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最新专利技术
  • 语义召回模型的训练方法、装置及其存储介质
    语义召回模型的训练方法、装置及其存储介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202410199248.9
    本申请提供了语义召回模型的训练方法、装置和计算机存储介质。该方法包括：获取训练样本集，训练样本集包括多个样本对及其样本标签；针对训练样本集中每一个样本对，将查询文本和标题文本分别输入到语义召回模型的第一语义编码器和第二语义编码器，以得到查询...
    2025-09-15
  • 幂等性测试方法、装置、电子设备及存储介质
    幂等性测试方法、装置、电子设备及存储介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202410199500.6
    本申请实施例提供了一种幂等性测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，涉及软件测试领域。该方法包括创建桩服务，配置业务服务传输的业务消息通过桩服务转发；获取测试用例在业务服务系统中触发业务场景后的调用链路；根据调用链路生成中断重入规则，...
    2025-09-15
  • 一种系统性硬化症生物标志物及其检测方法与应用
    一种系统性硬化症生物标志物及其检测方法与应用_复旦大学附属华山医院_202410194372.6
    本发明属医学检验和生物学技术领域，涉及一种系统性硬化症生物标志物及其检测方法与应用，所述生物标志物为抗PRMT5抗体。本发明还提供了PRMT5在制备检测或者治疗系统性硬化症药物或者试剂中的应用，通过检测抗PRMT5抗体水平区分系统性硬化症与...
    2025-09-15
  • 用于控制碱性电解槽的温度的系统
    用于控制碱性电解槽的温度的系统_水木明拓氢能源科技有限公司_202410192632.6
    本发明涉及一种用于控制碱性电解槽的温度的系统，其中，所述系统包括至少一个电解槽、氧气分离器、氢气分离器、碱液冷却器、碱液循环泵，所述氧气分离器和氢气分离器位于所述电解槽的下游，从所述氧气分离器和氢气分离器分离出来的碱液流动到所述碱液冷却器，...
    2025-09-15
  • 多晶硅薄膜及其制备方法和应用
    多晶硅薄膜及其制备方法和应用_天合光能股份有限公司_202410196736.4
    本发明涉及一种多晶硅薄膜及其制备方法和应用。该多晶硅薄膜的制备方法包括如下步骤：在基底上制备非晶硅层，制备中间体；在氧气、水蒸气以及温度为400℃条件下，对中间体进行第一退火处理，制备中间体I；在氧气、水蒸气以及温度为400℃～550℃条件...
    2025-09-15
  • 阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
    阵列基板及其制作方法、液晶显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410199529.4
    本公开实施例提供了一种阵列基板，属于显示技术领域。阵列基板具有显示区和周边区，周边区包括第一绑定区。阵列基板包括依次层叠的衬底基板、驱动电路层、第一电极层、绝缘层和第二电极层。驱动电路层包括位于周边区的多根信号走线，第二电极层包括位于第一绑...
    2025-09-15
  • 一种MIS栅极结构器件、芯片及相关设备
    一种MIS栅极结构器件、芯片及相关设备_华为技术有限公司_202410196580.X
    本申请实施例提供了一种MIS栅极结构器件、芯片及相关设备，其中，该MIS栅极结构器件包括：衬底、衬底上的栅介质层、源极、漏极和栅极；其中，栅介质层、源极和漏极均设置在衬底表面上，且栅介质层设置于源极和漏极之间；在栅介质层远离衬底一侧层叠有栅...
    2025-09-15
  • 一种半导体结构、制备方法及电子装置
    一种半导体结构、制备方法及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410200151.5
    本申请公开了一种半导体结构、制备方法及电子装置，包括基底、介质层、栅极层、第一隔离层和第一隔离结构，所述介质层位于所述基底与所述栅极层之间，所述第一隔离层位于所述栅极层上；所述基底上具有多个鳍式结构，所述鳍式结构穿过所述介质层延伸至所述栅极...
    2025-09-15
  • 氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
    氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法_易达通科技股份有限公司_202410194957.8
    一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法，氮化镓高电子迁移率晶体管包含晶体管结构、散热结构及导电结构。晶体管结构包括复合半导体层及电极单元。复合半导体层具有氮化镓层部。散热结构包括散热绝缘层及设置于散热绝缘层远离复合半导体层的一侧面的散热金...
    2025-09-15
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410197634.4
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，先对有源区进行预非晶化注入以破坏有源区表面晶格并增强后续表面处理效果，再将有源区边界处的器件隔离结构的顶角进行刻蚀去除以暴露出有源区的边界顶角表面(包括顶角的顶面及侧壁)，之后在低于100℃的含氧氛围中对...
    2025-09-15
  • 算力引擎容灾节能方法、通信设备、存储介质和程序产品
    算力引擎容灾节能方法、通信设备、存储介质和程序产品_中兴通讯股份有限公司_202410208303.6
    本申请实施例提供了一种算力引擎容灾节能方法、通信设备、存储介质和程序产品，包括：获取主用引擎节点的节点状态、所开通的目标特性服务和服务终端数量；根据目标特性服务确定主用引擎节点中的第一目标服务组件；根据节点状态和服务终端数量控制第一目标服务...
    2025-09-15
  • 网络性能监测方法、装置、核心网设备、存储介质及计算机程序产品
    网络性能监测方法、装置、核心网设备、存储介质及计算机程序产品_中国移动通信有限公司研究院_202410198659.6
    本申请公开了一种网络性能监测方法、装置、核心网设备、存储介质及计算机程序产品，其中，方法包括：属于终端的HPLMN的第一核心网设备在终端通过卫星接入VPLMN的情况下，接收VPLMN的第二核心网设备上报的所述VPLMN相关的网络性能监测数据...
    2025-09-15
  • 摄像方法、摄像装置、电子设备及存储介质
    摄像方法、摄像装置、电子设备及存储介质_北京小米移动软件有限公司_202410199927.6
    本公开是关于一种摄像方法、摄像装置、电子设备及存储介质。摄像方法包括：响应于接收到进行摄像的指令，获取相机中棱镜的当前旋转角度信息，并获取初始成像数据，所述初始成像数据为原始图像信号经过图像信号处理后得到的图像数据。根据所述当前旋转角度信息...
    2025-09-15
  • 请求响应方法、装置、设备及存储介质
    请求响应方法、装置、设备及存储介质_北京京东乾石科技有限公司_202410199620.6
    本公开提供了一种请求响应方法、装置、设备及存储介质，涉及计算机技术领域。该方法包括：响应于接收到的由目标客户端发送的服务请求，获取目标客户端的标识和服务内容信息；根据目标客户端的标识，查询到目标服务节点的服务接口，其中，目标服务节点表征与目...
    2025-09-15
  • 集群接口板卡、业务转发设备、业务转发方法及集群系统
    集群接口板卡、业务转发设备、业务转发方法及集群系统_华为技术有限公司_202410199363.6
    本实施例提供了集群接口板卡、业务转发设备、业务转发方法及集群系统，该集群接口板卡包括转发交换芯片、多个第一串行解串器接口和多个第二串行解串器接口。转发交换芯片分别与多个第一串行解串器接口和多个第二串行解串器接口连接。多个第一串行解串器接口用...
    2025-09-15
  • 流量镜像的处理方法、装置、计算机设备和存储介质
    流量镜像的处理方法、装置、计算机设备和存储介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202410208286.6
    本申请涉及一种流量镜像的处理方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。该方法可以应用于云计算技术领域，该方法包括：获取与流量镜像任务相关的地址集合，遍历地址集合中的各地址，从当前遍历至的地址所指向的端侧获取实时流量；若当前遍历至的地...
    2025-09-15
  • 网络故障诊断方法、装置、计算机可读介质及电子设备
    网络故障诊断方法、装置、计算机可读介质及电子设备_腾讯云计算(北京)有限责任公司_202410199388.6
    本申请的实施例提供了一种网络故障诊断方法、装置、计算机可读介质及电子设备，该方法包括：在获取到网络通信流量信息之后，确定与网络通信流量信息匹配的网络通信场景信息，并根据网络通信流量信息和网络通信场景信息确定目标网元设备的地址信息；确定各目标...
    2025-09-15
  • 中框组件及电子设备
    中框组件及电子设备_北京小米移动软件有限公司_202410200255.6
    本公开是关于一种中框组件及电子设备，所述中框组件包括：框体，所述框体包括相对的第一边和第二边；多个天线，所述多个天线的至少一部分分别设置于所述第一边和所述第二边，所述多个天线辐射和/或接收第一频段信号，其中，所述多个天线环绕所述框体设置以使...
    2025-09-15
  • 部分屏蔽半导体器件及其形成方法
    部分屏蔽半导体器件及其形成方法_星科金朋私人有限公司_202410197630.6
    本申请提供了一种部分屏蔽半导体器件及其形成方法。所述方法包括：提供半导体封装件；分配墨水组合物以在所述半导体封装件的表面上形成阻挡结构，所述阻挡结构将所述半导体封装件的表面划分为至少第一部分和第二部分；将包括金属前体的流体分配到所述半导体封...
    2025-09-15
  • 一种芯片的阱边界效应优化方法、装置及电子设备
    一种芯片的阱边界效应优化方法、装置及电子设备_炬芯科技股份有限公司_202410199047.9
    本发明公开了一种芯片的阱边界效应优化方法、装置及电子设备，针对原始芯片版图中的每个阱执行，根据阱中N阱、高压标记层及原始衬底层的存在状态，确定阱的阱类型；确定预设范围内不存在除该阱类型之外的其他阱类型的相关层，且，不存在与该阱类型对应的目标...
    2025-09-15
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