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石油,煤气及炼焦工业设备的制造及其应用技术
  • 本发明提供了一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积设备的控制方法,以及一种计算机可读存储介质。所述薄膜沉积设备包括:腔室本体,其中设有多个第一加热盘,其中,各所述第一加热盘上分别设有多个第一顶针,用于顶起对应的第一加热盘上的晶圆;第一升降机构,设于...
  • 本发明确定双进双出钢球磨煤机出口最高允许温度的方法及相关装置,包括:进行煤样的制备,并将空干基煤样磨制到日常运行的煤粉细度RR9090, %,作为检测煤样;获得检测煤样的空干基低位发热量QQnet, adnet, ad;设置试验台及运行条件...
  • 本发明用于特种工程塑料改性技术领域,公开了一种高强度高导热CF‑PEEK粒子的制备方法,包括如下步骤:S1、碳纤维表面处理;S2、碳纤维短切;S3、PEEK树脂预处理;S4、纳米材料预处理;S5、纳米材料与PEEK混合;S6、碳纤维与树脂混...
  • 本发明涉及一种环氧树脂组合物及包含其的胶膜、LED器件,以重量份计,所述环氧树脂组合物包括如下组分:环氧树脂5‑25份、增韧剂2‑5份、固化剂8‑20份、扩散剂1‑5份;所述环氧树脂包括有机硅环氧树脂、脂环族环氧树脂与其他环氧树脂的组合;所...
  • 本发明涉及涂料刮涂技术领域,属于一种涂料涂覆用均匀刮涂装置。包括有机床,所述机床上设置有电动滑轨,所述电动滑轨上设置有镜像分布的电动滑块,所述电动滑块固接有固定框,所述固定框滑动连接有第一滑动块,所述第一滑动块转动连接有第一转动轴,所述第一...
  • 本发明公开一种高熔点金属构件制备方法,其包括以下步骤:S10:采用SLM法制备高熔点金属构件坯件;S20:对高熔点金属构件坯件进行改善热处理,改善热处理为采用高温高压长时间的方式对高熔点金属构件坯件进行热处理,且在进行改善热处理时高熔点金属...
  • 本发明公开了一种用于有机发光器件的组合物及有机发光器件,采用双P‑type化合物搭配单N‑type化合物构建三元体系,作为器件发光层的主体材料。相较于现有的双主体体系有机发光器件,本发明通过改进发光层主体材料的组合搭配,优化了P‑type材...
  • 本申请实施例提供了一种光伏电池片镀膜装置和镀膜系统,包括:进料腔室,所述进料腔室内布置有至少两层用于放置物料的置物台,且所述进料腔室具有至少两个第一出料口;输送腔室,设置于所述进料腔室的一侧,所述输送腔室的一侧设置有至少两个与所述第一出料口...
  • 本实用新型公开了一种太阳能组件加工用压合装置,其包括:底座,所述底座上设有夹持机构,所述底座的侧壁固接有支架,所述支架内部上方设有压合抚平组件。通过设置的压合抚平组件,加工时,将保护膜的一端贴合在太阳能板的一端,启动电动伸缩杆向下推动抚平板...
  • 本发明属于炉窑技术领域,本发明提供了一种焦化除尘灰用于转底炉生产配料的工艺,包括:在按混合原料TFe50%‑55%、固定碳12%‑15%、Zn≤1.5%的标准,用电子皮带秤配加除尘灰、含铁主料)、还原剂、黏结剂,双轴混合3‑5分钟,在双轴混...
  • 本发明属于半导体制造技术领域,涉及一种在SOI衬底上进行硅外延生长的工艺方法及设备,通过对SOI衬底进行梯度清洗后,将其置于外延炉中,在氢气气氛下进行温度为850‑1000℃的低温退火工艺,以此替代氯化氢气相抛光,实现表面修复和粗糙度降低;...
  • 本发明涉及粉末冶金技术领域,提出了一种利用冶金固废制造哑铃用金属材料的方法,包括以下步骤:S1、将初始原料混合均匀后,得到混合料;S2、将混合料压制成型后、烧结,得到哑铃用金属材料;初始原料包括以下重量份组分的原料:生铁粉70~80份、熟铁...
  • 一种混配型Ce(III)配合物,具有如下结构:;或者具有如下结构:;或者具有如下结构:。
  • 一种LED芯片粗化液及其制备方法与应用,其属于半导体材料多元金属化合物表面粗化领域。该粗化液包括无机酸、有机酸、多胺化合物、氧化剂、润湿剂等;通过添加高稳定性和低表面张力的全氟化表面活性剂,有效降低粗化界面张力,使粗化产物和气泡快速离开反应...
  • 本发明涉及晶片加工用胶带。本发明的目的在于提供能够抑制晶片翘曲的晶片加工用胶带、及使用了该晶片加工用胶带的晶片加工方法。本公开文本涉及晶片加工用胶带,其于23℃以40%的压缩率压缩15小时的情况下的永久压缩应变Cs为10%以上。
  • 本发明提供了一种由磷基单体热固化的磷酸酯基凝胶聚合物共晶阻燃电解质、制备方法及其锂离子电池,属于锂离子电池领域。制备方法包括步骤:将锂盐、磷酸酯阻燃剂和共溶剂混合,并搅拌均匀,得到共晶电解质;在共晶电解质中添加添加剂,搅拌均匀,得到澄清透明...
  • 本发明涉及一种有机化合物,同时涉及这类化合物的应用以及包含其的有机电致发光器件。本发明的有机化合物具有如下式(1)所示的结构,环A、环B、环C、环D、环E、环F、环G各自独立地表示C6~C60的芳环、C5~C60杂芳环中的一种;W11、W2...
  • 本申请涉及半导体领域,公开了一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片,包括:当外延上新机台或者沉积腔室预护性维护后,获得表面沉积有第一外延层的晶圆;第一外延层的中心区域厚度大于边缘区域厚度;刻蚀第一外延层形成刻蚀后外延层;刻蚀时沉积腔室的温度小于...
  • 本发明提供了一种复合陶瓷电解质、一种全固态钠电池及其制备方法和应用。本发明提供的所述复合陶瓷电解质的化学式为Na3+2x3+2xZr2‑2‑xxMxxSi22PO1212·yAB22,式中,M为Zn、Mg、Ni、Cu、Ca、Ba中的至少一种...
  • 本实用新型涉及一种碳捕集同步生物质沼气制氢系统,属于制氢技术领域,包括脱碳塔A、原料换热器、转化炉、脱碳塔B和冷凝器A;脱碳塔A用于生物质沼气的脱碳处理;原料换热器用于预热水蒸汽和所述脱碳塔A处理的生物质沼气;转化炉用于反应原料换热器传输的...
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