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最新专利技术
  • 包括在贯穿模制导体上的直接存储器附接的集成器件
    包括在贯穿模制导体上的直接存储器附接的集成器件_高通股份有限公司_202480049363.6
    一种集成器件(100)，包括：裸片(102)，该裸片包括有源电路以及接触件的第一集合(104)；第一衬底(108)，该第一衬底包括在第一衬底的第一侧(114)上的接触件的第二集合(110)和接触件的第三集合(112)和在第一衬底的第二侧(1...
    2026-03-11
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202380100710.9
    本发明的目的在于提供一种即使在传递模塑后产生产品的翘曲的情况下，也能抑制绝缘基板破裂的技术。半导体装置包括：具有绝缘层、表面图案和背面图案的绝缘基板；搭载在表面图案上的半导体元件；以及在使背面图案中的与绝缘层相对的面的相反侧的面露出的状态下...
    2026-03-11
  • 具有定向锁定结构的半导体封装件
    具有定向锁定结构的半导体封装件_特斯拉公司_202480050208.6
    本公开涉及一种半导体封装件。半导体封装件包括半导体管芯、模制材料和导电结构。导电结构至少部分与半导体管芯堆叠，导电结构包括围绕半导体管芯的点定位的多个槽。多个槽被配置为均衡在半导体管芯的操作期间围绕半导体管芯的点的热应力，其中热应力关联于导...
    2026-03-11
  • 使用多层光敏性电介质来制造双镶嵌结构
    使用多层光敏性电介质来制造双镶嵌结构_应用材料公司_202480049999.0
    一种方法包括获得基底结构，该基底结构包括安置在基板上的介电层堆叠。该介电层堆叠包括：第一光敏性介电层，该第一光敏性介电层包括对第一辐射剂量敏感的第一光敏性介电材料；第二光敏性介电层，该第二光敏性介电层包括对不同于该第一辐射剂量的第二辐射剂量...
    2026-03-11
  • 电力设备和电力设备的制造方法
    电力设备和电力设备的制造方法_三菱电机株式会社_202380100807.X
    本公开的电力设备(1000)具备：散热器(1)；振动吸收构件(2)，配置于散热器(1)上，吸收从外部传递的振动；以及半导体装置(100)，配置于振动吸收构件(2)上，在底面侧设置有导热性绝缘构件(16)，经由振动吸收构件(2)配置于散热器(...
    2026-03-11
  • 空间成形构件和半导体封装组件
    空间成形构件和半导体封装组件_梁祗瑀_202480049331.6
    公开了一种空间成形构件和半导体封装组件。空间成形构件包括：绝缘主体，横向延伸以对应于从半导体封装引出的引线的引线主体的形状；以及绝缘延伸部，从绝缘主体的一侧向下延伸以对应于从引线主体的外端向下延伸的引线的引线延伸部的形状。半导体封装的传热板...
    2026-03-11
  • 导热性组合物、层叠体的制造方法和层叠体
    导热性组合物、层叠体的制造方法和层叠体_迪睿合株式会社_202480050623.1
    提供一种导热性组合物，其含有固化成分、固化剂以及金属填料，上述金属填料为选自银粒子、铜粒子、银被覆铜粒子和铜被覆银粒子中的至少1种，上述金属填料中的粒径1μm以下的粒子的体积填充率为5体积%以上，上述金属填料的体积填充率为30体积%以上90...
    2026-03-11
  • 基板处理装置
    基板处理装置_PSK控股公司_202480049534.5
    本发明公开了一种基板处理装置，所述基板处理装置可以通过防止气体渗透到夹紧环与引导环之间的缝隙来防止因局部等离子体所导致的基板和腔体内部的部件的损伤，并且可以使基板的处理变得均匀。根据本发明的实施例的基板处理装置，可以包括：支撑部，构成为支撑...
    2026-03-11
  • 用于竖直余隙受限的厚、重和/或弯曲衬底的末端执行器和衬底传送序列
    用于竖直余隙受限的厚、重和/或弯曲衬底的末端执行器和衬底传送序列_朗姆研究公司_202480049890.7
    末端执行器包括主体，该主体包括第一主体部，其连接至机械臂的腕部；第二主体部，其从所述第一主体部延伸并且包括第一臂、第二臂以及位于所述第一臂与所述第二臂之间的槽；以及多个接触垫。所述多个接触垫包括：N个接触垫，其被布置于所述第二主体部上邻近所...
    2026-03-11
  • 群集工具的交换器
    群集工具的交换器_应用材料公司_202480049866.3
    公开了一种群集工具的交换器组件，该交换器组件包括外壳、至少两个交换器和马达组件。该至少两个交换器至少部分地安置在该外壳内并相对于该外壳可旋转。每个交换器包括主体、第一臂和第二臂。该第一臂和该第二臂相对于该主体可旋转。该马达组件包括至少一个马...
    2026-03-11
  • 用于将第一衬底与第二衬底键合的方法、用于键合的设备、用于这种设备的衬底保持器以及传感器元件
    用于将第一衬底与第二衬底键合的方法、用于键合的设备、用于这种设备的衬底保持器以及传感器元件_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202380101005.0
    一种用于将第一衬底与第二衬底(10)键合的方法，其中第一衬底具有主部段，并且第二衬底(10)具有辅部段，其中在将第一衬底与第二衬底(10)键合时，在第一子部段与第二子部段之间形成沿着键合方向前进的键合波：‑‑在所述第一子部段中，第一衬底和第...
    2026-03-11
  • 基片处理方法
    基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480050579.4
    本发明提供一种基片处理方法，在光致抗蚀剂膜之上有选择地形成氮化膜。基片处理方法包括：准备具有基底膜的基片的步骤；在所述基底膜之上形成光致抗蚀剂膜的步骤；对所述光致抗蚀剂膜实施曝光处理和显影处理，在所述光致抗蚀剂膜形成开口的图案的步骤；暴露在...
    2026-03-11
  • 半导体制造装置的运转方法及半导体制造装置
    半导体制造装置的运转方法及半导体制造装置_株式会社日立高新技术_202480006191.4
    本发明提供一种提高半导体制造装置的处理室的内壁的清洁的生产率的技术。半导体制造装置的运转方法对配置于处理室内的晶片进行处理，其中，包括：在一个晶片的处理结束之后在处理室内配置另一个晶片的工序；以及，在另一个晶片配置于处理室内的状态下向处理室...
    2026-03-11
  • OxRAM电阻式存储单元及相关制造方法
    OxRAM电阻式存储单元及相关制造方法_原子能和能源替代品委员会_202480049665.3
    本公开涉及OxRAM电阻式存储单元(1)，其包含第一电极(2)、第二电极(3)以及在第一电极(2)与第二电极(3)之间延伸的活性层(4)。其中，所述活性层(4)包含介电氧化物层(12)和活性材料层(10)，所述介电氧化物层(12)设置在所述...
    2026-03-11
  • 磁器件
    磁器件_SP-AITH有限公司_202380100935.4
    提供能够提升特性的磁器件。实施方式的磁器件包括第1导电构件和第1元件部。所述第1元件部包括第1磁性层、第2磁性层和第1非磁性层。所述第1磁性层设置于所述第1导电构件与所述第2磁性层之间。所述第1非磁性层在从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第...
    2026-03-11
  • 金属图案化材料、杂环化合物、金属图案化用薄膜、有机电致发光元件、电子设备以及金属图案的形成方法
    金属图案化材料、杂环化合物、金属图案化用薄膜、有机电致发光元件、电子设备以及金属图案的形成方法_东曹株式会社_202480049681.2
    本发明提供能够高度抑制在膜表面形成金属薄膜的化合物、包含其的金属图案化材料、使用其的金属图案化用薄膜、有机电致发光元件、金属图案的形成方法、以及电子设备。金属图案化材料，例如，包含下述式(A2)所示的化合物。[化1] 式(A2)中，R1和R...
    2026-03-11
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202380008733.7
    本公开实施例提供一种显示面板，其中，包括基底，像素电路，像素单元阵列和彩膜层，像素电路、像素单元阵列和彩膜层依次叠置于基底的一侧；像素单元包括第一子像素和第二子像素，第一子像素的开口率大于第二子像素的开口率，第一子像素的开口数量大于第二子像...
    2026-03-11
  • 显示基板、显示面板和显示装置
    显示基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202380008833.X
    提供一种显示基板、显示面板和显示装置。显示基板包括：设置于衬底基板的多个子像素；设置于衬底基板的第一初始化电压信号线；设置于衬底基板的第一电极；设置于第一电极层远离衬底基板一侧的像素界定层，至少一个子像素包括位于像素界定层的像素开口。第一初...
    2026-03-11
  • 发光装置、其制备方法以及包括发光装置的电子设备
    发光装置、其制备方法以及包括发光装置的电子设备_纳晶科技股份有限公司_202380100967.4
    公开了发光装置、其制备方法以及包括发光装置的电子设备。发光装置包括：第一基板，其上具有多个底电极区，多个底电极区包括分别对应于第一、第二和第三子像素的第一底电极区、第二底电极区以及第三底电极区，第一底电极区和第二底电极区在第一方向上相邻地设...
    2026-03-11
  • 钙钛矿材料及其用途
    钙钛矿材料及其用途_维多利亚联结有限公司_202480044198.5
    本发明涉及一种包含钙钛矿和单线态裂分化合物的杂化材料。该杂化材料包括钙钛矿层，在该钙钛矿层中，该单线态裂分化合物占据该钙钛矿结构的层间空间。该杂化材料(例如，在光伏电池中)可以用作半导体。还公开了用于制备该杂化材料和包括该杂化材料的部件(诸...
    2026-03-11
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