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最新专利技术
  • 一种定位工装及热套加工方法
    一种定位工装及热套加工方法_珠海凌达压缩机有限公司_202511764970.3
    本发明提供了一种定位工装及热套加工方法，涉及热套加工技术领域，该定位工装包括支撑基座、第一定位机构、基准件、旋转件和第二定位机构；第一定位机构设于支撑基座上，具有用于定位工件的第一定位部；基准件相对于支撑基座固定，用于提供转动基准；旋转件可...
    2026-02-27
  • 一种用于金属和合金缝隙腐蚀精细评定夹具
    一种用于金属和合金缝隙腐蚀精细评定夹具_中海石油(中国)有限公司天津分公司_202511655444.3
    本发明公开了一种用于金属和合金缝隙腐蚀精细评定夹具，属于金属腐蚀模拟技术领域。所述夹具包括下夹块和上夹块，下夹块和上夹块相对设置于金属挂片两侧并通过紧固件锁紧；所述下夹块上形成贯穿的中心通孔，在中心通孔周围形成凸起部，凸起部与金属挂片贴合。...
    2026-02-27
  • 一种车辆后桥减速器定位加工装置
    一种车辆后桥减速器定位加工装置_陕西鑫辰盛创机械制造有限公司_202511488192.X
    本发明公开一种车辆后桥减速器定位加工装置，包括定位组件、转动组件和调节组件，所述定位组件包括导向盘、夹紧气缸、沿着导向盘移动的滑块、设置于滑块侧壁的定位柱、与滑块活动配合的曲柄、与曲柄活动配合的中心转盘，所述转动组件包括旋转电机、设置于旋转...
    2026-02-27
  • 定位设备及检测系统
    定位设备及检测系统_深圳思谋信息科技有限公司_202511478320.2
    本申请涉及一种定位设备及检测系统。该定位设备包括支架、承载机构及调节机构。承载机构具有放置位，放置位用于放置待调节件；调节机构活动安装于支架上，且位于放置位的上方；其中，调节机构能够在运行状态和停止状态之间切换，调节机构处于运行状态时，调节...
    2026-02-27
  • 钳具
    钳具_广东电网有限责任公司阳江供电局_202511827152.3
    本发明公开了一种钳具，钳具包括钳头组件、驱动手柄、支撑部和锁止结构：钳头组件包括两个夹持块和第一转轴，两个夹持块通过第一转轴连接；驱动手柄的数量为两个，两个驱动手柄分别连接两个夹持块，并用于驱使两个夹持块相向或相背转动；支撑部可转动安装在驱...
    2026-02-27
  • 工具钳
    工具钳_华南蓝天航空油料有限公司_202511836597.8
    本申请提供一种工具钳，包括第一钳臂、第二钳臂和活动连接于第一钳臂与第二钳臂之间的连接轴。第一钳臂设有分隔在连接轴两侧的第一钳头和第一手柄。第二钳臂设有分隔在连接轴两侧的第二钳头和第二手柄。第一钳头设有第一压封台，第二钳头设有与第一压封台对应...
    2026-02-27
  • 一种表面结构化磨具的制备方法
    一种表面结构化磨具的制备方法_季华实验室_202511634731.6
    本发明提供了一种表面结构化磨具的制备方法。本发明的表面结构化磨具的制备方法，通过将制备好的磨料‑结合剂混合浆料注入表面结构化的成型模具中，然后通过脱模、固化和干燥等步骤即可成型出表面结构化的磨具，成型过程简单，可实现高效低成本批量制备，成型...
    2026-02-27
  • 一种环保干磨石磨料及其制备方法
    一种环保干磨石磨料及其制备方法_东莞市宝赛德新材料有限公司_202511495938.X
    本发明涉及一种环保干磨石磨料及其制备方法，包括由外向内依次设置的外层功能层、中间过渡层和核心层，各层通过梯度交联网络形成连续过渡界面；外层功能层包括如下原料：改性碳化硅、金刚砂、生物基沙林树脂、微胶囊化植物油、纳米纤维素、硅烷偶联剂；中间过...
    2026-02-27
  • 聚氨酯柔性砂带及其制备方法
    聚氨酯柔性砂带及其制备方法_东莞市晶菱磨料磨具科技有限公司_202511763295.2
    本发明提供一种聚氨酯柔性砂带及其制备方法。该聚氨酯柔性砂带包含依次层叠的布基层、胶层和聚氨酯抛光层。以重量份数计，聚氨酯抛光层的制备原料包含120~200份聚氨酯柔性树脂组合料、75~150份磨料、1~10份导热剂、20~65份填料和0~1...
    2026-02-27
  • 一种可调孔径的喷丸模块化防护装置及方法
    一种可调孔径的喷丸模块化防护装置及方法_重庆齿轮箱有限责任公司_202511955723.1
    本发明涉及喷丸防护的技术领域，具体为一种可调孔径的喷丸模块化防护装置及方法，包括双头螺纹拉杆、位于双头螺纹拉杆上的变径支撑机构、位于变径支撑机构两端的阻挡件和螺纹连接在双头螺纹拉杆上的调节件；所述变径支撑机构用于对孔的内壁形成支撑，所述调节...
    2026-02-27
  • 一种用于管道内表面的磨料水射流抛光装置
    一种用于管道内表面的磨料水射流抛光装置_燕山大学_202511459341.X
    本发明提供了一种用于管道内表面的磨料水射流抛光装置，涉及抛光设备领域，包括磨料射流生成装置、可变径行走机构以及自旋转喷嘴。所述磨料射流生成装置包括射流增压泵组、六轴机械臂以及浆料生成装置；所述的可变径行走机构包含机构主体、导向筒、限位板、预...
    2026-02-27
  • 一种链轮铣皮用喷砂设备
    一种链轮铣皮用喷砂设备_西安合力汽车配件有限公司_202511978992.X
    本发明公开了一种链轮铣皮用喷砂设备，属于喷砂设备技术领域，包括支撑座，所述支撑座的上端固定连接有喷砂仓，所述喷砂仓的内部安装有喷砂管，喷砂管的输入端与压缩机的输出端连接，所述喷砂管的输出端固定连接有喷枪。本发明的喷砂设备使用时，对链轮进行喷...
    2026-02-27
  • 水切割水流收束喷射调整方法和系统
    水切割水流收束喷射调整方法和系统_山东航空学院_202511544222.4
    本发明提供水切割水流收束喷射调整方法和系统，对目标对象被水切割的过程进行影像采集和识别，得到目标对象表面的水切割动作信息和水切割痕迹信息，并基于水切割动作信息，判断目标对象是否处于被稳定水切割状态；基于水切割痕迹信息，确定喷头喷射的水流在所...
    2026-02-27
  • 研磨液分配臂装置
    研磨液分配臂装置_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202512011443.1
    本发明提供了一种研磨液分配臂装置，包括：分配臂，分配臂包括壳体以及滑动组件，滑动组件可移动地与壳体连接；基座，分配臂的一端支撑于基座上，另一端用于延伸至抛光垫上方，滑动组件可沿分配臂的延伸方向移动；浆料管路，其与滑动组件固定连接，浆料管路包...
    2026-02-27
  • 基于流量阀液压控制系统的砂轮自动修正装置
    基于流量阀液压控制系统的砂轮自动修正装置_浙江仲全数控科技有限公司_202311826408.X
    本申请公开了一种基于流量阀液压控制系统的砂轮自动修正装置，其属于用于砂轮修正的驱动装置领域。包括：安装台；修正组件；所述基于流量阀液压控制系统包括：驱动油缸；油箱；动力件，用于在油箱和驱动油缸之间构建连接；控制件；所述流量阀设置在换向件和油...
    2026-02-27
  • 一种晶圆磨削定位工装设备
    一种晶圆磨削定位工装设备_江苏天科合达半导体有限公司_202512051781.8
    本发明公开了一种晶圆磨削定位工装设备，包括机架，所述机架的顶部设置有能够对碳化硅晶圆实施磨削的上磨削组件，所述机架的底部设置有能够对碳化硅晶圆实施磨削的下磨削组件，所述机架的中部设置有能够吸附碳化硅晶圆的真空卡盘；所述真空卡盘的底部铰接有若...
    2026-02-27
  • 一种基于小孔节流的精密气浮主轴
    一种基于小孔节流的精密气浮主轴_深圳市汉诺克精密科技有限公司_202511921835.5
    本发明提供一种基于小孔节流的精密气浮主轴，包括缸筒、壳体、转轴、前后径向气浮轴承、前后轴向止推气浮轴承、驱动电机、拉刀机构及多种传感器；缸筒外圆设往复式螺旋凹槽与壳体形成螺旋冷却水路，后端盖集成进气、排气、冷却水及气控接口；压缩气体经轴向气...
    2026-02-27
  • 一种水晶平面磨抛机用进料机构
    一种水晶平面磨抛机用进料机构_浦江联力工贸有限公司_202411019511.8
    本发明公开了一种水晶平面磨抛机用进料机构，包括机架，机架上设有带模孔的模板；设于模板下方的顶料机构，顶料机构包括若干顶料杆；设于机架一侧的上料机构，包括倾斜设置的料台，料台表面设有若干进料槽，进料槽的端部连通所述模孔，料台还设有可往复滑动的...
    2026-02-27
  • 适用于12英寸大硅片双面抛光的游星轮及其制造方法
    适用于12英寸大硅片双面抛光的游星轮及其制造方法_浙江思纬新材料科技有限公司_202511581634.5
    本发明提供一种适用于12英寸大硅片双面抛光的游星轮及其制造方法，包括内衬，工件孔的内侧壁上设有凹槽，内衬设置在所述工件孔的内侧壁上，所述轮盘本体采用马氏体不锈钢为基体，在基体双向表面设置有Si a‑C : H 涂层，其工艺在于，S1、对基体...
    2026-02-27
  • 一种用于混合键合的化学机械抛光方法及半导体晶圆
    一种用于混合键合的化学机械抛光方法及半导体晶圆_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511598233.0
    本发明的用于混合键合的化学机械抛光方法首先在第一抛光盘上对晶圆的表面进行第一抛光，直至去除晶圆的介质层表面的铜层。然后在第一抛光盘上对晶圆的介质层中的铜柱进行第二抛光，控制铜柱表面低于介质层表面且铜柱表面与介质层表面的第一高度差d11介于5...
    2026-02-27
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