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石油,煤气及炼焦工业设备的制造及其应用技术
  • 本发明提供一种半导体器件的制备工艺,涉及半导体技术领域。该半导体器件的制备工艺包括:主形成步:在衬底上形成基体结构,基体结构包括鳍部,鳍部、假栅部和外隔离墙;其中,鳍部包括自下而上交替堆叠的牺牲层和沟道层,且牺牲层的两端形成内墙空腔;沿远离...
  • 本申请涉及半导体技术领域,提供了一种半导体器件及电子设备。半导体器件包括器件主体、芯片层和第一散热件。芯片层运行过程中产生的热量可以传导至第一散热件。散热流体可以流经第一散热件的表面,第一散热件中的第一扰流部凸起于第一基层部的一侧设置,使得...
  • 本发明公开了一种芯片堆叠结构及模组设备。该芯片堆叠结构包括:中介层、N个功能芯片和微通道基板,N取大于0的整数;所述N个功能芯片的第一表面与第二表面相背设置,所述第一表面为设置有功能电路的表面,所述第一表面与所述中介层固定连接,以通过所述中...
  • 本实用新型公开了一种叠片装置,包括叠片基座和叠片机构,所述叠片机构包括设置在所述叠片基座顶端的叠片底座和设置在所述叠片底座顶端的叠片台,还包括呈左右相对设置的左热切刀机构和右热切刀机构,所述叠片机构位于所述左热切刀机构和右热切刀机构之间,所...
  • 本申请涉及一种电解液、含其的二次电池和装置。本申请的电解液,包含锂盐、溶剂和添加剂,其中,溶剂包括非氟代线状碳酸酯和环状砜化合物,添加剂包括氟代饱和环状碳酸酯、不饱和环状碳酸酯、草酸盐化合物和含硫化合物,草酸盐化合物包括草酸硼酸锂盐和草酸磷...
  • 本发明公开了一种960MPa级非调质型易焊接高强度中厚板及其制造方法,其成分重量百分比为C:0.05~0.20%,Si:0.15~0.95%,Mn:0.80~1.80%,Al≤0.20%,P≤0.02%,S≤0.02%,Ti:0.01~0....
  • 一种金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备,方法包括:处理件具有暴露的活性表面和惰性表面,且活性表面和惰性表面之间具有沉积选择比;将处理件置于反应腔室内,进行多次沉积处理步骤,沉积处理步骤包括:载气携带不含氧元素的卤化钼前驱体进入反应腔室,与活...
  • 本发明涉及化工分离技术领域,具体涉及一种以鱼油或藻油为原料提取二十碳五烯酸和二十二碳六烯酸的方法。具体,对以粗酯型鱼油或粗酯型微藻油为原料获得的脂肪酸混合物采用金属离子溶液‑低共熔溶剂组成的三元双体系复配溶剂为萃取剂,进行萃取获得二十碳五烯...
  • 本发明涉及拔牙粉碎仪技术领域,具体涉及一种便于操作的牙体粉碎机,包括机体以及安装在机体的动力座,还包括转动安装在动力座底部的粉碎针管,收集盒固定安装在机体的外壳表面,收集盒内开设有收集腔,收集盒的外侧壁与收集腔之间嵌入安装单向进气阀,通过微...
  • 本申请公开一种电动转向装置及智能电动旅行箱,属于行李箱领域,电动转向装置包括固定杆和升降杆,所述升降杆滑动安装于固定杆上部并可沿着固定杆长度方向滑动,所述固定杆内部设有驱动电机,所述驱动电机的输出端设有丝杠,所述丝杠与升降杆螺纹连接,所述升...
  • 本发明涉及锂离子电池的技术领域,提供了一种富锂锰基前驱体、富锂锰基正极材料以及锂离子二次电池。富锂锰基前驱体的化学式为a[Nix1x1Coy1y1Mnz1z1CO33]·b[Nix2x2Coy2y2Mnz2z2(OH)22];富锂锰基前驱体...
  • 本申请公开了一种信息处理方法、信息处理装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品,该方法包括:获得加速度信息、身高信息、第一双足水平面距离、第二双足水平面距离、以及蹬伸期、摆动期和着地期的足部状态信息;基于身高信息,确定目标对象的脚...
  • 本发明的涂布装置具有:具有在行进的基材的宽度方向上排列的多个涂液喷出口的涂液喷出喷嘴;和用于对从该涂液喷出口喷出的多个柱状的涂液吹喷气体的、至少2个以上的气体喷出喷嘴。这2个气体喷出喷嘴中,从涂液的喷出方向观察时,各自的气体喷出口夹着多个涂...
  • 本发明涉及磁控溅射技术领域,具体地说,涉及一种可调磁控溅射环装置。其包括基座和基座顶部密封安装的密封罩,所述基座与密封罩内腔之间形成真空环境,其特征在于:所述基座顶部设置有磁体腔,所述磁体腔内部形成有中心磁区和延伸磁区。本发明通过液压推杆驱...
  • 本发明涉及一种动态磁场调控系统及调控方法。该系统 : 信号采集模块,其被配置为采集磁控溅射镀膜过程中的工艺信号;信号分析与决策模块,其被配置为对所述工艺信号进行特征提取与分析,并根据分析结果选择磁场运动模式后发出对应模式指令;轨迹规划与执行...
  • 公开了用于快速调节衬底温度的反应器系统和方法。示例性反应器系统可以包括联接到反应器的反应室的一个或多个温度调节气体源。另外或可替代地,示例性反应器系统可包括升降销组件,其可以在处理期间移动衬底远离基座表面。
  • 通过对包含斜方晶系的YF33晶相、不含斜方晶系以外的YF33晶相的喷涂粉进行等离子体喷涂,制造包含斜方晶系的YF33晶相、不含斜方晶系以外的YF33晶相、维氏硬度为350以上的氟化钇系喷涂被膜。能够提供被膜硬度高、暴露于卤素系气体等离子体时...
  • 本发明公开了一种3, 4‑二乙酰氧基‑1‑丁烯的制备方法,属于化工技术领域。包括:所述方法包括以下步骤:将含有1, 4‑二乙酰氧基‑2‑丁烯、催化剂和助剂的原料混合、加热,经过重排反应得到3, 4‑二乙酰氧基‑1‑丁烯;所述催化剂选自过渡金...
  • 本发明属于节能型玻璃或夹层玻璃生产技术领域,公开一种节能型夹层玻璃生产用定型设备,包括基座和承载台,所述承载台呈转动安装在所述基座上;通过所述承载台相对于所述基座的转动,所述承载台的工作台面能够切换并任意停留于水平的卧式状态、垂直的立式状态...
  • 本实用新型公开了一种SMC轻质防爆门扇结构,包括门框、转动安装在门框上的门扇本体、转动安装在门扇本体内部的第一转轴、固定安装在第一转轴上的摇把、固定安装在第一转轴上的蜗杆、固定安装在门扇本体一侧的第一固定块、转动安装在两个第一固定块之间的旋...
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