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低氘富硒猕猴桃复合酵素及其制备方法
本发明公开了一种低氘富硒猕猴桃复合酵素的制备方法,生产原料配方包括如下质量份数比例的各组分:复合生物原料1份,低氘水1.2~1.8份;所述复合生物原料由富硒发酵原料与复合硒有机化原料按照1:0.3~0.7的质量比组成;所述富硒发酵原料包括猕...
一种蜂王浆分离采集装置
本发明涉及蜂王浆分离技术领域,且公开了一种蜂王浆分离采集装置,其包括装置壳体,所述装置壳体的顶部开设有第一过滤分离槽、导流斜槽和第二过滤分离槽,第一过滤分离槽的内部有第一过滤分离部件,第一过滤分离槽上部通过轴承转动安装有旋转轴,旋转轴的表面...
一种采用茎尖分生组织培养福白菊脱毒苗的方法及其应用
本发明涉及一种采用茎尖分生组织培养福白菊脱毒苗的方法,包括步骤如下:首先是外植体采样,采福白菊的根茎嫩芽,切割成带生长点的2~3cm的茎段,进行无菌苗繁育,经无菌水清洗后用乙醇冲洗表面,经消毒和无菌水冲洗后接种于生长培养基中,进行脱毒苗培育...
一种食用菌恒温保湿种植箱及其保存方法
本发明属于食用菌培养设备技术领域,且公开了一种食用菌恒温保湿种植箱及其保存方法,包括箱体,箱体的一侧铰接有箱门,箱体的内部安装有分流喷水管,分流喷水管的下方设置有放置架,放置架的下方设置有第一收集盒,箱体的内部设置有除湿组件;除湿组件包括设...
一种含有嵌入式纳米加热电极的相变薄膜及相变存储器
本申请属于微纳米电子技术中的存储器技术领域,更具体地,涉及一种含有嵌入式纳米加热电极的相变薄膜及相变存储器。本申请提供的含有嵌入式纳米加热电极的相变薄膜,通过采用常规掺杂工艺将化合物电极材料和相变材料共掺杂后进行脉冲处理,使得化合物电极材料...
一种超导量子芯片的空气桥制备方法及超导量子芯片
本申请公开了一种超导量子芯片的空气桥制备方法及超导量子芯片,应用于量子技术领域,本申请实施例方法包括:在超导量子芯片的基底表面设置第一光刻胶层;对第一光刻胶层进行曝光显影处理及加热回流处理,形成桥撑结构;其中,加热回流处理过程中桥撑结构表层...
一种应变二维磁隧道结器件及其制备方法
本发明涉及一种应变二维磁隧道结器件及其制备方法,其中应变二维磁隧道结器件包括:位于底部的应变衬底,位于衬底上的二维铁磁自由层,位于二维铁磁自由层上方一侧的底部金属电极,位于二维铁磁自由层上方另一侧的二维绝缘隧穿层,位于二维绝缘隧穿层上的二维...
二合一灯珠及其制备方法、显示屏
本发明公开了一种二合一灯珠及其制备方法、显示屏,所述二合一灯珠包括基板、LED芯片组和封装胶层;所述基板为六边形基板,所述基板的正面设有正面功能区,背面设有背面功能区,所述正面功能区包括设于所述基板正面中心的共极焊盘区、相对于所述共极焊盘区...
一种带有侧向外延绿光荧光转换层的双波长发光LED器件及其制备方法
本发明提供了一种带有侧向外延绿光荧光转换层的双波长发光LED器件,包括蓝宝石衬底(1)、GaN图形化微结构(2)、位错抑制层(3)、InGaN/GaN绿光多量子阱层(4)、氮化镓层(5)、N型层(6)、InGaN/GaN蓝光多量子阱层(7)...
发光二极管及发光装置
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置,其包括半导体叠层、绝缘层、第一焊盘电极和第二焊盘电极,半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,绝缘层覆盖半导体叠层,第一/第二焊盘电极分别电连接第一/第二半...
一种基于激光氧化和碱腐蚀的TOPCon太阳能电池的加工方法
本发明公开了一种基于激光氧化和碱腐蚀的TOPCon太阳能电池的加工方法,属于太阳能电池技术领域中的一种电池生产方法,其技术方案为S1、制绒清洗;S2、硼扩散;S3、碱抛光;S4、沉积;S5、退火;S6、钝化处理:采用紫外或绿光脉冲激光对硅片...
一种混合封装的功率模块单元
本发明提供了一种混合封装的功率模块单元,其包括:铜槽结构、堆叠于铜槽结构内的Si MOSFET芯片和SiC JFET芯片;Si MOSFET芯片上设有电极片,电极片包括:N极电极片,N极电极片的一端与SiC JFET芯片连接。本发明通过将高...
一种高功率SOA外延结构、芯片及芯片的制备方法
本发明提出一种高功率SOA外延结构、芯片及芯片的制备方法,所述外延结构从下到上依次包括衬底、N‑InP缓冲层、多层交替出现的InGaAsP高折层和N‑InP缓冲层、N‑InP层、InGaAsP SCH层、MQW层、InGaAsP SCH层、...
半导体器件及其制备方法
本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括:依次层叠的衬底、沟道层和势垒层;势垒调制层,位于所述势垒层远离所述衬底的一侧,所述势垒调制层用于保护所述势垒层,并调制能带;势垒调制层的厚度小于所述势垒层的厚度;牺牲层,位于所述势...
一种基于氮化镓衬底的阻挡层增厚型晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于氮化镓衬底的阻挡层增厚型晶体管及其制备方法,该晶体管包括氮化镓衬底层和依次层叠在氮化镓衬底层一侧的碳掺杂阻挡层、缓冲层、沟道层、势垒层和电极单元层;碳掺杂阻挡层的厚度为10~90μm,所述碳掺杂阻挡层的碳掺杂浓度为1×1...
一种多沟道HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种多沟道HEMT器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,本发明的多沟道HEMT器件,针对现有多沟道器件电流损失较大的问题,在源漏区域的多沟道层内设置有多个沿着多沟道HEMT器件宽度方向间隔排布的凹槽,该凹槽至少贯穿一个异质结...
半导体结构的形成方法
一种半导体结构的形成方法包含:在硬遮罩结构上方形成光阻层;图案化光阻层,其中图案化的光阻层具有粗糙表面;在图案化的光阻层上方共形地沉积间隔物,其中在沉积间隔物期间,图案化的光阻层的粗糙表面被修复;以及利用图案化的光阻层及间隔物作为蚀刻遮罩,...
一种电磁耦合型MoO
3
/碳化钛/TiO
2
/Co@CNTs吸波材料的制备方法及其产品
本发明公开了一种电磁耦合型MoO
3
/碳化钛/TiO
2
/Co@CNTs吸波材料的制备方法及其产品,以Mo基碳铝钛陶瓷为前驱体,通过刻蚀工艺剥离成多层Mo基碳化钛,再以此为基体材料衍生MoO
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一种热交换器、电子设备和温度控制方法
本申请实施例提供了一种热交换器、电子设备和温度控制方法,涉及电子设备散热技术领域。该热交换器用于安装在散热机箱的机箱前壳上;散热机箱内,形成有电路板容纳腔;热交换器,包括:空空热交换组件和液金热交换组件;空空热交换组件,包括:换热翅片、热端...
服务器机柜
本发明提供一种服务器机柜,包括:机柜本体,具有多个服务器安装U位;第一检测模块,包括由多个串联设置的第一电阻和与第一电阻一一对应的第一开关形成的回路,多个第一开关改变接入回路中的第一电阻的数量,每个第一开关对应一个服务器安装U位,第一开关设...
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