性的富锂锰基层状氧化物正极材料的化学式为Li1.2(Mn0.54Ni0.13Co...
    2025-07-10
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