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  • 本发明提供能够提高基板的搬运吞吐量的基板处理装置。该基板处理装置具有:第一容器支承部,其能够支承容器,容器能够容纳基板;第二容器支承部,其与所述第一容器支承部相比配置在上方、且在周向上设有能够载置容器的多个载置部;旋转轴,其使第二容器支承部...
  • 一种承载装置及其基座,所述承载装置包含基座及舌片单元。所述基座包括主体部。所述主体部具有沿第一方向与不平行于所述第一方向的第二方向延伸的底壁、自所述底壁朝不平行于所述第一方向与所述第二方向的第三方向延伸且在所述第二方向上间隔排列的调整壁、自...
  • 本申请公开了一种键合系统、方法、半导体设备及计算机可读存储介质,属于半导体设备技术领域。该键合系统包括:承载单元;键合单元;可动地连接于键合单元的视觉单元,用于获取第一基片与第二基片之间的对位偏差和平行度偏差;驱动单元,其中的第一驱动机构驱...
  • 本申请公开一种工艺腔室的气路系统及半导体工艺设备,属于半导体技术领域。工艺腔室的气路系统包括至少两个输气管路,每个所述输气管路分别设置至少一个控制阀,各所述控制阀分别控制对应的所述输气管路的通断;至少两个所述控制阀被加热组件包裹而集成为阀组...
  • 本发明提供了一种小批量验证型三温IC芯片分选机,属于集成电路测试与分选设备技术领域,包括机柜,机柜前侧面的上方处安装有显示屏,机柜的底部固定连接有支腿;机柜内设有保温测试区,保温测试区的左侧设有测试压头,保温测试区的前侧设有四轴机器人;机柜...
  • 本发明公开了一种晶圆激活方法及装置。其中,该方法包括:在目标晶圆处理过程中,对目标晶圆已进行的长膜工艺类型进行标识,得到目标晶圆的工艺标识结果;在确定目标晶圆需要进行特定激活工艺时,根据工艺标识结果确定目标晶圆的表面存在可清除膜标识或不可清...
  • 本发明公开了一种摇臂刻蚀装置及硅环刻蚀加工方法,包括刻蚀箱,用于盛放酸性刻蚀溶液;中和箱,用于盛放碱性溶液,所述中和箱与所述刻蚀箱相邻设置;摇臂机构,包括摆轴、摇臂和驱动组件,所述摆轴安装在所述刻蚀箱和所述中和箱之间,所述摇臂固定安装在所述...
  • 本发明提供了量测装置、方法、键合装置及存储介质。所述量测装置包括双色光源、光学系统、第一相机及第二相机。所述双色光源用于提供可见光和红外光。所述光学系统用于将所述双色光源提供的可见光传输到第一量测对象表面,并将所述第一量测对象表面产生的第一...
  • 本发明提供了一种高温晶圆存放工位检测系统及其检测方法,以支持检测托架工位上高温晶圆的叠片、斜片状态,其中该系统包括:晶圆传输机器人的末端执行器,其指叉内端面呈倾斜设置,并设有狭光孔,以在末端执行器指叉间定义出容纳晶圆至少部分伸入的检测区;光...
  • 本申请公开了一种晶圆上下料设备的控制方法及控制系统,涉及半导体制备技术领域。控制方法包括:在对炉管舟的目标区域进行上下料时,控制传料机构在目标区域的各个第一单元区域内放置模拟晶圆,第一单元区域包括至少一个晶圆槽,相邻的第一单元区域之间设有第...
  • 本发明公开了一种半导体产线inline过货能量预测方法及存储介质,所述半导体产线inline过货能量预测方法,包括以下步骤:S1,确定掩模版的关键尺寸;S2,建立掩模版关键尺寸与inline过货能量之间的关系式;S3,根据所述关系式预判in...
  • 本发明涉及集成电路生产加工技术领域,且公开了一种集成电路生产加工用封装设备及其生产工艺,包括:支撑件,支撑件上表面中心设有下封装件,下封装件上表面设有上封装件,上封装件正上方设有固定件,支撑件上表面中心四周安装有限位件,下封装件内腔底部中心...
  • 提供一种信息处理方法、基板处理系统以及记录介质,能够在保持安全性的同时进行使用了终端装置的基板处理装置的维护的控制。在具备多个模块的基板处理装置分散设置的多个接口中的一个接口连接了终端装置的情况下,与连接了所述终端装置的接口相应地,将所述多...
  • 本申请提供能够降低作用于轴的热应力的加热器。加热器具备载置板、发热体及轴。轴具有圆筒形状的主体部、以及配置于主体部与载置板之间的连接部。连接部的连接外周面具有与载置板相连的第一扩径部、以及配置于第一扩径部与主体部之间的第二扩径部。第一扩径部...
  • 提供基板处理装置、检测方法、半导体器件的制造方法及程序产品,能够简单地检测部件状态。具有:对基板进行处理的处理室;搬运所述基板的搬运部;与所述处理室及所述搬运部中的至少某一方相关的部件;存储多个动作事件的存储部;能够检测所述部件的运转声音的...
  • 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置具备衬底保持部、浸渍槽、第1供给部及移动机构。衬底保持部保持衬底并使其旋转。浸渍槽贮存处理液,并且收容衬底使衬底浸渍在处理液中。第1供给部将处理液供给到浸渍槽。移动机构使衬底保持部与浸渍...
  • 本申请涉及一种异常检测方法、半导体检测设备及半导体工艺设备,异常检测方法包括:响应于针对目标设备模块对应的工艺文件的检测指令,解析工艺文件包括的目标信息;目标信息包括处理对象在目标设备模块中的滞留时长;基于目标信息和预设滞留阈值,确定目标设...
  • 本申请提供一种加热盘及其制造方法、温控装置、半导体制造设备,涉及半导体处理技术领域。加热盘包括加热主体,加热主体包括基体、加热层、封装层及若干焊球;基体包括相背的第一面和第二面,加热层通过半导体制造工艺形成于基体的第二面,封装层形成于加热层...
  • 本发明公开了一种用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置,包括:清洗槽;第一主动轴和第二主动轴,平行设于清洗槽内,且在驱动单元的驱动下可绕其自身中心线周向旋转,其长度为60‑350mm;第一主动轴上沿长度方向设有三个第一卡槽,第二主动轴上沿长度方向...
  • 本发明公开了基于化学清洗的背封硅片翘曲调控方法,具体涉及半导体技术领域,该方法包括:S1:硅片预处理;S2:氧化硅背封;S3:抛光与一次洗净;S4:第一次平坦度测定;S5:化学清洗调控;S6:第二次平坦度测定;S7:最终清洗与检查。本发明所...
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