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最新专利技术
  • 一种汽车用热镀锌钢涂装薄膜处理工艺
    一种汽车用热镀锌钢涂装薄膜处理工艺_本钢板材股份有限公司_202511719540.X
    本发明涉及一种汽车用热镀锌钢涂装薄膜处理工艺，包括S1、精细化预处理：将热镀锌钢板进行脱脂与水洗；S2、配制硅烷处理液；S3、成膜处理：将经步骤S1处理后的热镀锌钢板浸渍于步骤S2配制的硅烷处理液中浸渍，随后取出沥液；S4、可控梯度干燥与固...
    2026-04-20
  • 镀锌管高湿环境耐蚀化合物成膜装置及方法
    镀锌管高湿环境耐蚀化合物成膜装置及方法_天津友发钢管集团股份有限公司第一分公司_202511652061.0
    本发明公开了镀锌管高湿环境耐蚀化合物成膜装置及方法，属于镀锌管高湿环境耐蚀化合物成膜技术领域，包括加工支架和安装在加工支架上的钝化槽，钝化槽上方固定安装有防护罩，防护罩中安装有喷淋管，防护罩外部固定有与喷淋管贯通的出料管；钝化槽底部居中固定...
    2026-04-20
  • 不额外加KCN的化学还原金工作液及化学镀金方法
    不额外加KCN的化学还原金工作液及化学镀金方法_宏维科技(深圳)有限公司_202510925129.1
    本发明公开了不额外加KCN的化学还原金工作液，工作液不包含氰化钾(KCN)；并按照以下质量或者容量百分比配比获得，包括：氰化亚金钾；纯水；络合剂，包括：为8%的无水醋酸钠，6%的乙二胺四乙酸钠，3%的硫酸钠，2%的甘氨酸，0.08%的甲醛，...
    2026-04-20
  • 一种优化铜晶格以提高镀层结合力的工艺方法
    一种优化铜晶格以提高镀层结合力的工艺方法_黄石沪士电子有限公司_202511524671.2
    本发明涉及印刷电路板技术领域，且公开了一种优化铜晶格以提高镀层结合力的工艺方法，包括以下步骤：除胶渣处理：对钻孔后的印制电路板进行除胶渣处理，使孔壁表面形成粗化结构；活化处理：在粗化后的孔壁表面吸附钯催化颗粒，形成均匀分布的催化中心；化学铜...
    2026-04-20
  • 一种高抗磨梳棉机金属针布的多元多层复合化学镀覆方法
    一种高抗磨梳棉机金属针布的多元多层复合化学镀覆方法_锋华新材料科技(海安)有限公司_202511850129.6
    本发明涉及化学镀覆技术领域，具体为一种高抗磨梳棉机金属针布的多元多层复合化学镀覆方法，包括以下步骤：基底预处理：梳棉机金属针布基底为65Mn钢或20CrMnTi钢，对该基底依次进行除油、除锈、活化处理，获得表面洁净的预处理基底；所述底层为镍...
    2026-04-20
  • 一种超低孔隙率银包铜粉的制备方法
    一种超低孔隙率银包铜粉的制备方法_云南铜业股份有限公司西南铜业分公司_202511638344.X
    本发明公开一种超低孔隙率银包铜粉的制备方法，属于金属粉末表面改性技术领域。本发明将铜粉加入含NaOH、SDS、Tween 80和柠檬酸钠的混合溶液中超声处理；过滤后固体浸入H22SO44溶液超声，过滤后固体二次分散于NaOH溶液超声得到活化...
    2026-04-20
  • 一种薄膜沉积设备、半导体器件的加工方法及存储介质
    一种薄膜沉积设备、半导体器件的加工方法及存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511786466.3
    本发明提供了一种薄膜沉积设备、半导体器件的加工方法及存储介质。所述薄膜沉积设备包括：缓冲腔，包括隔板、第一加热机构及冷却机构，其中，所述隔板横向安装于所述缓冲腔的内部，以将所述缓冲腔分隔为第一隔层及第二隔层，所述第一加热机构安装于所述第一隔...
    2026-04-20
  • 沉积方法
    沉积方法_宸微设备科技(苏州)有限公司_202610026526.X
    一种沉积方法，包括：进行多种子沉积循环，每种子沉积循环包括：通入前驱体；进行第一扫气处理；通入共反应物；进行第二扫气处理；其中，每种子沉积循环中，通入的前驱体的浓度不同。本公开有利于提高沉积膜层的均匀性。
    2026-04-20
  • 一种硬度梯度薄膜的制备方法及硬度梯度薄膜和柔性导电结构
    一种硬度梯度薄膜的制备方法及硬度梯度薄膜和柔性导电结构_江苏先导微电子科技有限公司_202511908685.4
    本申请涉及薄膜制备技术领域，具体公开了一种硬度梯度薄膜的制备方法及硬度梯度薄膜和柔性导电结构。本方法通过动态调控软成分气体和硬成分气体的流量配比，实现了薄膜硬度从软质区间至硬质区间的连续梯度过渡，具有过渡平滑、制备效率高等优势。硬度梯度薄膜...
    2026-04-20
  • 镀膜装置
    镀膜装置_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511706569.4
    本申请涉及光伏和半导体技术领域，具体涉及一种镀膜装置，解决了镀膜装置对基片整体加热，导致基片出现严重的热损伤的问题。该镀膜装置包括炉体、第一料盒和加热组件。炉体具有第一容纳腔，第一容纳腔具有第一开口，第一料盒具有第二容纳腔，第二容纳腔具有第...
    2026-04-20
  • 一种加热盘及半导体设备
    一种加热盘及半导体设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511657555.8
    本发明涉及半导体设备技术领域，更具体地说，涉及一种加热盘及半导体设备。为了实现上述目的，本发明提供了一种加热盘，包括盘体和盘柄；所述盘体上设置有多圈同心吸附沟槽和多个径向吸附沟槽，所述多圈同心吸附沟槽通过所述径向吸附沟槽连通；所述盘柄内部设...
    2026-04-20
  • 一种真空吸附加热盘及半导体设备
    一种真空吸附加热盘及半导体设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511657548.8
    本发明涉及半导体设备技术领域，更具体地说，涉及一种真空吸附加热盘及半导体设备。为了实现上述目的，本发明提供的真空吸附加热盘，包括盘体和盘柄：所述盘体上设置有多圈同心吸附沟槽和多个径向吸附沟槽；所述同心吸附沟槽或径向吸附沟槽上设置有多个垂直抽...
    2026-04-20
  • 一种MPCVD金刚石生长用的多散热基台结构的制造工艺
    一种MPCVD金刚石生长用的多散热基台结构的制造工艺_安徽尤品新材料有限公司_202511363166.4
    本发明公开了一种MPCVD金刚石生长用的多散热基台结构的制造工艺，包括以下步骤，S1、制造主散热治具：在主散热治具的底部设置有散热通道，所述散热通道为环向分布的阶梯状结构，所述阶梯结构是由基台中心向边缘按照梯度逐级分布形成；所述主散热治具的...
    2026-04-20
  • 半导体生长设备
    半导体生长设备_楚赟精工科技(上海)有限公司_202610024304.4
    本发明公开了一种半导体生长设备，包括：衬底载体，底面中部设有槽结构；旋转装置；内部转轴；活动套设于所述内部转轴外的外部转轴，所述外部转轴顶部与所述槽结构相适配，所述旋转装置连接所述外部转轴以带动所述衬底载体转动，所述内部转轴延伸并设于所述旋...
    2026-04-20
  • 设有旋转装置的半导体生长设备
    设有旋转装置的半导体生长设备_楚赟精工科技(上海)有限公司_202610024303.X
    本发明涉及一种设有旋转装置的半导体生长设备，包括：衬底载体，底面中部设有槽结构；转轴；旋转驱动装置，设于所述转轴以驱动所述转轴转动；所述转轴顶部包括转轴凸起段和围设于所述转轴凸起段底部的转轴延长段；所述转轴凸起段与所述槽结构相适配以在所述旋...
    2026-04-20
  • 电阻式加热MOCVD设备中的双涂层载盘及其制备方法
    电阻式加热MOCVD设备中的双涂层载盘及其制备方法_湖南顶立科技股份有限公司_202511748650.9
    本发明公开了一种电阻式加热MOCVD设备中的双涂层载盘及其制备方法，所述双涂层载盘包括石墨基体、石墨基体加热面上的碳化硅涂层、石墨基体承载衬底面上的碳化钽涂层；以及设置在碳化硅涂层与碳化钽涂层界面处的梯度过渡层。该方法包括：石墨基体预处理；...
    2026-04-20
  • 改善低压化学气相沉积工艺中薄膜厚度均匀性的方法
    改善低压化学气相沉积工艺中薄膜厚度均匀性的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511692021.9
    本发明提供一种改善低压化学气相沉积工艺中薄膜厚度均匀性的方法。该方法通过采用陪片非满配的晶舟进行薄膜沉积，其中，晶舟顶部和/或底部的空置槽位改变了局部反应气体浓度及温度分布，使得邻近晶圆边缘区域的沉积速率增加，从而有效补偿中心与边缘的膜厚差...
    2026-04-20
  • 一种用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置
    一种用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置_昊石新材料科技南通有限公司_202511608517.3
    本申请涉及一种用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置，涉及气相沉积技术领域；该用于气相沉积炉的工件支撑点切换装置包括底座，所述底座用于设置于气相沉积炉内，所述底座上还设置有支撑机构，所述支撑机构包括支撑架、切换架与升降组件，所述支撑架与切换架上...
    2026-04-20
  • 一种硅片成膜用托盘装置及成膜方法
    一种硅片成膜用托盘装置及成膜方法_中国机械总院集团北京机电研究所有限公司_202511551447.2
    一种硅片成膜用托盘装置及成膜方法，包括：一个或多个碳纤维板，碳纤维板用于承载硅片，碳纤维板的外形尺寸和数量对应镀膜面积；载具，载具的上表面用于承载碳纤维板，载具对应一个或多个碳纤维板设置，其上设置有一个或多个通孔，通孔位于托盘的下方位置，与...
    2026-04-20
  • 原子层沉积设备
    原子层沉积设备_深圳市原速光电科技有限公司_202610008542.6
    本发明公开了一种原子层沉积设备，包括反应室、反应模块与加热模块，反应室的两端分别设有进口与出口，加热模块位于反应室内，并设置于反应模块朝向进口的一端以及反应模块朝向出口的一端。加热模块能够释放热量，反应室靠近进口与出口的区域被加热模块加热，...
    2026-04-20
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