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最新专利技术
  • 纵向型器件及半导体模块
    纵向型器件及半导体模块_富士电机株式会社_202480035631.9
    提供一种纵向型器件，所述纵向型器件具备具有上表面和下表面的半导体基板、以及设置于所述半导体基板的整个所述下表面的下表面电极，所述下表面电极包含铜。所述下表面电极可以具有在距所述半导体基板的所述下表面最远的表面露出的最下层，所述最下层可以包含...
    2026-02-08
  • 用于暴露裸片封装的背侧模制化合物飞边抑制沟槽
    用于暴露裸片封装的背侧模制化合物飞边抑制沟槽_德州仪器公司_202380100044.9
    描述了一种背侧暴露的半导体裸片封装(100)，其具有围绕所述半导体裸片封装(100)的周界的多个引线(146)、电耦合到多个所述引线(146)的半导体裸片(104)、在所述半导体裸片(104)的背侧(114)上的多个模制化合物飞边抑制沟槽(...
    2026-02-08
  • 接合构造体的制造方法、层叠体的制造方法及接合方法
    接合构造体的制造方法、层叠体的制造方法及接合方法_三井金属株式会社_202480034226.5
    将含有铜颗粒和有机溶剂的糊剂涂敷于第1被接合体(11)而形成涂膜(13a)；除去涂膜(13a)所包含的有机溶剂的一部分；通过以第2被接合体(12)的一部分埋没于涂膜(13a)中的方式将第2被接合体(12)压入到涂膜(13a)中而得到依次具备...
    2026-02-08
  • 用于用电镀铜柱产生双面模制模块的方法
    用于用电镀铜柱产生双面模制模块的方法_QORVO美国公司_202480045521.0
    本公开涉及一种制造双面模制模块的方法，所述方法开始于提供层压板，所述层压板包括层压主体、在所述层压主体的底表面上的垫以及围绕所述垫且在所述层压主体的所述底表面上的铜柱。具有高度变化的所述铜柱比每个垫高。接下来，将所述层压板放置在支撑块上，所...
    2026-02-08
  • 检测半导体元件中的裂纹的方法以及相关的焊线系统
    检测半导体元件中的裂纹的方法以及相关的焊线系统_库利克和索夫工业公司_202480044520.4
    一种焊线系统包括：焊头组件，所述焊头组件被配置为携载焊线工具，所述焊线工具用于相对于包含半导体元件的工件执行焊线操作；支撑结构，用于支撑所述工件；以及电脑系统，所述电脑系统被配置为：在所述焊线系统上提供所述半导体元件；以及检测在所述焊线系统...
    2026-02-08
  • 基板尺寸适配器
    基板尺寸适配器_统一半导体公司_202480045186.4
    本发明涉及一种用于保持晶片(W)的适配器(1)。适配器的背面(1b)旨在被放置在设置于支撑件(S)的主面(S1)上的第一吸附通道(C1)和第二吸附通道(C2)上并在该第一吸附通道和该第二吸附通道上延伸。适配器(1)包括设置在正面(1a)上以...
    2026-02-08
  • 用于可变尺寸管芯的异质集成的载台和工具
    用于可变尺寸管芯的异质集成的载台和工具_ASML荷兰有限公司_202480045679.8
    一种用于管芯的支撑结构，包括：附接连接件阵列，被配置为保持管芯致动器，该管芯致动器中的每个管芯致动器由至少一个附接连接件保持；以及控制器连接阵列，被配置为与管芯致动器进行接口连接以控制管芯致动器的移动，其中控制器连接阵列被散布在附接连接阵列...
    2026-02-08
  • 在线微环境污染检测与监测系统
    在线微环境污染检测与监测系统_创控科技股份有限公司_202480044450.2
    公开包含一或多个入口及一或多个出口的主动流量控制系统的实施例。第一出口经配置以流体地耦合到微环境的入口，且第一入口经配置以耦合到所述微环境的出口。所述主动流量控制系统包含一或多个流量控制配置；每一流量控制配置对应于流量控制模式。所述一或多个...
    2026-02-08
  • 基板处理方法及基板处理装置、以及半导体装置的制造方法及半导体制造装置
    基板处理方法及基板处理装置、以及半导体装置的制造方法及半导体制造装置_株式会社斯库林集团_202480045001.X
    本发明是提供一种通过抑制或减少膜缺陷的产生，从而能够在短时间内高效率地在基板表面形成致密性及保护性能优异的自组装单分子膜的基板处理方法及基板处理装置、以及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。本发明的基板处理方法是在基板(W)的表面(Wf)...
    2026-02-08
  • 实现在后段工艺通孔中钽氮化物阻挡层的选择性沉积
    实现在后段工艺通孔中钽氮化物阻挡层的选择性沉积_朗姆研究公司_202480044264.9
    促进含金属膜沉积的预处理方法包括将半导体衬底暴露于还原剂和抑制剂。含硅抑制剂和还原剂预处理可与含金属阻挡膜的沉积结合使用，以及与可选的后处理一起，以移除抑制剂。选择性沉积可以通过利用具有至少一个Si‑H基团和有机部分的含硅抑制剂来实现。
    2026-02-08
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202480045308.X
    显示设备包括：发光面板，包括第一基板、布置在第一基板上的多个发光二极管、包括多个开孔的堤挡层、布置在堤挡层的开孔中的功能层和布置在功能层上的多个透镜；颜色面板，布置在发光面板上，颜色面板包括第二基板和布置在第二基板上的滤色器层；以及填充层，...
    2026-02-08
  • 显示基板及显示装置
    显示基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000885.7
    本公开的实施例提供了一种显示基板及显示装置，涉及显示技术领域。该显示基板包括衬底、隔离结构、第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件。隔离结构设于衬底上。第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件中的每个发光器件包括第一电极、第二电极、至少两...
    2026-02-08
  • 有机电致发光元件及电子设备
    有机电致发光元件及电子设备_保土谷化学工业株式会社_202480043668.6
    使用了下述通式所表示的化合物和有机硼化合物的有机电致发光元件为高效率、低驱动电压、长寿命。A33、R11、R22表示1价的芳香族烃基等，A11和A22表示亚萘基，L11～L33表示单键或2价的芳香族烃基等。
    2026-02-08
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480045845.4
    [问题]提供了在将像素的结构元件布置在多个层中时能够适当地布置像素的构成元件的光检测装置。[解决方案]本公开的光检测装置包括：第一基板；第一绝缘膜，其设置在所述第一基板上；第二基板，其设置在所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其设置在所述第二基板...
    2026-02-08
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480043387.0
    提供了一种能够在抑制暗电流产生的同时提高量子效率Qe的光检测装置。具体地，所述光检测装置，包括：半导体基板，其具有光入射在其上的第一面和位于所述第一面的相对侧的第二面；多个光电转换单元，其在所述半导体基板上形成二维阵列；像素分离结构，其形成...
    2026-02-08
  • 成像装置
    成像装置_索尼半导体解决方案公司_202480045786.0
    本发明提供了一种成像装置，其包括：多个像素单元，所述像素单元各自包括具有不同受光灵敏度的第一光电转换部和第二光电转换部以及设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间的节点；以及连接部，其将一个所述像素单元的所述节点电连接到另一个所述像...
    2026-02-08
  • 半导体装置、半导体装置的制造方法和光检测装置
    半导体装置、半导体装置的制造方法和光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480045101.2
    一种半导体装置包括：沟槽，其从基板的第一面朝着与所述第一面相反的一侧的第二面被布置在所述基板中；第一绝缘栅极场效应晶体管，其布置于所述沟槽内的下部处，所述第一绝缘栅极场效应晶体管包括隔着第一栅极绝缘膜埋入在所述沟槽的侧壁上的第一栅极电极；侧...
    2026-02-08
  • 具有屏蔽层的半导体功率器件
    具有屏蔽层的半导体功率器件_华为数字能源技术有限公司_202380100033.0
    本发明涉及一种半导体功率器件(100)，所述半导体功率器件(100)包括：半导体衬底(110)；过渡层(111)，所述过渡层(111)形成于所述半导体衬底(110)上方；氮化镓(Gallium‑Nitride，GaN)沟道层(122)，所述...
    2026-02-08
  • 形成铜膜的方法
    形成铜膜的方法_周星工程股份有限公司_202480044668.8
    本发明涉及一种形成铜膜的方法，该方法在位于腔室中的基板上形成铜膜，该方法包括：步骤a)，向基板上喷射含铜前体；步骤b)，向基板上喷射第一吹除气体；步骤c)，使用氢气(H22)在基板上形成等离子体；以及步骤d)，向基板上喷射包括含氢气体和含氮...
    2026-02-08
  • 半导体装置、存储装置、半导体装置的制造方法
    半导体装置、存储装置、半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480029957.0
    提供一种电特性良好的半导体装置。半导体装置包括圆柱形状的半导体层、与半导体层的底面接触的第一导电层、与半导体层的顶面接触的第二导电层、覆盖半导体层的侧面的至少一部分的第一绝缘层以及隔着第一绝缘层与半导体层的侧面相对的第三导电层。第一绝缘层包...
    2026-02-08
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