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最新专利技术
  • 陶瓷片及半导体装置
    陶瓷片及半导体装置_日东新兴有限公司_202480042410.4
    本发明提供陶瓷片等，所述陶瓷片具备包含50体积%以上的颗粒状的陶瓷材料和半固化状态的固化性树脂的陶瓷层，未固化状态的前述固化性树脂的软化点比差示扫描量热法(DSC)的测定图中的固化前的前述陶瓷层的固化反应开始温度低20℃以上。
    2026-02-26
  • 半导体封装
    半导体封装_LG伊诺特有限公司_202480047871.0
    根据实施例的电路板包括：绝缘层；设置在绝缘层上的上接合部；以及上保护层，所述上保护层设置在绝缘层上并且包括在垂直方向上与上接合部重叠的第一通孔，其中上接合部在水平方向上的宽度满足第一通孔在水平方向上的宽度的0.55倍至0.95倍的范围。
    2026-02-26
  • 具有结构元件的接触系统和用于施布烧结剂的方法
    具有结构元件的接触系统和用于施布烧结剂的方法_罗伯特·博世有限公司_202480047901.8
    本发明涉及一种接触系统。接触系统具有电路载体和至少一个结构元件。结构元件借助一个，尤其是至少一个或仅一个烧结连接与电路载体电连接和材料锁合地连接。在接触系统中的烧结连接借助具有互补的表面几何形状的两个互补的烧结剂层来产生。互补的烧结剂层中的...
    2026-02-26
  • 用于将薄膜转移到载体衬底的方法
    用于将薄膜转移到载体衬底的方法_索泰克公司_202480047541.1
    本发明涉及一种用于将薄层转移到载体衬底的方法，该方法包括：‑通过经由结合界面(3)直接结合供体衬底(1)和载体衬底(2)的相应正面(1a, 2a)来接合供体衬底和载体衬底，以形成在该结合界面(3)内具有局部未结合区域(31)的结合组件(10...
    2026-02-26
  • 固化性组合物、膜形成方法和物品的制造方法
    固化性组合物、膜形成方法和物品的制造方法_佳能株式会社_202480048164.3
    本发明提供固化性组合物，其包含聚合性化合物(a)、光聚合引发剂(b)、溶剂(d)和表面活性剂(c1)，其中该固化性组合物在23℃和1atm的粘度为1.3mPa·s至60mPa·s(包括端值)；溶剂(d)相对于固化性组合物全体的含量为大于5体...
    2026-02-26
  • 具备供电端子零件的构件
    具备供电端子零件的构件_东华隆股份有限公司_202480047084.6
    一种构件，具备：金属制的基材；供电端子零件，组入到所述基材；以及接合部，将所述基材与所述供电端子零件接合，所述供电端子零件包括：导电性的供电构件；绝缘子，通过钎焊或玻璃接合而固定在所述供电构件的外侧且包含绝缘性材料；以及金属制的套筒，通过钎...
    2026-02-26
  • 静电卡盘装置及其制造方法以及静电卡盘装置的再生方法
    静电卡盘装置及其制造方法以及静电卡盘装置的再生方法_创意科技股份有限公司_202480047029.7
    提供一种静电卡盘装置，该静电卡盘装置在考虑了使用后的再生处理时，能够尽可能地抑制产生劳力、成本，同时使泄漏电流值、体积电阻率、表面粗糙度等初始性能重复显现。一种静电卡盘装置，具备具有制冷剂流路的基底基材以及在绝缘层与电介质层之间具有内部电极...
    2026-02-26
  • 基板处理方法以及基板处理装置
    基板处理方法以及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480041652.1
    基板处理方法包含：浸渍工序，使基板浸渍于被收容在腔室内的处理槽内的第一处理液；露出工序，使所述基板从所述第一处理液露出至所述腔室内的氛围；压坏工序，将所述腔室内减压，将覆盖露出至所述氛围的所述基板的表面的所述第一处理液的液膜所含有的细微气泡...
    2026-02-26
  • 切割方法、切割品的制造方法以及切割装置
    切割方法、切割品的制造方法以及切割装置_东和株式会社_202480047866.X
    一种切割方法，其是切割对象物(60)的切割方法，该对象物(60)具有固定有元件的基板(63)和粘接于基板(63)来保护元件的保护膜(67)，其中，切割方法包括：低温化工序，通过从流体释放部(34)浇淋流体来使保护膜(67)成为低温；膜切割工...
    2026-02-26
  • 蚀刻方法及等离子体处理装置
    蚀刻方法及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480047888.6
    本发明提供一种蚀刻方法，其包括如下工序：(a)在腔室内将基板提供至基板支承部上；(b)将基板暴露于包含氟化氢气体的第1处理气体中；及(c)在(b)之后，向基板支承部供给电偏置，并将基板暴露于由第2处理气体生成的等离子体中，第2处理气体包含选...
    2026-02-26
  • 处理部、基板处理装置以及半导体装置的制造方法
    处理部、基板处理装置以及半导体装置的制造方法_株式会社国际电气_202480047511.0
    本发明提供一种技术，具有：供给部，其供给气体；以及多个排气口，其排出所述气体，所述多个排气口包括：第一排气口，其设置于与所述供给部对置的方向；第二排气口，其构成为，设置于与从所述供给部朝向所述第一排气口的直线交叉的直线上，该直线与从所述供给...
    2026-02-26
  • 薄膜修饰电极和使用其的有机元件
    薄膜修饰电极和使用其的有机元件_株式会社日本触媒_202480048234.5
    本发明提供一种大气稳定性和电子注入性特别优异的电极以及使用了这种电极的有机元件。本发明涉及一种薄膜修饰电极，该薄膜修饰电极在电极上相邻地具有包含金属和能够与该金属配位的有机化合物的层、或者包含金属的层和包含能够与该金属配位的有机化合物的层依...
    2026-02-26
  • 包含第一金属化合物和第二金属化合物的有机电致发光器件以及包含有机电致发光器件的显示装置
    包含第一金属化合物和第二金属化合物的有机电致发光器件以及包含有机电致发光器件的显示装置_诺瓦尔德股份有限公司_202480039378.4
    本发明涉及包含第一金属化合物和第二金属化合物的有机电致发光器件以及包含所述有机电致发光器件的显示装置。
    2026-02-26
  • 电荷传输性清漆及其制造方法
    电荷传输性清漆及其制造方法_日产化学株式会社_202480048076.3
    作为形成空穴注入性优异的电荷传输性薄膜、同时保存稳定性也优异的电荷传输性清漆，提供电荷传输性清漆，其为包含用由式(S1)表示的硅烷偶联剂表面处理过的SiO22纳米粒子、电荷传输性物质、和有机溶剂的电荷传输性清漆，其中，残存硅烷偶联剂被除去处...
    2026-02-26
  • 包括含有丙烯酸酯的聚合物层的太阳能电池
    包括含有丙烯酸酯的聚合物层的太阳能电池_凡泰姆股份公司_202380099978.5
    本发明涉及太阳能电池，所述太阳能电池具有被布置为与保护层相邻的聚合物层，所述聚合物层包含丙烯酸酯聚合物；本发明还涉及其制造方法和用于制造所述聚合物层的液态组合物。
    2026-02-26
  • 发光装置及用于制造发光装置的方法
    发光装置及用于制造发光装置的方法_索尼半导体解决方案公司_202480048276.9
    根据本公开的一个实施方式的发光装置设置有：二维布置的多个发光元件；以及多个波长转换层，逐个设置在多个发光元件的光发射侧上，以分别面向发光元件。每个发光元件具有多层体，该多层体朝向波长转换层侧依次包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导...
    2026-02-26
  • 具有差异化P型和N型布局且采用点状扩散的太阳能电池发射区的制造
    具有差异化P型和N型布局且采用点状扩散的太阳能电池发射区的制造_迈可晟太阳能有限公司_202480047425.X
    本文描述了具有差异化P型和N型布局且采用点状扩散的太阳能电池发射区的制造方法以及由此制造出的太阳能电池。在示例中，太阳能电池包含具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射区在该基板的该背表面上的第一薄电介质层上。不同的第二导...
    2026-02-26
  • 薄膜太阳能电池以及相应的制造方法
    薄膜太阳能电池以及相应的制造方法_卢森堡大学_202480045878.9
    本发明涉及薄膜CIGS太阳能电池。用于生产这种太阳能电池的方法包括以下顺序步骤：提供基板(12)；在所述基板上形成背电极层(14)；在所述背电极层上形成空穴传输结构(20)，所述空穴传输结构包括在所述背电极层上的包括P型导电材料的空穴传输层...
    2026-02-26
  • 图像传感器、摄像头模组、电子设备及显示系统
    图像传感器、摄像头模组、电子设备及显示系统_华为技术有限公司_202380099891.8
    本申请实施例提供一种图像传感器、摄像头模组、电子设备及显示系统，图像传感器包括层叠设置的超表面层和光电转换层，光电转换层用于将透过超表面层的光转换成电信号。超表面层具有第一微纳结构层，第一微纳结构层包括多个微结构阵列，每个微结构阵列包括阵列...
    2026-02-26
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480047028.2
    提供一种高速驱动的半导体装置。该半导体装置中设置有包括第一至第四金属氧化物层的晶体管。第二金属氧化物层设置在第一金属氧化物层上。第三及第四金属氧化物层具有与第一及第二金属氧化物层的侧面接触的区域。第三金属氧化物层与第四金属氧化物层隔着第一及...
    2026-02-26
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